BLF184XR ; BLF184XRS
功率LDMOS晶体管
版本1 - 2013年5月6日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
广播和工业650 W极其坚固的LDMOS功率晶体管
应用高频600 MHz频段。
表1中。
应用信息
f
（兆赫）
脉冲射频
108
V
DS
(V)
50
P
L
(W)
650
G
p
（ dB）的
23.5
D
(%)
72
测试信号
1.2特点和优点
简单的电源控制
集成ESD保护
出色的耐用性
高效率
优良的热稳定性
专为宽带运营（ HF至600兆赫）
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
1.3应用
工业，科学和医疗应用
广播发射机应用
恩智浦半导体
BLF184XR ; BLF184XRS
功率LDMOS晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
钉扎
描述
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
简化的轮廓
图形符号
BLF184XR （ SOT1214A ）
1
3
5
4
2
sym117
BLF184XRS （ SOT1214B ）
1
2
3
4
5
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
1
3
5
4
2
sym117
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BLF184XR
BLF184XRS
-
-
描述
FL anged LDMOST陶瓷封装; 2安装孔;
4引线
无耳法兰LDMOST陶瓷封装; 4引线
VERSION
SOT1214A
SOT1214B
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
储存温度
结温
条件
民
-
6
65
-
最大
135
+11
+150
200
单位
V
V
C
C
BLF184XR_BLF184XRS
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7.测试信息
7.1耐用的AB类操作
该BLF184XR和BLF184XRS能够承受的负荷不匹配
对应于驻波> 65： 1通过下述条件下的所有阶段：
V
DS
= 50 V ;我
Dq
= 100毫安; P
L
= 650 W脉冲; F = 108兆赫。
7.2阻抗信息
排水1
门1
Z
i
门2
排水2
001aan207
Z
L
图1 。
晶体管阻抗德网络nition
表9 。
典型的推挽阻抗
模拟
i
和Z
L
器件的阻抗;在V阻抗信息
DS
= 50 V和P
L
= 650 W.
f
（兆赫）
<tbd>
Z
i
()
<tbd>
Z
L
()
<tbd>
BLF184XR_BLF184XRS
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8封装外形
） ODQJHG FHUDPLF SDFNDJH ？ ？ PRXQWLQJ KROHV ？ ？ OHDGV
'
627$
$
)
'
8
T
+
%
＆放大器;
Z
＆放大器;
F
+
8
S
(
(
$
Z
Z
$
%
4
E
H
“ LPHQVLRQV
8QLW
PP
$
E
F
'
'
H
(
(
)
VFDOH
PP
+
+
S
4
T
8
8
Z
Z
Z
PD [ ????
QRP
PLQ ????
PD [ ????? ????? ????? ????? ?????
LQFKHV QRP
PLQ ????? ????? ????? ????? ?????
1RWH
?? PLOOLPHWHU GLPHQVLRQV DUH GHULYHG IURP WKH RULJLQDO LQFK GLPHQVLRQV ？
?? GLPHQVLRQ LV PHDVXUHG ????? LQFK ????? PP
IURP ERG \\ ？
2XWOLQH
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图2 。
封装外形SOT1214A
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