BL7442LV低电压
智能2K位EEPROM
描述
BL7442LV是式IC卡芯片（模块）制成
通过1.2um CMOS EERPOM过程。它有
256字节的EEPROM，带有加密逻辑和
功能。它可在低温下工作
voltage.BL7442LV有两种类型， A型和
B型。
图1
特点
256 ×8位EEPROM组织
按字节寻址
最低的32个地址不可逆字节方式写保护（字节0 ...... 31 ）
保护内存32位X1组织
两线连接协议
处理完表示，在数据输出
根据ISO标准7816-3 （B型）的回答一复位
EEPROM的编程时间每字节2.5毫秒为擦除和写入
100000写入/擦除周期最低
数据保存时间： >10年
根据ISO 7816标准的接触结构和串行接口（同步
变速器）
BL7442LV A型：数据只能读（包括应答到复位）和进入后的变化
正确的3字节可编程安全码
BL7442LV B型：数据只能在正确的3字节可编程入境后更改
安全码
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
参数
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
符号
V
dd
RST
CLK
北卡罗来纳州
GND
NC
I / O
NC
功能说明
电源电压
RESET信号
时钟输入
没有连接
地
没有连接
双向数据线（漏极开路）
没有连接
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8/16/2006
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智能2K位EEPROM
功能说明
框图
主
内存
保护
内存
255
EEPROM
256X8
32
31
0
地址
31
3
2
AREA FOR
永久
数据存储
安全存储器
REF数据
REF数据
REF数据
PSC
1
0
地址
数据
0
地址
数据
EC
数据
8
内存
主/保护
安全
5
2LSB
高压发生器
当前
发电机
解码器
COLUMN
采样
添加。数据
注册
,
比较
节目
控制
RESET
块的Logi
c
逻辑
SEQUENCER
和
安全
接口
VCC
GND
I / O RST CLK
图2
该BL7442LV由256 ×8位的EEPROM主存储器（图2）和一个32位的保护 -
存储器PROM的功能。主存储器擦除和按字节写入的字节。当擦除，所有
8位数据字节被设置为逻辑1 。写入时，在个别EEPROM单元中的信息是
于输入数据，逐位逻辑零（逻辑老和新数据之间和改变位
EEPROM）中。
正常情况下，数据的变化由一个擦除和写入过程。它取决于内容
在主存储器中的数据字节和字节的EEPROM中是否确实被擦除和/或写入新数据。
如果没有的8位寻址的字节需要一个零到1的转变擦除访问的是
抑制。反之，如果没有一对零转换是必要的写操作将被抑制。该
写入和擦除操作需要每个至少2.5毫秒。前32个字节可以被不可逆地保护
对通过写保护存储区中的相应位数据的变化。在这每一个数据字节
地址范围被分配到保护存储器中的一个位，并具有相同的地址的数据字节中
它被分配给主存储器。一旦写保护位不能被删除。
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另外，以上述功能的BL7442LV提供了一个安全代码逻辑，
控制写入/擦除访问存储器。为了这个目的，该BL7442LV包含一个4字节的
安全存储器以错误计数器EC （第0位到第2位）和3个字节的参考数据（图
2 ）。这些3个字节作为一个整体被称为可编程密码（ PSC ） 。上电后
整个存储器，除了基准数据， BL7442LV类型B只能被读取。写作与
擦除只能核实后的数据与内部一个比较成功的
参考数据。电源对整个内存后， BL7442LV A型，既不写，擦除和
读取。读，写和擦除只能经过验证的成功的比较
数据与内部参考的数据。经过连续三次不成功的比较错误
计数器模块的任何后续尝试，因此写和擦除任何可能性。
传输协议
的传输协议是接口设备IFD和之间的两线连接协议
该集成电路IC 。它是相同的协议类型的“S = 10”。在I / O的所有数据变化
通过在CLK的下降沿启动。
传输协议包括4种模式中：
（ 1 ）复位和应答到复位
（ 2 ）命令模式
（ 3 ）数据输出模式
（ 4 ）处理模式
（ 1 ）复位和应答到复位（ BL7442LV B型专用）
回答一复位按ISO标准7816-3.The复位可以在任何时间给予发生
在操作过程中。在开始时，地址计数器的id设定为同一个时钟脉冲与所述第一共同零
数据位（ LSB）输出到I / O时， RST从状态h置为状态L。在另外的一个连续输入
rd
31个时钟脉冲的第4的EEPROM地址的内容可以被读出。 33个时钟脉冲
交换机的I / O H态（图3） 。在回答对任何复位启动和停止条件被忽略。
VCC
RST
1
CLK
1
I / O
2
3
...
