BLF245C
RF功率MOSFET
N沟道增强模式
描述：
该
ASI BLF245C
是VDMOS
晶体管专为大信号
在VHF放大器应用
频率范围。
包装风格.400 8L FLG
C
D
B
A
F ü LL
功能包括：
P
G
= 16 dB，典型值在175兆赫
30:1
负载VSWR能力
Omnigold
金属化系统
G
F
E
.1925
.125
K
H
O
4× 0.060
I
J
N
L M
最大额定值
I
D
V
DS
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
6.0 A
65 V
±20
V
68 W @ T
C
= 25 °C
-65 ° C至+150°C
-65℃ + 200 ℃，
1.8 ° C / W
IM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
M IN IM ü M
英寸/ M M
M A X IM ü米
英寸/ M M
.030 / 0.76
.115 / 2.92
.360 / 9.14
.065 / 1.65
.130 / 3.30
.380 / 9.65
.735 / 18.67
.645 / 16.38
.895 / 22.73
.420 / 10.67
.003 / 0.08
.120 / 3.05
.159 / 4.04
.395 / 10.03
.390 / 9.91
.765 / 19.43
.655 / 16.64
.905 / 22.99
.430 / 10.92
.007 / 0.18
.130 / 3.30
.175 / 4.45
.280 / 7.11
.405 / 10.29
.075 / 1.91
.125 / 3.18
常见的来源
特征
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
P
G
η
D
ψ
I
D
= 10毫安
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 28 V
V
DS
= 28 V
无
T
C
= 25 °C
测试条件
V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
I
D
= 10毫安
I
D
= 1.5 A
V
GS
= 0 V
I
DQ
= 25毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 30 W
F = 150 MHz的
最低
65
典型的最大
2.0
1.0
单位
V
mA
A
V
S
pF
dB
%
2.0
1.2
1.9
125
75
7.0
13
50
16
60
4.5
V
SWR
= 30:1
在所有相位角
在输出功率不降低
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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