超低功耗/高速CMOS SRAM
512K ×8位
绿色包装材料，符合RoHS
BH62UV4000
n
特点
宽V
CC
低工作电压： 1.65V 3.6V
超低功耗：
V
CC
= 3.6V
工作电流： 10毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 2.0uA （典型值） ，在3.0V / 25
O
C
V
CC
= 1.2V
数据保持电流： 1.0uA 25
O
C
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=1.65~3.6V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作，没有时钟，没有刷新
数据保持电源电压低至1.0V
n
描述
该BH62UV4000是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 524,288和
在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，与典型工作电流
1.5毫安在1MHz为3.6V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
1.65V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BH62UV4000具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BH62UV4000是DICE的形式提供， JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， TSOP 400mil -II ， 600mil塑料DIP ，
8mmx13.4mm STSOP ， 8mmx20mm TSOP和36 - BGA球
封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BH62UV4000DI
BH62UV4000EI
BH62UV4000HI
BH62UV4000PI
BH62UV4000SI
BH62UV4000STI
BH62UV4000TI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
10uA
10uA
2mA
6mA
10mA
1.5mA
5mA
8mA
操作
温度
ICC待机
(I
CCSB1
，最大值）
国际刑事法院工作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=1.8V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
1MHz
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
TSOP -II
BGA-36-0608
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
n
销刀豆网络gurations
n
框图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
BH62UV4000STI
BH62UV4000TI
1
2
A1
A11
A9
A8
A13
WE
A17
A15
VCC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 4096
4096
3
NC
4
A3
5
A6
6
A8
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
BH62UV4000EI
8
BH62UV4000PI
9
BH62UV4000SI
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A
A0
B
DQ4
A2
WE
A4
A7
DQ0
C
DQ5
NC
A5
DQ1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
512
列解码器
9
8
数据
产量
卜FF器
D
VSS
VCC
E
VCC
VSS
F
DQ6
A18
A17
DQ2
G
DQ7
OE
CE
A16
A15
DQ3
CE
WE
OE
V
CC
GND
控制
地址输入缓冲器
A18 A16 A15 A14 A0 A17 A3 A2 A1
H
A9
A10
A11
A12
A13
A14
36球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH62UV4000
1
修订版1.2
八月
2006
BH62UV4000
n
引脚说明
名字
A0 - A18地址输入
CE芯片使能输入1
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288 ×8位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，读取数据或写入
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
我们写使能输入
OE输出使能输入
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
到4.6V
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
产业
环境
温度
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
1.65V ~ 3.6V
C
C
O
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
W
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
mA
C
IN
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒
R0201-BH62UV4000
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
2
修订版1.2
八月
2006
BH62UV4000
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
参数
电源
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
待机电流
–
CMOS
V
IN
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
O
O
测试条件
分钟。
1.65
-0.3
(2)
1.4
2.2
--
--
--
V
CC
-0.2
2.4
--
--
--
--
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
1.0
1.5
--
2.0
2.0
(5)
马克斯。
3.6
0.4
0.8
V
CC
+0.3
(3)
1
1
0.2
0.4
--
8
10
1.5
2.0
0.5
1.0
10
10
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
mA
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. V
CC
=3.0V
n
数据保持特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
O
O
测试条件
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=1.2V
分钟。
1.0
--
0
典型值。
(1)
--
1.0
--
--
马克斯。
--
5.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
t
RC （2）
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2. t
RC
=读周期时间。
n
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ） （ CE控制）
数据保持方式
V
CC
V
IH
V
CC
V
DR
≧1.0V
V
CC
t
CDR
CE = V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BH62UV4000
3
修订版1.2
八月
2006
BH62UV4000
读周期2
(1,3,4)
CE
t
ACS
t
CLZ
D
OUT
(5)
t
CHZ
(5)
读周期3
(1, 4)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE
(5)
t
OH
t
OLZ
t
ACS
t
CLZ
t
OHZ
t
CHZ
(5)
(1,5)
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE = V
IL
3.地址有效之前或重合CE过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BH62UV4000
5
修订版1.2
八月
2006
QQ：2881677436 复制
