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我们所有的客户
关于文件中提到的名字,如日立的变化
电气与日立XX ,瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机,逻辑,模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM (闪速存储器,静态存储器等)等
因此,虽然日立,日立制作所,日立半导体,和其他日立牌
名称被提到的文件中,这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标,标识和
企业声明,没有改变任何已对文档的内容,并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页: http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计!
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的,但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害,火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时,充分考虑到安全性给予,用适当的
例如(i )替代的布置,辅助电路,(ⅱ)使用不易燃的材料或措施
(三)预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可,属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责,或侵权
第三方的权利,对原产于使用任何产品数据,图,表,程序,算法,或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息,并
受瑞萨科技公司,恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此,建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前,这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失,责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着,包括瑞萨科技半导体首页
( http://www.renesas.com ) 。
4.当使用任何包含在这些资料,包括产品数据,图形或所有信息,
图表,程序和算法,请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失,责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中,人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的,例如装置或使用时
系统运输,车辆,医疗,航空航天,核能,或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准,不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制,它们必须是
日本政府根据许可证出口,不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
BIC703C
偏置控制单片IC
VHF / UHF射频放大器
ADE - 208-985D ( Z)
5 。版
2001年3月
特点
偏置控制单片集成电路(上GATE1无需外部直流偏置电压。 ) ;
为了减少使用零件成本& PC板空间。
高| YFS | ;
| YFS | = 29毫秒(典型值) 。 ( F = 1kHz时)
低噪音;
NF = 1.0 dB典型值。 (在f = 200兆赫) , NF = 1.8 dB典型值。 (在f = 900兆赫)
承受静电放电;
打造ESD吸收二极管。承受高达200V的C = 200pF的,卢比= 0的条件。
提供迷你模具包; CMPAK - 4 ( SOT- 343mod )
概要
CMPAK-4
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
注意事项:
1.
2.
标记为“ CZ- ” 。
BIC703C是日立BICMIC个别型号。
BIC703C
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
GATE1至源极电压
GATE2至源极电压
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
6
+6
–0
+6
–0
30
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿
电压
GATE1源击穿
电压
GATE2源击穿
电压
符号
V
( BR ) DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
6
+6
+6
0.8
12
24
1.6
0.6
23
17
典型值
1.1
15
29
2.0
1.0
0.022
28
1.0
22
1.8
最大
+100
1.5
18
34
2.4
1.4
0.05
1.8
2.4
单位
V
V
V
nA
V
mA
mS
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
测试条件
I
D
= 200A
V
G2S
= 0,V
G1
=打开
I
G1
= + 1mA时, V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
= + 10μA ,V
G1S
= V
DS
= 0
V
G2S
= +5V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5V ,我
D
= 100A
V
G1
=打开
V
DS
= 5V , V
G2S
= 4V
V
G1
=打开
V
DS
= 5V ,我
D
= 15毫安
V
G2S
= 4V , F = 1kHz时
V
DS
= 5V, V
G2S
=4V
V
G1
=打开
F = 1MHz的
V
DS
= 5V, V
G2S
=4V
V
G1
=打开
F = 200MHz的
V
DS
= 5V, V
G2S
=4V
V
G1
=打开
F = 900MHz的
GATE2到源截止电流I
G2SS
GATE2源截止电压V
G2S(off)
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
I
D( OP )
|y
fs
|
c
国际空间站
c
OSS
反向传输电容C
RSS
功率增益
噪声系数
功率增益
噪声系数
PG1
NF1
PG2
NF2
BIC703C
测试电路
直流偏置电路的工作特色项目
(I
D( OP )
, | YFS | ,西塞,科斯,的Crss , NF , PG )
V
G1
V
G2
门2
门1
开放
A
I
D
来源
200 MHz功率增益,噪声系数测试电路
V
T
1000p
V
G2
1000p
V
T
1000p
47k
Input(50)
L1
1000p
36p
1000p
47k
BICMIC
L2
1000p
47k
Output(50)
最高10便士
1000p
1SV70
RFC
1SV70
1000p
V
D
单位:电阻(Ω )
电容( F)
L1 :
φ1mm
漆包铜线,内部直径10mm的2Turns
L2 :
φ1mm
漆包铜线,内部直径10mm的2Turns
RFC :
φ1mm
漆包铜线,内部直径5毫米, 2Turns
BIC703C
偏置控制单片IC
VHF / UHF射频放大器
ADE - 208-985D ( Z)
5 。版
2001年3月
特点
偏置控制单片集成电路(上GATE1无需外部直流偏置电压。 ) ;
为了减少使用零件成本& PC板空间。
高| YFS | ;
| YFS | = 29毫秒(典型值) 。 ( F = 1kHz时)
低噪音;
NF = 1.0 dB典型值。 (在f = 200兆赫) , NF = 1.8 dB典型值。 (在f = 900兆赫)
承受静电放电;
打造ESD吸收二极管。承受高达200V的C = 200pF的,卢比= 0的条件。
提供迷你模具包; CMPAK - 4 ( SOT- 343mod )
概要
CMPAK-4
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
注意事项:
1.
