BLF178XR ; BLF178XRS
功率LDMOS晶体管
第4版 - 2013年7月12日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
广播和工业一个1400瓦极其坚固的LDMOS功率晶体管
应用程序在HF 128 MHz频段。
表1中。
应用信息
f
（兆赫）
CW
脉冲射频
108
108
V
DS
(V)
50
50
P
L
(W)
1200
1400
G
p
（ dB）的
23
28
D
(%)
80
72
测试信号
1.2特点和优点
典型的脉冲表现为108兆赫， 50伏和一个电源电压频率
I
Dq
40毫安，一吨
p
100
s
同
： 20％
输出功率= 1400瓦
功率增益= 28分贝
效率= 72 ％
简单的电源控制
集成ESD保护
出色的耐用性
高效率
优良的热稳定性
专为宽带运营（ HF至128兆赫）
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
1.3应用
工业，科学和医疗应用
广播发射机应用
恩智浦半导体
BLF178XR ; BLF178XRS
功率LDMOS晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
钉扎
描述
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
简化的轮廓
图形符号
BLF178XR （ SOT539A ）
1
2
5
3
3
4
4
5
1
2
sym117
BLF178XRS （ SOT539B ）
1
2
3
4
5
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
1
2
5
1
3
4
3
5
4
2
sym117
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BLF178XR
BLF178XRS
-
-
描述
FL anged平衡LDMOST陶瓷封装;
2安装孔; 4引线
无耳法兰平衡LDMOST陶瓷封装;
4引线
VERSION
SOT539A
SOT539B
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
储存温度
结温
条件
民
-
6
65
-
最大
110
+11
+150
200
单位
V
V
C
C
BLF178XR_BLF178XRS
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2013年保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2013年7月12日
2 14
恩智浦半导体
BLF178XR ; BLF178XRS
功率LDMOS晶体管
6.特性
表6 。
DC特性
T
j
= 25
℃;每节除非另有规定ED 。
符号参数
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
V
GSQ
I
DSS
I
DSX
I
GSS
R
DS （ ON）
门源阈值电压
栅源电压静态
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 5.5毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 550毫安
V
DS
= 50 V ;我
D
= 20毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 19.25 A
民
110
1.25
0.8
-
-
-
-
典型值
-
1.7
1.3
-
77
-
0.07
最大
-
2.25
1.8
2.8
-
280
-
单位
V
V
V
A
A
nA
表7中。
AC特性
T
j
= 25
℃;每节除非另有规定ED 。
符号参数
C
rs
C
国际空间站
C
OSS
反馈电容
输入电容
输出电容
条件
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
最小典型最大单位
-
-
-
5.5
-
pF
pF
pF
414 -
184 -
表8 。
射频特性
测试信号：脉冲射频;吨
p
= 100
s;
= 20％ ; F = 108 MHz的;射频性能在V
DS
= 50 V;
I
Dq
= 40毫安;牛逼
例
= 25
℃;除非另有规定ED ;在AB类生产测试电路。
符号
G
p
RL
in
D
参数
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
条件
P
L
= 1400 W
P
L
= 1400 W
P
L
= 1400 W
民
27
-
68
典型值
28
15
72
最大
-
11
-
单位
dB
dB
%
BLF178XR_BLF178XRS
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2013年保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2013年7月12日
4 14
恩智浦半导体
BLF178XR ; BLF178XRS
功率LDMOS晶体管
V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫。
图2 。
输出电容为漏极 - 源极电压的函数;每个典型值
部分
7.测试信息
7.1耐用的AB类操作
该BLF178XR和BLF178XRS能够承受的负荷不匹配
对应于驻波> 65： 1通过下述条件下的所有阶段：
V
DS
= 50 V ;我
Dq
= 40毫安; P
L
= 1400瓦脉冲; F = 108兆赫。
7.2阻抗信息
排水1
门1
Z
i
门2
排水2
001aan207
Z
L
图3 。
晶体管阻抗德网络nition
表9 。
典型的推挽阻抗
模拟
i
和Z
L
器件的阻抗;在V阻抗信息
DS
= 50 V和P
L
= 1400 W.
f
（兆赫）
108
Z
i
()
2.35
j6.06
Z
L
()
2.78 + j0.48
BLF178XR_BLF178XRS
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2013年保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2013年7月12日
5 14
QQ：2881677436 复制
