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深圳市思半导体有限公司。
产品speci fi cation
BLD系列晶体管
特点
应用：
高电压能力
日光灯
高速开关
电子镇流器
BLD128DFP
范围的SOA
电子变压器
开关模式电源
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
Tc=25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
价值
700
400
9
5.0
75
150
-65-150
TO-220FP
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
TO-220FP
电子特性
特征
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极电压
发射极基极电压连续
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
Tc=25°C
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
首席执行官
V
EBO
VCEsat晶体管
VBEsat
h
FE
测试条件
V
CB
=700V
V
CE
=400V,I
B
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
I
C
=1.0A,I
B
=0.2A
I
C
=4.0A,I
B
=1.0A
I
C
=1.0A,I
B
=0.2A
V
CE
=5V,I
C
=10mA
V
CE
=5V,I
C
=1.0A
V
CE
=5V,I
C
=4.0A
V
CC
=5V,
I
C
=0.5A
(UI9600)
I
C
=2.0A
7
10
5
1.5
4.0
0.8
2.5
s
V
40
400
9
0.5
1.5
1.5
民
最大
100
250
单位
A
A
V
V
V
V
贮存时间
下降时间
二极管的正向电压
t
S
t
f
Vf
硅半导体
2005.12
1
深圳市思半导体有限公司。
产品speci fi cation
BLD系列晶体管
SOA （DC）的
120
100
BLD128DFP
%
IC （ A）
10
1
0.1
0.01
0.001
1
100
的hFE
Pc
Tj
80
I
S / B
60
40
20
0
P合计
10
h
FE
- 集成电路
100的Vce （ v）的
1000
100
0
50
100
150
TJ （
)
200
的hFE
h
FE
- 集成电路
Tj=125
Tj=25
Tj=125
Tj=25
10
TJ ？
40
10
TJ ？
40
Vce=1.5V
Vce=5V
1
0.01
IC （ A）
0.1
1
10
1
0.01
IC （ A）
0.1
1
10
10
VCES （ V）
h
FE
=5
VCES - IC
10
Vbes （ v）的
h
FE
=5
Vbes - IC
1
1
Tj=125
TJ ？
40
Tj=25
Tj=125
TJ ？
40
Tj=25
0.1
0.01
0.01
0.1
1
IC （ A）
10
0.1
0.01
IC （ A）
0.1
1
10
硅半导体
2005.12
2
深圳市思半导体有限公司。
产品speci fi cation
TO- 220FP机械数据
单位
符号
A
A
1
b
b
1
c
D
D1
E
民
4.2
2.3
0.45
1.1
0.35
14.5
6.1
9.6
喃
最大
4.7
2.9
0.9
1.7
0.9
17.0
9.0
10.3
符号
E
1
e
L
L
1
L
2
L
3
p
Q
12.5
9.45
15
3.2
3.0
2.5
民
喃
7.0
2.54
14.3
10.05
16
4.4
3.3
2.9
最大
mm
硅半导体
2005.12
3
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B20J25KE
BQ24005PWPR
B78108-T3221-K
供货商
型号
厂家
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封装
单价/备注
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    BLD128DFP
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