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> BLF542
分立半导体
数据表
BLF542
超高频功率MOS晶体管
产品speci fi cation
1992年10月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率MOS晶体管
特点
高功率增益
简单的电源控制
镀金
良好的热稳定性
可承受满负荷不匹配
专为宽带运营。
描述
硅N沟道增强
模式的垂直D- MOS晶体管
设计用于大信号放大器
在UHF频率的应用
范围内。
该晶体管被封装在一个
6引脚, SOT171法兰信封,用
陶瓷盖。所有的线索都隔离
从凸缘。
钉扎 - SOT171
针
1
2
3
4
5
6
描述
来源
来源
门
漏
来源
来源
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
1
3
5
2
4
6
g
MBB072
BLF542
引脚配置
halfpage
d
s
顶视图
MBA931 - 1
Fig.1简化外形和符号。
小心
该器件采用防静电包装中提供。栅源输入必须
运输和装卸过程中加以保护,防止静电。
本品含有氧化铍。该产品是完全安全规定
该氧化铍盘不被损坏。所有的人谁处理,使用或处置
该产品应该知道它的性质和所需的安全性的
预防措施。使用后,处理为根据化学品或特殊废物
规定施加于用户的位置。它绝不能丢
用一般的或生活垃圾。
快速参考数据
射频性能在T
mb
= 25
°C
在一个共同的源测试电路。
操作模式
CW , B类
f
(兆赫)
500
V
DS
(V)
28
P
L
(W)
5
G
P
( dB)的
& GT ;
13
η
D
(%)
& GT ;
50
1992年10月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率MOS晶体管
极限值
按照绝对最大系统(IEC 134)。
符号
V
DS
±V
GS
I
D
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
总功耗
储存温度
结温
T
mb
= 25
°C
条件
65
分钟。
BLF542
马克斯。
65
20
1.5
20
150
200
单位
V
V
A
W
°C
°C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
参数
从结热阻安装基座
从安装底座到散热片的热阻
热阻
8.8 K / W
0.4 K / W
手册, halfpage
10
MRA735
手册, halfpage
P
ID
(A)
35
合计
(W)
30
25
MRA734
1
(1)
(2)
(2)
20
15
10
1
10
5
10
2
0
10
(1)
1
10
VDS ( V)
10
2
30
50
70
90
110
130
日(
o
C)
(1)当前在此区域可以由R限于
DS ( ON)
.
(2) T
mb
= 25
°C.
( 1 )连续运行。
( 2 )不匹配,在短时间的操作。
图2 DC飙升。
图3功率降额曲线。
1992年10月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率MOS晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
g
fs
R
DS ( ON)
I
DSX
C
is
C
os
C
rs
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
正向跨导
漏源导通电阻
通态漏电流
输入电容
输出电容
反馈电容
条件
I
D
= 0.1毫安; V
GS
= 0
V
GS
= 0; V
DS
= 28 V
±V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
I
D
= 10毫安; V
DS
= 10 V
I
D
= 0.3 A; V
DS
= 10 V
I
D
= 0.3 A; V
GS
= 15 V
V
GS
= 15 V; V
DS
= 10 V
V
GS
= 0; V
DS
= 28 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
= 28 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
= 28 V ; F = 1 MHz的
分钟。
65
2
160
BLF542
典型值。马克斯。单位
240
3.3
1.4
14
9.4
1.7
10
1
4.5
5
V
A
A
V
mS
A
pF
pF
pF
手册, halfpage
4
MBB777
手册, halfpage
1.5
ID
(A)
MBB759
T.C.
(毫伏/ K)的
2
1
0
0.5
–2
–4
0
100
200
ID (MA )
300
0
0
5
10
VGS ( V)
15
V
DS
= 10 V.
V
DS
= 10 V ;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.4
栅 - 源温度COEF网络cient
电压为漏极电流的函数,典型
值。
Fig.5
漏电流的栅源极间的函数
电压典型值。
1992年10月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率MOS晶体管
BLF542
手册, halfpage
6
MBB778
手册, halfpage
30
MBB776
RDS ( ON)
()
C
(PF )
4
20
CIS
COS
2
10
0
0
50
100
TJ (
o
C)
150
0
0
10
20
VDS ( V)
30
I
D
= 0.3 A; V
GS
= 15 V
V
GS
= 0; F = 1兆赫。
Fig.6
导通电阻的漏极 - 源极之间的函数
结温,典型值。
Fig.7
输入和输出电容的功能
漏极 - 源极电压,典型值。
手册, halfpage
6
MBB775
CRS
(PF )
4
2
0
0
10
20
VDS ( V)
30
V
GS
= 0; F = 1兆赫。
Fig.8
反馈电容的一个函数
漏极 - 源极电压,典型值。
1992年10月
5
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BLF542
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