30
31
32
2
3
4
...
31
32
RST
td4
td4
tH
tL
CLK
td2
I / O
td5
图3复位和应答到复位
（ 2 ）命令模式
之后应答到复位芯片等待一个命令。每条命令从一开始条件，
包括3个字节长的命令后面附加的时钟脉冲和一个停止条件结束
（图4） 。
- 启动条件：下降沿上的I / O CLK的状态h时
--stop条件： CLK处于H态期间， I / O的上升沿
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命令
1
CLK
2
3
4
23
24
IFD设置的I / O状态L
I / O
开始
从IFD
CLK
td1
TBUF
I / O
tF
td7
停止
从IFD
tR
td5
td8
td3
tL
图4命令模式
一个指令的接收之后有两种可能的方式：
--Outgoing数据模式阅读
加工方式的写入和擦除
（ 3 ）数据输出模式
在这种模式下，IC将数据发送到接口设备。图5示出了时序图。的第一比特为
有效的对CLK的第一个下降沿后I / O。在最后一个数据位的附加时钟脉冲是必要的
为了设置I / O为H态和IC准备好一个新的命令输入。在这种模式下，任何起始和
停止条件被丢弃。
命令
CLK
1
2
3
4
n-1
n
IC设置的I / O状态h
I / O
1
开始传出数据
2
3
n-1
n
图5数据输出模式
（ 4 ）处理模式
在这种模式下，IC内部处理。图6示出了时序图。该IC具有时钟源
持续，直到I / O这是切换到状态L后， CLK的第一个下降沿被设置为高电平状态。任何
启动和停止条件ID在该模式下丢弃。
CLK
I / O
1
2
3
n-1
n
开始
处理
td2
td2
完
处理
图6处理模式
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COMMANDS
（1）指令格式
每个命令由三个字节：
MSB控制
最低位
MSB地址
最低位
MSB数据
最低位
B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
通过控制字节开始LSB首先被发送。
2字节
BYTE 3
字节1控制
地址
数据
B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0
A7~A0
D7~D0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
手术
模式
地址
地址
无影响
地址
无影响
地址
无影响
输入数据
无影响
输入数据
无影响
输入数据
0
0
1
1
0
0
1
1
地址
输入数据
主要阅读
内存
更新
主内存
读保护
内存
写Procection
内存
阅读安全
内存*
更新安全
内存*
比较
验证
数据*
传出数据
处理
传出数据
处理
传出数据
处理
处理
司令部（ 2 ）说明
阅读主内存
该命令读出主存储器中的内容（与LSB在前）出发，在给定的字节
地址（ N）至末尾记忆。命令输入后，IFD必须提供足够的
时钟脉冲。的时钟数为m = （256 -N） * 8 + 1，读访问的主存储器是
总是可能的。
读保护存储
该命令传输下的32个时钟脉冲，以将连续输入的保护位
输出。 I / O是通过一个附加脉冲切换到状态h 。保护内存总是可以
读取。
阅读安全存储
类似读命令用于保护存储器命令中读出4字节的
安全存储。时钟脉冲的数据输出模式期间的数目为学生还没有到齐/ O处于
通过一个附加脉冲切换到状态h 。如果没有的一个前述验证成功
PSC的参考字节被抑制的输出，这意味着I / O保持在状态L.
更新主内存
该命令程序的地址字节的EEPROM与传输的数据字节。根据
在旧的和新的数据，下面的序列中的一个会在加工过程中发生
模式：
- 擦除和写入
（ 5毫秒），对应于m = 255个时钟脉冲
- 写不擦除
（ 2.5毫秒），对应于m = 124个时钟脉冲
- 删除没有写
（ 2.5毫秒），对应于m = 124个时钟脉冲
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