【分立半导体数据表BLF522超高频功率MOS晶体管产品speci fi cation1992年9月】,IC型号BLF522,BLF522 PDF资料,BLF522经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

BLF522

超高频功率MOS晶体管

产品speci fi cation

1992年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率MOS晶体管

特点

高功率增益

简单的电源控制

镀金

良好的热稳定性

可承受满负荷不匹配

专为宽带运营。

描述

硅N沟道增强

模式的垂直D- MOS晶体管

专为通讯

在UHF发送器应用

频率范围。

该晶体管被封装在一个

6引脚， SOT171法兰信封，用

陶瓷盖。所有的线索都隔离

从凸缘。

钉扎 - SOT171

针

描述

来源

门

漏

来源

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

MBB072

BLF522

引脚配置

halfpage

顶视图

MBA931 - 1

Fig.1简化外形和符号。

小心

该器件采用防静电包装中提供。栅源输入必须

运输和装卸过程中加以保护，防止静电。

本品含有氧化铍。该产品是完全安全规定

该氧化铍盘不被损坏。所有的人谁处理，使用或处置

该产品应该知道它的性质和所需的安全性的

预防措施。使用后，处理为根据化学品或特殊废物

规定施加于用户的位置。它绝不能丢

用一般的或生活垃圾。

快速参考数据

射频性能在T

= 25

°C

在一个共同的源B类电路。

操作模式

CW ， B类

（兆赫）

500

(V)

12.5

(W)

（ dB）的

＆ GT ;

(%)

＆ GT ;

1992年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率MOS晶体管

极限值

按照绝对最大系统（IEC 134）。

符号

±V

合计

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

直流漏电流

总功耗

储存温度

结温

最多至T

= 25

°C

条件

分钟。

BLF522

马克斯。

1.8

150

200

单位

°C

热阻

符号

日J- MB

日MB -H

参数

从结点到安装热阻

BASE

从安装基地热阻

散热器

条件

= 25

°C;

合计

= 20 W

= 25

°C;

合计

= 20 W

热

阻力

8.8 K / W

0.4 K / W

手册， halfpage

MRA990

手册， halfpage

MRA427

(A)

合计

(W)

(1)

(2)

(1)

0.1

VDS （ V）

100

120

日（

（1）当前在此区域可以由R限于

DS （ ON）

(2) T

= 25

°C.

（ 1 ）连续运行。

（2）不匹配时短时操作。

图2 DC飙升。

图3电源/温度降额曲线。

1992年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率MOS晶体管

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

DSX

参数

漏源击穿电压

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

门源阈值电压

正向跨导

漏源导通电阻

通态漏电流

输入电容

输出电容

反馈电容

条件

= 0; I

= 5毫安

= 0; V

= 12.5 V

±V

= 20 V; V

= 0

= 50毫安; V

= 10 V

= 0.7 A; V

= 10 V

= 0.7 A; V

= 15 V

= 15 V; V

= 10 V

= 0; V

= 12.5 V ; F = 1 MHz的

= 0; V

= 12.5 V ; F = 1 MHz的

= 0; V

= 12.5 V ; F = 1 MHz的

分钟。

200

BLF522

典型值。马克斯。单位

270

1.8

2.3

0.5

4.5

2.7

手册， halfpage

MRA254

手册， halfpage

MRA249

T.C.

（毫伏/ K）的

(A)

ID（毫安）

VGS （ V）

= 10 V.

= 10 V ;牛逼

= 25

°C.

Fig.4

栅 - 源温度COEF网络cient

电压为漏极电流的函数，典型

值。

Fig.5

漏电流的栅源极间的函数

电压典型值。

1992年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率MOS晶体管

BLF522

手册， halfpage

MRA253

MRA246

RDSON

()

手册， halfpage

（PF ）

COS

CIS

100

TJ （

150

VDS （ V）

= 0.7 A; V

= 15 V;

= 0; F = 1兆赫。

Fig.6

漏极 - 源极导通电阻为

结温度的函数，典型

值。

Fig.7

输入和输出电容的功能

漏极 - 源极电压，典型值。

手册， halfpage

MRA256

CRS

（PF ）

VDS （ V）

= 0; F = 1兆赫。

Fig.8

反馈电容的一个函数

漏极 - 源极电压，典型值。

1992年9月

BLF522

超高频功率MOS晶体管

描述：

该

ASI BLF522

是专为

通信发射机

在UHF频率的应用

范围内。

包装样式0.230 6L FLG

.040x45°

4X 0.025

.115

2X.130

产品特点：

专为宽带运营。

高功率增益

Omnigold

金属化系统

.430 D

.125

与信

最大额定值

DISS

英镑

50 V

30 V

50 V

1.6 A

30瓦@ T

= 25 °C

-65℃ + 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

6.0 ° C / W

暗淡

M尼加拉瓜妇女协会UM

英寸/毫米

M AXIM UM

英寸/毫米

.355 / 9.02

.115 / 2.92

.075 / 1.91

.225 / 5.72

.090 / 2.29

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.355 / 9.02

.004 / 0.10

.120 / 3.05

.160 / 4.06

.230 / 5.84

.365 / 9.27

.125 / 3.18

.085 / 2.16

.235 / 5.97

.110 / 2.79

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.365 / 9.27

.006 / 0.15

.130 / 3.30

.180 / 4.57

.260 / 6.60

1 & 2来源3门4漏5 & 6源

特征

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

DS （ ON）

DSAT

= 25 °C

NONETEST

条件

= 20毫安

= 12.5 V

= 0 V

= 40 V

= 10 V

= 20 V

= 10 V

±V

= 30 V

= 40毫安

= 5.0 V

= 3.2 A

= 20 V

最小典型最大

0.4

1.0

0.4

1.2

4.6

7.0

单位

姆欧

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

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传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

1/2

BLF522

错误！未找到引用源。

国际空间站

OSS

RSS

= 12.5 V

= 5.0 W

F = 850千兆赫

= 12.5 V

= 0 V

F = 1.0 MHz的

2.4

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

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