2.
标记为“ CZ- ” 。
BIC703C是日立BICMIC个别型号。
BIC703C
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
GATE1至源极电压
GATE2至源极电压
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
6
+6
–0
+6
–0
30
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿
电压
GATE1源击穿
电压
GATE2源击穿
电压
符号
V
( BR ) DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
6
+6
+6
0.8
12
24
1.6
0.6
23
17
典型值
1.1
15
29
2.0
1.0
0.022
28
1.0
22
1.8
最大
+100
1.5
18
34
2.4
1.4
0.05
1.8
2.4
单位
V
V
V
nA
V
mA
mS
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
测试条件
I
D
= 200A
V
G2S
= 0,V
G1
=打开
I
G1
= + 1mA时, V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
= + 10μA ,V
G1S
= V
DS
= 0
V
G2S
= +5V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5V ,我
D
= 100A
V
G1
=打开
V
DS
= 5V , V
G2S
= 4V
V
G1
=打开
V
DS
= 5V ,我
D
= 15毫安
V
G2S
= 4V , F = 1kHz时
V
DS
= 5V, V
G2S
=4V
V
G1
=打开
F = 1MHz的
V
DS
= 5V, V
G2S
=4V
V
G1
=打开
F = 200MHz的
V
DS
= 5V, V
G2S
=4V
V
G1
=打开
F = 900MHz的
GATE2到源截止电流I
G2SS
GATE2源截止电压V
G2S(off)
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
I
D( OP )
|y
fs
|
c
国际空间站
c
OSS
反向传输电容C
RSS
功率增益
噪声系数
功率增益
噪声系数
PG1
NF1
PG2
NF2
2
BIC703C
测试电路
直流偏置电路的工作特色项目
(I
D( OP )
, | YFS | ,西塞,科斯,的Crss , NF , PG )
V
G1
V
G2
门2
门1
开放
A
I
D
来源
200 MHz功率增益,噪声系数测试电路
V
T
1000p
V
G2
1000p
V
T
1000p
47k
Input(50)
L1
1000p
36p
1000p
47k
BICMIC
L2
1000p
47k
Output(50)
最高10便士
1000p
1SV70
RFC
1SV70
1000p
V
D
单位:电阻(Ω )
电容( F)
L1 :
φ1mm
漆包铜线,内部直径10mm的2Turns
L2 :
φ1mm
漆包铜线,内部直径10mm的2Turns
RFC :
φ1mm
漆包铜线,内部直径5毫米, 2Turns
3
BIC703C
900 MHz功率增益,噪声系数测试电路
VG2
C4
VD
C5
R1
C3
G2
输入
L1
L2
G1
R2
D
L3
S
RFC
产量
L4
C1
C2
C1, C2
C3
C4, C5
R1
R2
:
:
:
:
:
可变电容( 10pF的MAX)
磁盘电容( 1000pF的)
空气电容( 1000pF的)
47 k
4.7 k
L1:
10
10
8
L2:
26
3
3
( φ1mm铜线)
单位:mm
21
L3:
7
L4:
29
10
7
18
10
RFC :
φ1mm
铜线直径6毫米内搪瓷4turns
4
BIC703C
最大信道功率
耗散曲线
典型的输出特性
V
G1
=打开
I
D
(MA )
150
16
V
G2S
= 4 V
3V
8
2V
信道功率耗散
P沟( mW)的
200
20
12
100
50
漏电流
4
1V
0
50
100
150
的Ta (℃)
200
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
5
环境温度
漏源极电压
正向转移导纳| YFS | (MS )
正向转移导纳
与GATE1电压
50
40
30
25
功率增益PG (分贝)
20
15
10
5
0
1
功率增益主场迎战
GATE2至源极电压
30
20
V
G1S
= 4 V
3V
10
1V
0
1.0
GATE1电压V
G1
2.0
(V)
2V
V
DS
= 5 V
V
G1
=打开
F = 200 MHz的
4
2
3
GATE2至源极电压V
G2S
(V)
5
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单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BIC703C
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
BIC703C
√ 欧美㊣品
▲10/11+
7933
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
BIC703C
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9858
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