【分立半导体数据表M3D091BLF378甚高频推挽功率MOS晶体管产品speci fi cation】,IC型号BLF378,BLF378 PDF资料,BLF378经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

M3D091

BLF378

甚高频推挽功率MOS

晶体管

产品speci fi cation

取代1996年的数据10月17日

1998年07月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频推挽功率MOS晶体管

特点

高功率增益

简单的电源控制

良好的热稳定性

镀金保证了出色的可靠性。

应用

在VHF频率广播发射机应用

范围内。

描述

双推挽硅N沟道增强模式

垂直的D- MOS晶体管封装在一个4引线，

SOT262A1平衡法兰封装了两个陶瓷

瓶盖。安装凸缘提供了共源极

连接的晶体管。

小心

此产品是在防静电包装供应，以防止

期间因静电放电损坏

运输和处理。欲了解更多信息，请参阅

飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A ，和

SNW-FQ-302B.

BLF378

钉扎 - SOT262A1

针

符号

描述

排水1

排水2

门1

门2

来源

顶视图

MAM098

Fig.1简化外形和符号。

快速参考数据

射频性能在T

= 25

°C

在推挽式共源测试电路。

操作模式

CW ， AB类

225

记

1.假设一个3阶幅度传输特性，为1 dB增益压缩对应于30 ％的同步

在电视服务输入/ 25 ％的同步输出压缩（负调制， CCIR系统）。

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。

所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

250

（兆赫）

(V)

(W)

（ dB）的

>14

（典型值）。 16

（ dB）的

(1)

（典型值）。 0.6

(%)

>50

（典型值）。 55

1998年07月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频推挽功率MOS晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

参数

条件

分钟。

BLF378

马克斯。

单位

每个晶体管部分

除非另有规定编

DSS

GSS

合计

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

储存温度

结温

110

±20

500

150

200

°C

总功率耗散T

≤

°C

总的设备;这两部分同样装

热特性

符号

日J- MB

日MB -H

参数

条件

价值

0.35

0.15

单位

K / W

从结点到安装基座设备总热阻;两节

同样装

从安装底座到散热片装置总热阻;两节

同样装

MRA988

手册， halfpage

100

手册， halfpage

500

MGE616

(A)

P合计

(W)

400

(2)

(1)

(2)

300

200

100

VDS （ V）

500

120

TH（ ° C）

160

总的设备;这两部分同样装载。

（ 1）电流是此区域可以由R限于

DSON

(2) T

= 25

°C.

总的设备;这两部分同样装载。

（ 1 ）连续运行。

（2）不匹配时短时操作。

图2 DC飙升。

图3功率降额曲线。

1998年07月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频推挽功率MOS晶体管

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

每个晶体管部分

（ BR ） DSS

DSS

GSS

gsth

fs1

fs2

DSON

DSX

D-F

漏源击穿电压V

= 0; I

= 50毫安

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

门源阈值电压

栅极 - 源极电压差

这两个晶体管部分

正向跨导

正向跨导率

这两个晶体管部分

通态漏电流

输入电容

输出电容

反馈电容

FL漏极电容法兰

= 0; V

= 50 V

±20

V; V

= 0

= 50毫安; V

= 10 V

= 50毫安; V

= 10 V

= 5 A; V

= 10 V

= 5 A; V

= 10 V

110

2.0

4.5

0.9

6.2

0.2

480

190

5.4

参数

条件

分钟。

典型值。

BLF378

马克斯。

单位

2.5

4.5

100

1.1

0.3

漏极 - 源极导通电阻我

= 5 A; V

= 10 V

= 10 V; V

= 10 V

= 0; V

= 50 V ; F = 1 MHz的

= 0; V

= 50 V ; F = 1 MHz的

= 0; V

= 50 V ; F = 1 MHz的

手册， halfpage

MGE623

手册， halfpage

MGE622

T.C.

（毫伏/ K）的

(A)

ID （ A）

VGS （ V）

= 10 V.

= 10 V ;牛逼

= 25

°C.

Fig.4

栅 - 源温度COEF网络cient

电压为漏极电流的函数;典型

每节值。

Fig.5

漏电流的栅源极间的函数

电压;每节的典型值。

1998年07月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频推挽功率MOS晶体管

BLF378

手册， halfpage

400

MGE621

手册， halfpage

1200

MGE615

RDSON

(m)

300

（PF ）

800

200

CIS

400

100

COS

100

TJ （ ° C）

150

VDS （ V）

= 5 A; V

= 10 V.

= 0; F = 1兆赫。

Fig.6

漏极 - 源极导通电阻为

结温度的函数;典型

每节值。

Fig.7

输入和输出电容的功能

的漏极 - 源极电压;每个典型值

部分。

手册， halfpage

400

MGE620

CRS

（PF ）

300

200

100

VDS （ V）

= 0; F = 1兆赫。

Fig.8

反馈电容的一个函数

漏极 - 源极电压;每个典型值

部分。

1998年07月29日

BLF378

功率MOSFET

描述：

N沟道增强模式

该

ASI BLF378

是一个N沟道

增强型射频功率

MOSFET专为宽带RF

申请高达225兆赫。

功能包括：

= 14分贝最小。在225兆赫

20:1

负载VSWR能力

Omnigold

金属化系统

包装风格.400 BAL FLG （D ）

最大额定值

DSS

DISS

英镑

18 A

125 V

20 V

500瓦@ T

= 25 °C

-65℃ + 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

0.35 ° C / W

1 & 2 =漏极

3 & 4 = GATE

5 =源

特征

符号

DSS

GSS

DSON

DSAT

国际空间站

OSS

RSS

= 40毫安

= 50 V

= 0 V

= V

= 10 V

= 20 V

= 50 V

= 25 C

无

测试条件

= 0 V

= 30 V

= 300毫安

= 5.0 V

= 6.0 A

= 10 V

= 0 V

F = 1.0 MHz的

最低

125

典型的最大

5.0

1.0

单位

姆欧

---

1.0

5.5

0.30

400

200

7.0

= 50 V

= 0.8 A

F = 225 MHz的

20:1

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1202

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

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