BLC6G22-75 ; BLC6G22LS -75
功率LDMOS晶体管
牧师01 - 2008年2月7日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
对于基站应用的频率从75瓦LDMOS功率晶体管
2000 MHz至2200 MHz的。
表1中。
典型性能
射频性能在T
例
= 25
°
下在一个共同的来源AB类生产测试电路。
操作模式
2载波W-CDMA中
[1]
f
（兆赫）
2110年至2170年
V
DS
(V)
28
P
L（ AV）在
(W)
17
G
p
（ dB）的
18.5
η
D
(%)
31
IMD3
（ DBC）
37
[1]
ACPR
（ DBC）
41
[1]
测试信号： 3GPP ;测试模型1 ; 64 DPCH ; PAR = 7分贝的每个载波的CCDF 0.01 ％的概率;支架
间隔10兆赫。
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2产品特点
I
典型的2载波W-CDMA的性能在2110 MHz和2170 MHz的频率一
28 V和I电源电压
Dq
690毫安
N
平均输出功率= 17 W
N
增益= 18.5分贝
N
EF网络效率= 31 ％
N
IMD3 =
37
dBc的
N
ACPR -
41
dBc的
I
简单的电源控制
I
集成ESD保护
I
出色的耐用性
I
高英法fi效率
I
优良的热稳定性
I
专为宽带运营（ 2000 MHz至2200 MHz的）
I
内部匹配的易用性
I
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
恩智浦半导体
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1.3应用
I
RF电源放大器器的W- CDMA基站和多载波应用中
2000兆赫至2200兆赫的频率范围内
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
漏
门
来源
[1]
简化的轮廓
符号
BLC6G22-75 （ SOT895A ）
1
3
2
2
3
sym112
1
BLC6G22LS -75 （ SOT896B ）
1
2
3
漏
门
来源
[1]
1
3
2
2
1
3
sym112
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BLC6G22-75
BLC6G22LS-75
-
-
描述
塑料FL anged腔封装; 2安装槽; 2引线
塑料无耳FL anged腔封装; 2引线
VERSION
SOT895A
SOT896B
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
储存温度
结温
条件
民
-
0.5
-
65
-
最大
65
+13
18
+150
225
单位
V
V
A
°C
°C
BLC6G22-75_BLC6G22LS-75_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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5.热特性
表5 。
符号
R
号（j -情况下）
热特性
参数
从热阻
结到外壳
条件
T
例
= 80
°C;
P
L
= 17 W
TYPE
BLC6G22-75
BLC6G22LS-75
典型值
0.9
0.75
单位
K / W
K / W
6.特性
表6 。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
V
GSQ
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
C
rs
门源阈值电压
栅源电压静态
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
漏极 - 源极导通状态
阻力
反馈电容
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
- 0.5毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 100毫安
V
DS
= 28 V ;我
D
= 690毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 5 A
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 3.5 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V;
F = 1 MHz的
民
65
1.40
1.60
-
14.9
-
-
-
-
典型值
-
2
2.2
-
18.5
-
7.2
0.15
1.4
最大
-
2.40
2.60
3
-
280
-
-
-
单位
V
V
V
A
A
nA
S
pF
7.应用信息
表7中。
应用信息
操作模式： 2载波W-CDMA方式; PAR 7分贝在CCDF上0.01 ％的概率; 3GPP测试
模式1 ; 1-64 PDPCH ; F
1
= 2112.5兆赫; F
2
= 2122.5兆赫; F
3
= 2157.5兆赫; F
4
= 2167.5兆赫;
射频性能在V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 690毫安;牛逼
例
= 25
°
℃;除非另有规定ED ;在一个
AB类生产测试电路。
符号参数
P
L（ AV）在
G
p
IRL
η
D
IMD3
ACPR
平均输出功率
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
相邻通道功率比
P
L（ AV）在
= 17 W
P
L（ AV）在
= 17 W
P
L（ AV）在
= 17 W
P
L（ AV）在
= 17 W
条件
民
-
17.3
-
28
-
-
典型值
17
18.5
9.2
31
37
41
最大
-
-
6.5
-
34
38.5
单位
W
dB
dB
%
dBc的
dBc的
三阶互调失真P
L（ AV）在
= 17 W
7.1耐用的AB类操作
该BLC6G22-75和BLC6G22LS -75能够承受的负荷不匹配
通过在下列条件下的所有阶段1：对应于驻波比= 10 ：
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 690毫安; P
L
= 75瓦（CW） ; F = 2170兆赫。
BLC6G22-75_BLC6G22LS-75_1
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7.2一个音CW
20
G
p
（ dB）的
19
001aah688
G
p
60
η
D
(%)
50
18
η
D
40
17
30
16
20
15
10
14
0
20
40
60
80
0
100
P
L
(W)
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 690毫安; F = 2140兆赫。
图1.一个音CW功率增益和漏EF网络效率的负载功率的功能;
典型值
7.3双音CW
20
G
p
（ dB）的
001aah689
60
η
D
(%)
50
20
IMD
（ DBC）
30
001aah690
IMD3
19
G
p
40
IMD5
30
η
D
40
18
20
50
10
IMD7
17
0
40
80
120
0
160
200
P
L（ PEP）的
(W)
60
0
30
60
90
120
150
180
P
L（ PEP）的
(W)
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 690毫安; F = 2140兆赫（ ±100千赫） 。
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 690毫安; F = 2140兆赫（ ±100千赫） 。
图2.双色CW功率增益和漏EF网络效率
由于峰值包络功率负载的功能;
典型值
图3.双色CW互调失真为
峰值包络功率负载的功能;典型
值
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7.4 2载波W-CDMA中
21
G
p
（ dB）的
20
001aah691
50
η
D
(%)
40
η
D
25
IMD3,
ACPR
（ DBC）
30
001aah692
IMD3
ACPR
35
19
G
p
18
20
45
17
10
30
40
50
16
0
10
20
0
30
40
P
L（ AV）在
(W)
55
0
10
20
30
40
P
L（ AV）在
(W)
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 950毫安; F = 2140兆赫（±5兆赫） ;
载波间隔10兆赫。
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 690毫安; F = 2140兆赫（±5兆赫） ;
载波间隔10兆赫。
图4 2载波W-CDMA的功率增益和漏极
英法fi效率为平均负载功率的功能;
典型值
图5. 2载波W-CDMA中的相邻信道功率比
和三阶互调失真
平均负载功率的功能;典型值
8.测试信息
R1
V
GG
C22
C5
C6
C7
C8
C9
C4
R2
V
DD
C23
C14
C10 C11 C12 C13
C1
C21
输入
C2
C3
C20
产量
C15
C16 C17 C18
C19
001aah693
该图不是按比例的。
对工作在800 MHz的图6.测试电路
BLC6G22-75_BLC6G22LS-75_1
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