【佰鸿电子股份有限公司。自1981年以来BL-R3132N●产品特点：1.芯片材料：砷化镓/间隙2.发】,IC型号BL-R3132N,BL-R3132N PDF资料,BL-R3132N经销商,ic,电子元器件-51电子网

佰鸿电子股份有限公司。

自1981年以来

BL-R3132N

●

产品特点：

1.芯片材料：砷化镓/间隙

2.发光颜色：黄色

3.镜头外观：黄色扩散

4.低功耗。

5，最适合喜欢使用电平指示器。

6.优良的发射光的均匀性。

7.寿命长的固态可靠性。

9.本品不含有限制

物质，符合ROHS标准。

●

包装尺寸

5.0(.197)

1.9(.075)

7.0(.276)

1.5(.059)

马克斯。

25.4 （ 1.0 ） MIN 。

阴极

8.兼容。

5.05(.198)

0.5(.02)

SQ 。 TYP 。

2.0(.079)

1.0 （ .039 ） MIN 。

2.54(.10)

喃。

●

应用范围：

1.电视机

2.监测

3.电话

4.计算机

5.电路板

注意事项：

1.所有尺寸为毫米（英寸）。

2.公差为±0.25mm （0.01 “），除非另有说明。

3.引线间距是衡量地方的线索从何而来

该程序包。

4.规格如有变更，恕不另行通知。

●

绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

参数

功耗

正向电流

正向峰值电流*

1

反向

电压

工作温度

储存温度

焊接温度

符号

Pd

I

F

I

FP

V

R

TOPR

TSTG

TSOL

等级

80

30

150

5

-40

℃

~80

℃

-40

℃

~85

℃

260

℃

（ 5秒）

单位

mW

mA

V

*

1

条件我

FP

是脉冲的1/10责任和0.1msec宽度。

1.0版本页： 1 2

1.1

佰鸿电子股份有限公司。

自1981年以来

BL-R3132N

●

电气和光学特性（Ta = 25℃）

参数

正向电压

发光强度

符号

V

F

Iv

I

R

λp

λd

λ

2θ

1/2

条件

I

F

=20mA

I

F

=20mA

V

R

=5V

I

F

=20mA

I

F

=20mA

I

F

=20mA

I

F

=20mA

分钟。

-

582

-

典型值。

2.1

7.0

-

585

-

35

125

马克斯。

2.6

-

100

-

595

-

单位

V

MCD

反向电流

峰值波长

主波长度

谱线半宽

视角

A

nm

度

●

典型的光电特性曲线

图1相对强度与波长

1.0

60

图2正向电流降额曲线

- 环境温度

50

相对辐射强度

正向电流（mA ）

40

0.5

30

20

10

0

535

585

635

0

20

40

60

80

100

波长

λ （纳米）

环境温度Ta （

℃

)

图3正向电流比。正向电压

50

3.0

图4相对发光强度

- 环境温度

40

相对发光强度

2.5

正向电流（mA ）

2.0

30

1.5

20

1.0

10

0.5

0

1

2

3

4

5

0

-40

-20

0

20

40

60

正向电压（ V）

环境温度Ta （

℃

)

图5相对发光强度

与正向电流

4.0

图6辐射方向图

0

10

20

30

相对发光强度（ @ 20mA）的

3.0

相对辐射强度

1.0

40

2.0

0.9

0.8

50

60

70

1.0

0.7

80

90

0

10

20

30

40

50

0.5

0.3

0.1

0.2

0.4

0.6

正向电流（mA ）

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自1981年以来

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佰鸿电子股份有限公司。

自1981年以来

BL-R3132N

●

产品特点：

1.芯片材料：砷化镓/间隙

2.发光颜色：黄色

3.镜头外观：黄色扩散

4.低功耗。

5，最适合喜欢使用电平指示器。

6.优良的发射光的均匀性。

7.寿命长的固态可靠性。

9.本品不含有限制

物质，符合ROHS标准。

●

包装尺寸

5.0(.197)

1.9(.075)

7.0(.276)

1.5(.059)

马克斯。

25.4 （ 1.0 ） MIN 。

阴极

8.兼容。

5.05(.198)

0.5(.02)

SQ 。 TYP 。

2.0(.079)

1.0 （ .039 ） MIN 。

2.54(.10)

喃。

●

应用范围：

1.电视机

2.监测

3.电话

4.计算机

5.电路板

注意事项：

1.所有尺寸为毫米（英寸）。

2.公差为±0.25mm （0.01 “），除非另有说明。

3.引线间距是衡量地方的线索从何而来

该程序包。

4.规格如有变更，恕不另行通知。

●

绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

参数

功耗

正向电流

正向峰值电流*

1

反向

电压

工作温度

储存温度

焊接温度

符号

Pd

I

F

I

FP

V

R

TOPR

TSTG

TSOL

等级

80

30

150

5

-40

℃

~80

℃

-40

℃

~85

℃

260

℃

（ 5秒）

单位

mW

mA

V

*

1

条件我

FP

是脉冲的1/10责任和0.1msec宽度。

1.0版本页： 1 2

1.1

佰鸿电子股份有限公司。

自1981年以来

BL-R3132N

●

电气和光学特性（Ta = 25℃）

参数

正向电压

发光强度

符号

V

F

Iv

I

R

λp

λd

λ

2θ

1/2

条件

I

F

=20mA

I

F

=20mA

V

R

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分钟。

-

582

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2.1

7.0

-

585

-

35

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马克斯。

2.6

-

100

-

595

-

单位

V

MCD

反向电流

峰值波长

主波长度

谱线半宽

视角

A

nm

度

●

典型的光电特性曲线

图1相对强度与波长

1.0

60

图2正向电流降额曲线

- 环境温度

50

相对辐射强度

正向电流（mA ）

40

0.5

30

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10

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535

585

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40

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80

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波长

λ （纳米）

环境温度Ta （

℃

)

图3正向电流比。正向电压

50

3.0

图4相对发光强度

- 环境温度

40

相对发光强度

2.5

正向电流（mA ）

2.0

30

1.5

20

1.0

10

0.5

0

1

2

3

4

5

0

-40

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20

40

60

正向电压（ V）

环境温度Ta （

℃

)

图5相对发光强度

与正向电流

4.0

图6辐射方向图

0

10

20

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相对发光强度（ @ 20mA）的

3.0

相对辐射强度

1.0

40

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0.9

0.8

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70

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0.7

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20

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0.5

0.3

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0.2

0.4

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正向电流（mA ）

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