附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
CMOS LDO稳压器系列的便携式设备
标准CMOS LDO稳压器
BH
□□
FB1WG系列， BH □□ FB1WHFV系列，
BH
□□
LB1WG系列， BH □□ LB1WHFV系列
大电流300毫安
CMOS LDO稳压器
BH
□□
MA3WHFV系列
No.09020EBT02
描述
该BH □□ FB1W ， BH □□ LB1W和BH □□ MA3W系列低压差稳压器CMOS 150 mA和300毫安
输出有
±
1％的输出电压精度高。
该BH □□ FB1W系列结合40μA的低电流消耗和利用输出70dB的高纹波抑制比
级别CMOS技术。该组件可方便地安装到所述小标准SSOP5和超小
HVSOF5 / HVSOF6包。
特点
1 ）输出电压精度高：
±
1%
2 ）高纹波抑制比： 70分贝（ BH □□ FB1WHFV / WG ， BH □□ LB1WHFV / WG ）
3 ）低压差电压： 60 mV的（当电流为100 mA时） （ BH □□ MA3WHFV ）
4 ）稳定器用陶瓷输出电容器
5 ）低偏置电流： 40μA （我
O
= 50 mA）的（BH □□ FB1WHFV / WG）的
6）输出的电压的ON / OFF控制
7 ）内置过流保护和热关断电路
8 ）超小型功率封装： HVSOF5 （ BH □□ FB1WHFV ， BH □□ LB1WHFV ）
9 ）超小功率封装： HVSOF6 （ BH □□ MA3WHFV ）
应用
电池驱动的便携设备等。
排队
150毫安BH □□ FB1W和BH □□ LB1W系列
产品型号
BH□□FB1WG
BH□□FB1WHFV
BH□□LB1WG
BH□□LB1WHFV
300毫安BH □□ MA3WHFV系列
产品型号
BH□□MA3WHFV
产品型号： B H
□□
F B 1 W
□
， B H
□□
L B 1 W
□
a
b
a
b
符号
详细
输出电压型号
□□
输出电压（V）
输出电压（V）
□□
15
1.5V （典型值）。
2.9V （典型值）。
29
18
1.8V （典型值）。
3.0V （典型值）。
30
1J
1.85V （典型值）。
3.1V （典型值）。
31
25
2.5V （典型值）。
3.3V （典型值）。
33
28
2.8V （典型值）。
包装： G： SSOP5 HFV ： HVSOF5
1.5
1.8
2.5
2.8
2.9
3.0
3.1
3.3
包
HVSOF6
产品型号： B H
□□
M A 3 W
□
a
b
符号
详细
输出电压型号
□□
输出电压（V）
输出电压（V）
□□
15
1.5V （典型值）。
2.9V （典型值）。
29
18
1.8V （典型值）。
3.0V （典型值）。
30
25
2.5V （典型值）。
3.1V （典型值）。
31
28
2.8V （典型值）。
3.3V （典型值）。
33
包装： HFV ： HVSOF6
1.5
-
-
1.8
-
-
1.85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.5
2.8
2.9
3.0
3.1
3.3
包
SSOP5
HVSOF5
SSOP5
HVSOF5
a
a
b
b
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2009.11 -
版本B
BH
□□FB1WG
系列， BH □□ FB1WHFV系列，
BH
□□LB1WG
系列， BH □□ LB1WHFV系列，
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
参数
应用电源电压
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
VMAX
Pd
TOPR
TSTG
BH
□□MA3WHFV
系列
技术说明
范围
-0.3 ~ +6.5
680 （ HVSOF6 ）
410 （ HVSOF5 ）
540 （ SSOP5 ）
-40 ~ +85
-55 ~ +125
单位
V
mW
°C
°C
推荐工作范围
参数
电源电压
BH□□MA3W
输出电流
BH□□FB1W
BH□□LB1W
IOUT
符号
VIN
分钟。
2.5
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
5.5
300
150
150
单位
V
mA
mA
mA
推荐工作条件
参数
输入电容
输出电容
噪音降低电容器
符号
CIN
Co
Cn
分钟。
0.1
1.0
-
典型值。
-
-
0.01
马克斯。
-
-
0.22
单位
F
F
F
条件
陶瓷电容器推荐
陶瓷电容器推荐
陶瓷电容器推荐
BH □□ FB1WHFV / WG ， BH □□ LB1WHFV / WG
参数
符号
V
OUT
我GND
我STBY
RR
LTV1
LTV2
VSAT
VDL1
VDL01
ILMAX
我SHORT
RSTB
STBY
控制电压
ON
关闭
VSTBH
VSTBL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
550
1.5
-0.3
分钟。
典型值。
马克斯。
70
1.0
-
-
-
450
20
30
-
-
2200
V
IN
0.3
单位
V
A
A
dB
mV
mV
mV
mV
mV
mA
mA
k
V
V
Vo=0V
条件
V
OUT
40
-
70
50
50
250
2
10
250
50
1100
-
-
BH□□MA3WHFV
参数
符号
V
OUT
我GND
我STBY
RR
VSAT1
VDL1
VDL01
VDL02
ILMAX
我SHORT
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
分钟。
典型值。
V
OUT
65
-
60
60
2
6
18
±100
600
100
95
1.0
-
90
20
30
90
-
-
-
马克斯。
单位
V
A
A
dB
mV
mV
mV
mV
mA
mA
I
OUT
=1mA
I
OUT
=1mA
STBY=0V
VRR = -20dBv ， FRR = 1kHz时，我
OUT
=10mA
V
IN
= 0.98 X V
OUT
, I
OUT
=100mA
V
IN
=V
OUT
+ 0.5V至5.5V
I
OUT
= 1mA至百毫安
I
OUT
= 1mA至300毫安
VO = V
OUT
X 0.85
Vo=0V
条件
PPM / ° C I
OUT
= 1mA时， TA = -40至+ 85°C
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版本B
BH
□□FB1WG
系列， BH □□ FB1WHFV系列，
BH
□□LB1WG
系列， BH □□ LB1WHFV系列，
方框图
BH
□□MA3WHFV
系列
技术说明
电源输入
地
输出电压的ON / OFF控制
（高：开，低： OFF）
无连接
电压输出
输出电压的ON / OFF控制
（高：开，低： OFF）
地
电源输入
电压输出
无连接
端子号端子名称功能
电源输入
电压输出
电压输出
降噪电容
接地端子
地
输出电压的ON / OFF控制
（高：开，低： OFF）
功耗，Pd
1.功耗
功耗的计算包括功耗特性和内部IC的功耗估计
并应被视为准则。在事件的集成电路中使用的环境中，此功耗是
突破，随之而来的结温会触发热关断电路，减小电流
容量和以其他方式降低了集成电路的设计性能。允许足够的盈利空间，使该功率耗散
IC操作期间不会超标。
计算最大内部IC的功耗（P
最大
)
2.
功耗
特性（钯）
董事会： 70毫米
X
70 mm
X
1.6 mm
材料：玻璃环氧树脂印刷电路板
输入电压
输出电压
输出电流
董事会： 70毫米
X
70 mm
X
1.6 mm
材料：玻璃环氧树脂印刷电路板
董事会： 70毫米
X
70 mm
X
1.6 mm
材料：玻璃环氧树脂印刷电路板
°
°
°
图。 26 ： HVSOF6
功耗/
功耗降低（例）
图。 27 ： HVSOF5
功耗/
功耗降低（例）
图。 28 ： SSOP5
功耗/
功耗降低（例）
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版本B
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