BLF369
多用甚高频功率LDMOS晶体管
牧师03 - 2008年1月29日
初步数据表
1.产品廓
1.1概述
对于脉冲和连续波通用500W的LDMOS射频功率晶体管
应用在HF / VHF频带高达500兆赫。
表1中。
典型性能
典型的射频性能在V
DS
= 32 V和T
h
= 25
°
下在一个共源225 MHz的测试电路。
[1]
操作模式
CW ， AB类
2音， AB类
脉冲， AB类
[2]
[1]
[2]
t
p
= 2毫秒;
δ
= 10 %.
f
（兆赫）
225
f
1
= 225; f
2
= 225.1
225
P
L
(W)
500
-
500
P
L（ PEP）的
(W)
-
500
-
G
p
（ dB）的
18
19
19
η
D
(%)
60
47
55
IMD3
（ DBC）
-
28
-
T
h
是散热片温度。
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2产品特点
I
典型的脉冲性能在225 MHz时，漏极 - 源极电压V
DS
32 V和一个
静态漏电流I
Dq
= 2
×
1.0 A:
N
负载功率P
L
= 500 W
N
功率增益G
p
= 19分贝
N
漏EF网络效率
η
D
= 55 %
I
先进的FL法兰材质为达到最佳的散热性能和可靠性
I
出色的耐用性
I
高功率增益
I
专为宽带运营（ HF / VHF波段）
I
源底消除了直流隔离，减少共模电感
I
简单的电源控制
I
集成ESD保护
I
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（ RoHS指令） ，使用豁免的附件第7号
恩智浦半导体
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多用甚高频功率LDMOS晶体管
1.3应用
I
脉冲应用高达500 MHz
I
在特定网络连接c数据传输发射器应用的HF / VHF / UHF频段
条件
I
在特殊条件下的工业应用提供高达500 MHz的
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
钉扎
描述
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
简化的轮廓
1
2
符号
1
5
3
5
4
3
4
2
sym117
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BLF369
-
描述
VERSION
FL anged LDMOST陶瓷封装; 2安装孔; SOT800-2
4引线
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
储存温度
结温
条件
民
-
0.5
65
-
最大
65
+13
+150
200
单位
V
V
°C
°C
BLF369_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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恩智浦半导体
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多用甚高频功率LDMOS晶体管
6.特性
表6 。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
[1]
[2]
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 6毫安
V
DS
= 20V;我
D
= 600毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 32 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 9 V; V
DS
= 10 V
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 20V;我
D
= 13 A
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 9 V ;我
D
= 13 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 32 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 32 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 32 V ; F = 1 MHz的
[1]
[1]
[2]
[2]
[1]
[1]
民
65
4
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
100
-
15
40
400
230
15
最大
-
5.5
4.2
-
60
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
nA
S
m
pF
pF
pF
I
D
是漏极电流。
C
国际空间站
和C
OSS
包括反向传输电容（C
RSS
).
600
C
OSS
（PF ）
400
001aae484
200
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
(V)
V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫。
图2，输出电容为漏极 - 源极电压的函数;每个典型值
部分
BLF369_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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多用甚高频功率LDMOS晶体管
7.应用信息
表7中。
在共源225 MHz的测试电路的RF性能
T
h
= 25
°
C除非另有规定ED 。
操作模式
CW ， AB类
2音， AB类
脉冲， AB类
[1]
[1]
t
p
= 2毫秒;
δ
= 10 %.
