【表面贴装红外发射二极管BIR-Hxx3A系列■绝对最大额定值(Ta=25℃)单位IFIFPVRTOP】,IC型号BIR-HO133A,BIR-HO133A PDF资料,BIR-HO133A经销商,ic,电子元器件-51电子网

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表面贴装红外发射二极管

BIR-Hxx3A

系列

■

绝对最大额定值

(Ta=25℃)

单位

IF

IFP

VR

TOPR

TSTG

mA

A

V

℃

℃

规格。

30

1.0

5

-25½+80

-30½+85

芯片

产品型号

材料

λ

p

（纳米）

940

880

850

850

λ

（纳米）

50

50

无色透明

BIR-HO033A

BIR-HO133A

砷化镓铝

砷化镓铝

50

50

镜头

外形

电光数据（在20mA ）

辐射功率

宝（MW / SR ）

分钟。

50

50

50

50

1.00

0.71

1.98

1.41

典型值。

4.00

1.20

4.00

3.00

IFP = 20mA下

PW = 10

s

DC = 1％的

Tr

（纳秒）

500

500

500

500

Tf

（纳秒）

200

200

V

f

(V)

典型值。

1.2

1.4

1.4

1.4

马克斯。

1.7

2.0

2.0

2.0

Ir

(

A)

VIEWING

角

2

θ

1/2

（度）

BIR-HM133A

BIR-HN033A

砷化镓铝

砷化镓铝

70

200

200

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