飞利浦半导体
产品speci fi cation
航空电子LDMOS晶体管
特点
高功率增益
简单的电源控制
出色的耐用性
源上安装底座消除了直流隔离，
减少共模电感。
应用
在航空电子发射器的应用
1030至1090年兆赫的频率范围。
描述
硅N沟道增强模式横向D- MOS
晶体管封装在一个2引线SOT502A凸缘
封装用陶瓷帽。共源极是
连接到安装法兰上。
顶视图
手册， halfpage
BLA1011-200
钉扎 - SOT502A
针
1
2
3
漏
门
源，连接到FL法兰
描述
1
2
3
MBK394
Fig.1简化外形SOT502A 。
快速参考数据
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共同的源测试电路。
操作模式
脉冲AB类;
t
p
= 50
s; δ
= 2 %
f
（兆赫）
1030至1090年
V
DS
(V)
36
P
L
(W)
200
G
p
（ dB）的
>13
η
D
(%)
>45
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
结温
T
h
≤
25
°C;
t
p
= 50
s; δ
= 2 %
条件
65
分钟。
马克斯。
75
±22
700
+150
200
V
V
W
°C
°C
单位
2001年5月15日
2
BLA1011-200 ; BLA1011S -200
航空电子LDMOS晶体管
牧师08 - 2005年10月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
200瓦的LDMOS变送器应用在从频率的航空电子设备的功率晶体管
1030 MHz至1090 MHz的。
表1：
典型性能
射频性能在T
h
= 25
°
下在一个共同的源AB类测试电路;我
Dq
= 150毫安;典型
值。
操作模式
脉冲AB类：
1030 MHz至1090 MHz的
条件
t
p
= 50
s; δ
= 2 %
t
p
= 128
s; δ
= 2 %
t
p
= 340
s; δ
= 1 %
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
V
DS
(V)
36
36
36
P
L
(W)
200
250
250
G
p
（ dB）的
15
14
14
η
D
(%)
50
50
50
t
r
（纳秒）
35
35
35
t
f
（纳秒）
6
6
6
1.2产品特点
s
典型的脉冲AB类性能于一频率从1030兆赫至1090兆赫，一
36 V和I电源电压
Dq
：150毫安
x
负载功率
≥
200 W
x
收益
≥
13分贝
x
EF网络效率
≥
45 %
x
上升时间
≤
50纳秒
x
下降时间
≤
50纳秒
s
高功率增益
s
简单的电源控制
s
出色的耐用性
s
源上安装FL法兰消除了直流隔离，减少共模
电感
1.3应用
s
航空电子发射器的应用在1030 MHz至1090 MHz的频率范围内。
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BLA1011-200 ; BLA1011S -200
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2.管脚信息
表2：
针
1
2
3
钉扎
描述
漏
门
来源
[1]
简化的轮廓
符号
BLA1011-200 （ SOT502A ）
1
3
2
2
3
sym039
1
BLA1011S -200 （ SOT502B ）
1
2
3
漏
门
来源
[1]
1
3
2
2
1
3
sym039
[1]
连接法兰FL
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
BLA1011-200
BLA1011S-200
-
-
描述
FL anged LDMOST陶瓷封装; 2安装孔;
2引线
无耳FL anged LDMOST陶瓷封装; 2引线
VERSION
SOT502A
SOT502B
类型编号
4.极限值
表4：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
结温
T
h
≤
25
°C;
t
p
= 50
s; δ
= 2 %
条件
民
-
-
-
65
-
最大
75
±22
700
+150
200
单位
V
V
W
°C
°C
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BLA1011-200 ; BLA1011S -200
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5.热特性
表5：
符号
Z
号（j -h）中
[1]
热特性
参数
条件
[1]
典型值
0.15
单位
K / W
从结到散热器牛逼的热阻抗
h
= 25
°C
热电阻是根据RF操作条件确定;吨
p
= 50
s, δ
= 10 %.