f
（兆赫）
225
f
1
= 225; f
2
= 225.1
225
V
DS
(V)
32
32
-
I
Dq
(A)
P
L
(W)
P
L（ PEP）的
G
p
(W)
-
500
-
（ dB）的
＆ GT ; 17
> 18
> 18
η
D
(%)
＆ GT ; 55
> 43
＆ GT ; 50
IMD3
（ DBC）
-
＆ LT ;
24
-
G
p
（ dB）的
-
1
-
2
×
1.0 500
2
×
1.0 -
-
500
7.1 CW
22
G
P
（ dB）的
20
η
D
001aae501
70
η
D
(%)
50
G
P
18
30
16
0
100
200
300
10
400
500
P
L
(W)
图3. CW功率增益和漏EF网络效率为输出功率的函数;典型值
BLF369_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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牧师03 - 2008年1月29日
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BLF369
甚高频功率LDMOS晶体管
牧师02 - 2006年12月8日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
广播发射机应用和产业一个500瓦的LDMOS RF功率晶体管
应用程序在HF / VHF频段。
表1中。
典型性能
典型的射频性能在V
DS
= 32 V和T
h
= 25
°
下在一个共源225 MHz的测试电路。
[1]
操作模式
CW ， AB类
2音， AB类
[1]
f
（兆赫）
225
f
1
= 225; f
2
= 225.1
P
L
(W)
500
-
P
L（ PEP）的
(W)
-
500
G
p
（ dB）的
18
19
η
D
(%)
60
47
IMD3
（ DBC）
-
28
T
h
是散热片温度。
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2产品特点
I
典型的CW性能在225兆赫，漏极 - 源极电压V
DS
32 V和一个
静态漏电流I
Dq
= 2
×
1.0 A:
N
负载功率P
L
= 500 W
N
功率增益G
p
≥
18分贝
N
漏EF网络效率
η
D
= 60 %
I
先进的FL法兰材质为达到最佳的散热性能和可靠性
I
出色的耐用性
I
高功率增益
I
专为宽带运营（ HF / VHF波段）
I
源底消除了直流隔离，减少共模电感
I
简单的电源控制
I
集成ESD保护
1.3应用
I
在UHF频带的通信发射器应用
I
在UHF频带的工业应用
恩智浦半导体
BLF369
甚高频功率LDMOS晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
钉扎
描述
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
简化的轮廓
1
2
符号
1
5
3
5
4
3
4
2
sym117
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BLF369
-
描述
VERSION
FL anged LDMOST陶瓷封装; 2安装孔; SOT800-2
4引线
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
储存温度
结温
条件
民
-
0.5
65
-
最大
65
+13
+150
200
单位
V
V
°C
°C
5.热特性
表5 。
符号
R
号（j -情况下）
R
号（j -h）中
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
从结热阻到外壳
条件
T
j
= 200
°C
[1][2]
[1][2][3]
典型值
0.26
0.35
单位
K / W
K / W
从结到散热器牛逼的热阻
j
= 200
°C
T
j
是结点温度。
R
号（j -情况下）
和R
号（j -h）中
射频条件下进行测定。
R
号（j -h）中
依赖于所施加的热化合物和夹紧/安装设备的。
BLF369_2
NXP B.V. 2006年保留所有权利。
目标数据表
牧师02 - 2006年12月8日
2 13
恩智浦半导体
BLF369
甚高频功率LDMOS晶体管
22
G
P
（ dB）的
20
η
D
001aae501
70
η
D
(%)
50
G
P
18
30
16
0
100
200
300
10
400
500
P
L
(W)
V
DS
= 32 V ; F = 225 MHz的;我
Dq
= 2
×
1.0 A;牛逼
h
= 25
°C.
图2. CW功率增益G
p
沥干EF网络效率
η
D
作为输出功率P的函数
L
;典型值
22
G
P
（ dB）的
20
η
D
G
P
001aae502
60
η
D
(%)
40
0
IMD3
（ DBC）
20
001aae503
18
20
40
16
0
200
400
P
L（ PEP）的
(W)
0
600
60
0
200
400
P
L（ PEP）的
(W)
600
V
DS
= 32 V ; F
1
= 225 MHz的; F
2
= 225.1兆赫;
I
Dq
= 2
×
1.0 A;牛逼
h
= 25
°C.
V
DS
= 32 V ; F
1
= 225 MHz的; F
2
= 225.1兆赫;
I
Dq
= 2
×
1.0 A;牛逼
h
= 25
°C.
图3. 2音功率增益G
p
沥干EF网络效率
η
D
as
峰值包络功率P的函数
L（ PEP）的
;
典型值
图4. 2音三阶互调失真
IMD3为峰值包络功率的函数
P
L（ PEP）的
;典型值
7.1耐用的AB类操作
该BLF369能够经受对应于驻波的负载不匹配= 10 ：1的
通过在下列条件下的所有阶段： V
DS
= 32 V ; F = 225 MHz的频率，额定负载
功率（P
L（ PEP）的
= 500 W).
BLF369_2
NXP B.V. 2006年保留所有权利。
目标数据表
牧师02 - 2006年12月8日
4 13
QQ：2880707522 复制
