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分立半导体

数据表

M3D792

BLF2022-125

UHF功率LDMOS晶体管

客观的特定网络阳离子

取代2002年4月02日的数据

2003 3月7日

飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

UHF功率LDMOS晶体管

特点

典型的W-CDMA的性能的电源电压

28 V和I

1 A的

- 输出功率= 20 W（ AV）

- 增益= 12分贝

- 效率= 19 ％

- ACPR =

dBc的在3.84兆赫

简单的电源控制

出色的耐用性

高功率增益

优良的热稳定性

专为宽带运营（ 2200至00年兆赫）

内部匹配的易用性。

应用

射频功率放大器用于W- CDMA基站和

到2200 MHz的多载波应用在2000年

频带

描述

125为基站W LDMOS功率晶体管

应用频率2000年至2200年兆赫。

顶视图

BLF2022-125

钉扎 - SOT634A

针

漏

门

源，连接到FL法兰

描述

MBL367

Fig.1简化外形。

快速参考数据

射频性能在T

= 25

°C

在一个共同的源测试电路;单载波W- CDMA测试模式1 ， 64个信道，

3.84 MHz的信道带宽;峰值/平均= 9.8分贝在CCDF上0.01 ％的概率。

操作模式

单载波W-CDMA的

（兆赫）

2110年至2170年

(V)

L平均

(W)

（ dB）的

典型值12

(%)

典型值19

（ DBC）

典型值

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

储存温度

结温

小心

此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏

和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。

2003 3月7日

分钟。

±15

待定

+150

200

马克斯。

°C

单位

飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

UHF功率LDMOS晶体管

热特性

符号

第j个-C

记

1.热敏电阻在特定射频操作条件来确定。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） DSS

gsth

DSS

GSS

DSON

RSS

参数

漏源击穿电压

门源阈值电压

漏极 - 源极漏电流

栅极漏电流

正向跨导

漏源导通电阻

反馈电容

条件

= 0; I

= 2.5毫安

= 10 V ;我

= 240毫安

= 0; V

= 26 V

±15

V; V

= 0

= 10 V ;我

= 16 A

= V

gsth

+ 9 V ;我

= 8 A

= 0; V

= 26 V ; F = 1 MHz的

分钟。

4.5

参数

从结热阻到外壳

注1

条件

BLF2022-125

价值

0.55

单位

K / W

典型值。

9.5

0.07

待定

马克斯。

5.5

单位

2003 3月7日

飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

UHF功率LDMOS晶体管

BLF2022-125

应用信息

射频性能在T

= 25

°C

在一个共同的源测试电路;单载波W- CDMA测试模式1 ， 64通道，

68 ％的剪裁， 3.84 MHz的信道带宽;峰值/平均= 8.5分贝CCDF上0.01 ％的概率。

符号

参数

共源功率增益

条件

= 28 V ; P

OUT

= 20瓦（AV），单

载波W-CDMA方式;我

=千毫安;

F = 2.11至2.17 GHz的

= 28 V ; P

OUT

= 20瓦（AV），单

载波W-CDMA方式;我

=千毫安;

F = 2.11至2.17 GHz的

= 28 V ; P

OUT

= 20瓦（AV），单

载波W-CDMA方式;我

=千毫安;

F = 2.11至2.17 GHz的

= 28 V ; P

OUT

= 20瓦（AV），单

载波W-CDMA方式;我

=千毫安;

F = 2.11至2.17 GHz的

= 28 V ; P

OUT

= 20 W（ AV）单

载波W-CDMA中，电压驻波比= 5： 1至

所有阶段

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

漏EF网络效率

ACPR

相邻通道功率比

dBc的

输入回波损耗

输出不匹配

在RF没有退化

之前和之后的性能

TEST

射频性能在T

= 25

°C

在一个共同的源测试电路;双载波W - CDMA信号，3GPP测试模式1 64

渠道，有68 ％的剪裁， 3.84 MHz的信道带宽;峰值/平均= 8.5分贝0.01 ％的概率在每CCDF

信道频率范围为2.11 GHz至2.17 GHz的;载波间隔为10MHz 。

符号

ACPR

参数

共源功率增益

漏EF网络效率

相邻通道功率比

条件

= 28 V ; P

OUT

= 20 W（ AV ） ;

=千毫安

= 28 V ; P

OUT

= 20 W（ AV ） ;

=千毫安

= 28 V ; P

OUT

= 20 W（ AV ） ;

=千毫安; ACPR的测量是在

兆赫和f

= 5兆赫

= 28 V ; P

OUT

= 20 W（ AV ） ;

=千毫安; ACPR的测量是在

兆赫和f

= 10 MHz的

= 28 V ; P

OUT

= 20 W（ AV ） ;

=千毫安

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

dBc的

三阶互调

失真

输入回波损耗

2003 3月7日

飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

UHF功率LDMOS晶体管

包装外形

FL anged陶瓷封装; 2安装孔; 2引线

BLF2022-125

SOT634A

下包

发展

飞利浦半导体公司保留

有权进行修改，恕不另行通知。

规模

10 mm

尺寸（毫米尺寸从原始英寸的尺寸得到）

单位

英寸

4.83

3.68

0.190

0.145

12.82

12.57

0.505

0.495

0.15

0.08

0.006

0.003

22.58

22.12

0.889

0.871

22.56

22.15

0.888

0.872

1.14

0.89

0.045

0.035

5.33

4.32

0.210

0.170

3.38

3.12

0.133

0.123

1.70

1.45

0.067

0.057

27.94

1.100

34.16

33.91

1.345

1.335

13.84

13.59

0.545

0.535

0.25

0.010

0.51

0.020

13.34 13.34

13.08 13.08

0.525 0.525

0.515 0.515

概要

VERSION

SOT634A

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

01-11-27

2003 3月7日