6.特性
表6：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号参数
V
GS （ TH）
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
传导率
条件
V
DS
= 10 V ;我
D
= 300毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 36 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 9 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10 A
民
75
4
-
45
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
9
60
最大单位
-
5
1
-
1
-
-
V
V
A
A
A
S
m
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0 V ;我
D
= 3毫安
漏源导通电阻V
GS
= 9 V ;我
D
= 10 A
7.应用信息
表7：
应用信息
在一个共同的源脉冲AB类电路的RF性能; （T
p
= 50
s;
δ
= 2％） ; F = 1030 MHz的
和1090兆赫;牛逼
h
= 25
°
℃;
第（ mb个-h）中
= 0.15 K / W ;我
Dq
= 150毫安;除非另有规定ED 。
符号
V
DS
P
L
G
p
η
D
t
r
t
f
参数
漏源电压
负载功率
功率增益
漏EF网络效率
上升时间
下降时间
t
p
= 50
s; δ
= 2 %
P
L
= 200 W
t
p
= 50
s; δ
= 2 %
条件
民
-
-
13
45
-
-
典型值
36
200
-
-
-
-
50
50
最大
-
单位
V
W
dB
%
ns
ns
7.1耐用的AB类操作
该BLA1011-200和BLA1011S -200能够承受的负荷不匹配
通过在下列条件下的所有阶段1：对应于驻波比= 5：
V
DS
= 36 V ; F = 1030 MHz至1090 MHz的频率，额定负载功率。
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20
G
p
（ dB）的
15
mgw033
80
η
D
(%)
60
250
P
L
(W)
200
mgw034
G
p
150
10
η
D
40
100
5
20
50
0
0
50
100
150
0
200
250
P
L
(W)
0
0
2
4
6
P
D
(W)
8
V
DS
= 36 V ;我
Dq
= 150毫安; F = 1060 MHz的;吨
p
= 50
s;
δ
=2%
V
DS
= 36 V ;我
Dq
= 150毫安; F = 1060 MHz的;吨
p
= 50
s;
δ
=2%
图1.功率增益和漏EF网络效率的功能
负载功率;典型值
mgw035
图2.负载功率驱动电源的功能;
典型值
250
P
L
(W)
200
mgw036
20
G
p
（ dB）的
16
150毫安
I
Dq
= 1.5 A
20
G
p
（ dB）的
16
G
p
12
150
12
8
100
P
L
8
4
50
4
0
0
50
100
150
200
250
P
L
(W)
0
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
5
0
V
DS
= 36 V ; F = 1060 MHz的;吨
p
= 50
s; δ
= 2 %
V
DS
= 36 V ;我
Dq
= 150毫安; P
i
= 5.5瓦; F = 1060 MHz的;
t
p
= 50
s; δ
= 2 %
图3.功率增益为负载功率的函数;典型
值
图4.负载功率和功率增益的功能
栅极 - 源极电压;典型值
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20
G
p
（ dB）的
15
mgw037
80
η
D
(%)
60
5
Z
i
(W)
4
r
i
x
i
mgw038
G
p
η
D
10
40
3
2
5
20
1
0
1020
1040
1060
1080
0
1100
F（兆赫）
0
1020
1040
1060
1080
1100
F（兆赫）
V
DS
= 36 V ;我
Dq
= 150毫安; P
L
= 200瓦;牛逼
p
= 50
s;
δ
=2%
V
DS
= 36 V ;我
Dq
= 150毫安; P
L
= 200瓦;牛逼
p
= 50
s;
δ
=2%
图5.功率增益和漏极EF网络效率一个功能
频率;典型值
图6输入阻抗作为频率的函数的
（系列组件） ;典型值
mgw039
4
Z
L
(W)
2
R
L
0
X
L
2
4
1020
1040
1060
1080
1100
F（兆赫）
V
DS
= 36 V ;我
Dq
= 150毫安; P
L
= 200瓦;牛逼
p
= 50
s; δ
= 2 %
图7.负载阻抗与频率的（系列组件）的功能;典型值
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