BLF2425M7L140;
BLF2425M7LS140
功率LDMOS晶体管
第3版 - 2012年9月6日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
用于工业，科学和医疗（ ISM）在应用140瓦特LDMOS功率晶体管
频率为2400兆赫到2500兆赫。
该BLF2425M7L140和BLF2425M7LS140是专为高功率CW
的应用程序和被组装在高性能的陶瓷封装，在可用
耳及无耳版本
表1中。
典型性能
典型的射频性能在T
例
= 25
℃;我
Dq
= 1300毫安在一个共同的来源AB类产品
测试电路。
测试信号
CW
f
（兆赫）
2450
V
DS
(V)
28
P
L（ AV）在
(W)
140
G
p
（ dB）的
18.5
D
(%)
52
1.2特点和优点
高效率
高功率增益
出色的耐用性
优良的热稳定性
集成ESD保护
专为宽带运营（ 2400 MHz至2500 MHz的）
内部匹配
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
1.3应用
在频率范围从2400 MHz到工业，科学及医疗应用
2500兆赫
恩智浦半导体
BLF2425M7L(S)140
功率LDMOS晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
漏
门
来源
[1]
简化的轮廓
图形符号
BLF2425M7L140 （ SOT502A ）
1
3
2
2
3
sym112
1
BLF2425M7LS140 （ SOT502B ）
1
2
3
漏
门
来源
[1]
1
3
2
2
1
3
sym112
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名称说明
BLF2425M7L140
BLF2425M7LS140
-
-
FL anged陶瓷封装; 2安装孔; 2引线
无耳FL anged陶瓷封装; 2引线
VERSION
SOT502A
SOT502B
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
储存温度
结温
条件
民
-
0.5
65
-
最大
65
+13
-
225
单位
V
V
C
C
5.热特性
表5 。
符号
R
日（J -C ）
热特性
参数
从结热阻到外壳
条件
T
例
= 80
C;
P
L
= 125 W
典型值
0.28
单位
K / W
BLF2425M7L140 ; BLF2425M7LS140
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6.特性
表6 。
DC特性
T
j
= 25
C除非另有规定ED 。
符号参数
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
V
GS （ TH）
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
漏源导通电阻
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 2.16毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 216毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10.8 A
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 7.56 A
最小值典型值
65
1.5
-
-
-
-
-
-
1.9
-
41
-
16
69
最大单位
-
2.3
5
-
500
-
-
V
V
A
A
nA
S
m
表7中。
射频特性
测试信号： CW ; F = 2450 MHz的; V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 1300毫安;牛逼
例
= 25
C除非另有说明
在AB类生产测试电路。
符号参数
G
p
RL
in
D
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
条件
P
L
= 140 W
P
L
= 140 W
P
L
= 140 W
最小值典型值
16
-
46
18.5
16
52
最大单位
-
8
-
dB
dB
%
7.测试信息
7.1耐用的AB类操作
该BLF2425M7L140和BLF2425M7LS140能够承受的负载的
在以下通过所有阶段1 ：对应的VSWR = 10不匹配
条件： V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 1300毫安; P
L
= 140 W（ CW） ; F = 2450兆赫。
BLF2425M7L140 ; BLF2425M7LS140
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7.2阻抗信息
表8 。
典型阻抗
测量负载牵引数据。典型的值，除非另有说明。我
Dq
= 1300毫安; V
DS
= 28 V.
Z
S
和Z
L
德网络中定义
图1 。
f
（兆赫）
2400
2450
2500
Z
S
()
3.7
5.4j
6.9
5.0j
8.7
2.0j
Z
L
()
1.3
1.5j
1.5
1.6j
1.5
1.6j
漏
Z
L
门
Z
S
001aaf059
图1 。
晶体管阻抗德网络nition
7.3电路信息
&
&
&
&
5
&
&
&
&
DDD
印刷电路板（PCB ） ：罗杰斯4350B ;
r
= 3.5 ;厚度= 0.508毫米;
厚度镀铜= 35
m.
SEE
表9
为组件的列表。
图2 。
应用电路元件布局
BLF2425M7L140 ; BLF2425M7LS140
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表9 。
组件列表
测试电路见
图2中。
部件
C1, C4, C5
C2, C6
C3
C7
C8
R1
描述
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
多层瓷介片状电容器
电解电容
电阻器
价值
15 pF的
10
F,
50 V
100 nF的
62 pF的
22
F,
63 V
10
SMD 0805 ; BOURNS
备注
ATC100B
村田
村田
ATC100B
7.4图形数据
DDD
*
S
'
*
S
DDD
'
3
/
3
/
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 1300毫安。
(1) G
p
在f = 2400 MHz的
(2) G
p
在f = 2450 MHz的
(3) G
p
在f = 2500 MHz的
(4)
D
在f = 2400 MHz的
(5)
D
在f = 2450 MHz的
(6)
D
在f = 2500 MHz的
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 1300毫安。
(1) G
p
在f = 2400 MHz的
(2) G
p
在f = 2450 MHz的
(3) G
p
在f = 2500 MHz的
(4)
D
在f = 2400 MHz的
(5)
D
在f = 2450 MHz的
(6)
D
在f = 2500 MHz的
图3 。
功率增益和漏极效率的功能
负载功率;典型值
图4 。
功率增益和漏极效率的功能
负载功率;典型值
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