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佰鸿电子股份有限公司。
自1981年以来
BL-BZD3V4V
产品特点:
1.芯片材质:InGaN
2.发光颜色:白色
3.镜头外观:无色透明
4.低功耗。
5.高效率。
6.多功能安装在交媾板或面板。
7.低电流要求。
8, T-1 3/4型封装
9.本品不含有限制
物质,符合ROHS标准。
包装尺寸
应用范围:
1.电视机
2.监测
3.电话
4.计算机
5.电路板
注意事项:
1.所有尺寸为毫米(英寸) 。
2.公差为±0.25mm (0.01 “),除非另有说明。
3.引线间距是衡量地方的线索从何而来
该程序包。
4.规格如有变更,恕不另行通知。
绝对最大额定值( TA = 25 ℃ )
参数
功耗
正向电流
正向峰值电流*
1
反向
电压
工作温度
储存温度
焊接温度
符号
Pd
I
F
I
FP
V
R
TOPR
TSTG
TSOL
等级
120
30
150
5
-40
~80
-40
~85
260
( 5秒)
单位
mW
mA
mA
V
*
1
条件我
FP
是脉冲的1/10责任和0.1msec宽度。
1.0版本页: 1 4
佰鸿电子股份有限公司。
自1981年以来
BL-BZD3V4V
电气和光学特性(Ta = 25
)
参数
符号条件
正向电压
发光强度
V
F
Iv
I
R
X
Y
λ
1/2
I
F
=20mA
I
F
=20mA
V
R
=5V
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
3.5
13000
-
0.32
0.31
30
12
马克斯。
4.0
-
100
-
-
-
-
单位
V
MCD
反向电流
坐标(注4 )
谱线半宽
视角
A
nm
nm
nm
典型的光电特性曲线
图1相对强度与波长
60
图2正向电流降额曲线
- 环境温度
相对辐射强度
1.0
50
正向电流(mA )
450
500
550
600
650
700
750
40
0.5
30
20
0
400
10
0
20
40
60
80
100
波长
λ
(纳米)
环境温度Ta (
)
图3正向电流比。正向电压
50
3.0
图4相对发光强度
- 环境温度
40
相对发光强度
2.5
正向电流(mA )
2.0
30
1.5
20
1.0
10
0.5
0
1
2
3
4
5
0
-40
-20
0
20
40
60
正向电压( V)
环境温度Ta (
)
图5相对发光强度
与正向电流
2.0
图6辐射方向图
0
10
20
30
相对发光强度( @ 20mA)的
1.5
相对辐射强度
1.0
40
1.0
0.9
0.8
50
60
70
0.5
0.7
80
90
0
10
20
30
40
50
0.5
0.3
0.1
0.2
0.4
0.6
正向电流(mA )
1.0版本页: 2 4
佰鸿电子股份有限公司。
自1981年以来
BL-BZD3V4V
斌限制
1.强度斌限制(在我
F
= 20mA下)
BIN码
:
ZA
ZB
ZC
ZD
ZE
:
分钟。 ( MCD )
:
4880
7320
11 0 0 0
16500
24800
:
马克斯。 ( MCD )
:
9660
14490
21350
32000
48000
:
箱子
x
x
色彩分级代码
强度BIN码
1.0版本页: 3 4
佰鸿电子股份有限公司。
自1981年以来
BL-BZD3V4V
2.颜色斌限制(波长为20mA )
箱子
色度坐标
4
5
6
7
8
x
y
x
y
x
y
x
y
x
y
0.245
0.190
0.279
0.242
0.305
0.265
0.287
0.295
0.330
0.305
0.225
0.215
0.260
0.262
0.287
0.295
0.283
0.305
0.330
0.360
0.260
0.262
0.283
0.305
0.330
0.339
0.330
0.360
0.361
0.385
0.279
0.242
0.305
0.265
0.330
0.305
0.330
0.339
0.356
0.351
1.0版本第4页: 4
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BL-BZD3V4V
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    -
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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