CMOS LDO稳压器用于便携式设备
1路150毫安
CMOS LDO稳压器
BH □□ RB1WGUT系列
No.11020ECT03
°说明
该BH □□ RB1WGUT系列是一款150 mA的输出CMOS稳压器，提供一个高度稳定的精度（ ± 1 ％ ）输出
电压。 ROHM的专有技术使2 mV的小负荷调节和100 mV的电压差。
在刚刚1.0毫米
1.04毫米，新VCSP60N1包是非常紧凑的，并且IC的增强的保护电路
有助于改善最终产品的特性。
■特点
1 ）高输出电压精度： ± 1 ％
2 ）低压差电压： 100毫伏（在100 mA时）
3 ）具有稳定的陶瓷电容
4 ）低偏置电流： 34
μA
5 ）高纹波抑制比： 63分贝（典型值， 1千赫）
6）输出的电压的ON / OFF控制
7 ）内置过流和热关断电路
8 ） VCSP60N1 WL - CSP封装（ 1.0 × 1.04 × 0.6毫米）
■应用
电池驱动的便携设备等
“产品
LINE
150
毫安BH □□ RB1WGUT系列
产品名称
BH□□RB1WGUT
1.5
√
1.8
√
2.5
√
2.8
√
2.9
√
3.0
√
3.1
√
3.3
√
包
VCSP60N1
型号名称： BH □□ RB1W □
a
b
符号
描述
输出电压规格
□□
15
a
18
25
28
b
输出电压（V）
1.5 V（典型值）。
1.8 V （典型值）。
2.5 V （典型值）。
2.8 V（典型值）。
□□
29
30
31
33
输出电压（V）
2.9 V（典型值）。
3.0 V（典型值）。
3.1 V（典型值）。
3.3 V （ TYP 。 ）
包装GUT ： VCSP60N1
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2011.01 - Rev.C
BH □□ RB1WGUT系列
“绝对
最大额定值
参数
应用电源电压
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
VMAX
Pd
TOPR
TSTG
评级
-0.3到+6.5
530
*1
-40至+85
-55到+125
单位
V
mW
°C
°C
技术说明
* 1： 5.3毫瓦/ C超过25C减少，安装在玻璃环氧印刷电路板时（ 7毫米
7 mm
0.8 mm).
“推荐
工作范围（不超过PD）
参数
电源电压
输出电流
“推荐
工作条件
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
O
评级
分钟。
0.7
*2
0.7
*2
典型值。
1.0
1.0
马克斯。
—
—
单位
F
F
条件
使用陶瓷电容是
推荐使用。
使用陶瓷电容是
推荐使用。
符号
V
IN
IOUT
评级
2.5 5.5
0至150
单位
V
mA
* 2 ：确保输出电容值不小于在各种温度下的，直流叠加特性这个指定级别保持为低。
同时也确保电容值不能改变随着时间的推移。
ⅵELECTRICAL
特征
*5
（除非另有说明， TA = 25 ° C，V
IN
= V
OUT
+ 1.0 V，待机= 1.5 V ，C
IN
= 1 μF ，C
O
= 1 F)
范围
符号
单位
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
输出电压1
V
OUT
0.99
V
OUT
1
V
OUT
- 25毫伏
V
OUT
V
OUT
2
0.97
IGND
ICCST
RR
VSAT
VDLI
VDlO均
ILMAX
ISHORT
ISTBY
ON
关闭
VSTBH
VSTBL
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
1.2
-0.2
V
OUT
V
OUT
1.01
V
OUT
+ 25毫伏
V
OUT
1.03
72
1.0
—
150
20
30
—
—
3.6
V
IN
0.2
V
I
OUT
= 1毫安， TA = 25 ℃，
BH25RB1WGUT或更高版本
I
OUT
= 1mA时， TA = 25 ℃，
BH15 ， 18RB1WGUT
I
OUT
= 1毫安
TA = -40 ° C至85°C
*3
I
OUT
= 0毫安
TA = -40 ° C至85°C
*3
STBY = 0 V
VRR = -20的dBV ， FRR = 1千赫，
I
OUT
= 10毫安
V
IN
= 0.98
V
OUT
, I
OUT
= 100毫安
（不包括BH15 ， 18RB1WGUT ）
I
OUT
= 10毫安
V
IN
= V
OUT
+ 0.5 V至5.5 V
*4
I
OUT
= 1 mA至百毫安
V
O
= V
OUT
0.98
V
O
= 0 V
TA = -40 ° C至85°C
*3
TA = -40 ° C至85°C
*3
TA = -40 ° C至85°C
*3
输出电压2
短路电流
短路电流（待机）
纹波抑制比
输入输出电压差
线路调整
负载调整率
过流保护电流限制
短路电流
STBY引脚电流
STBY控制电压
V
OUT
34
—
63
100
2
2
300
40
1.3
—
—
V
A
A
dB
mV
mV
mV
mA
mA
A
V
V
*该IC没有设计成耐辐射。
* 3 ：这些规格由设计保证。
* 4：对于BH15 ， 18RB1WGUT ， VIN = 3.0 V至5.5 V.
* 5： BH15 ， 18RB1WGUT ， VIN = 3.5 V.
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BH □□ RB1WGUT系列
块
图中，推荐电路图和引脚分配图
BH□□RB1WGUT
VIN
VIN
B2
武LTAG ê
EF ERE NCE
技术说明
PIN号
B2
B1
VOUT
B1
符号
V
IN
V
OUT
GND
STBY
1PIN MARK
功能
电源输入
电压输出
地
输出电压的ON / OFF控制
（高：开，低： OFF）
CIN
A1
VOUT
A1
A2
摹ND
日ERM A L
P RO牛逼ECT IO
VER CU RRE新台币
P ro的忒多人回放
Co
VSTBY
STBY
A2
C 0 NT RO L
BLO CK
1
A
2
CIN ： 1.0 μF
联合： 1.0 μF
B
TOP VIEW （马克侧）
图。 24
“权力
耗散（PD）的
1.功耗（PD ）
功耗计算包括输出功率耗散特性和内部IC的功耗。在
该集成电路中使用时，此功耗超过环境的情况下，随之而来的
结温会触发热关断电路，减小电流容量和以其他方式降低了
集成电路的设计性能。允许足够的利润，使这个功耗IC不工作期间超标。
计算最大内部IC的功耗（P
最大
)
P
最大
= (V
IN
- V
OUT
)
I
OUT
（ MAX 。 ）
V
IN
：输入电压
V
OUT
：输出电压
I
OUT
（ MAX） ：输出电流
2.功耗/功耗降低（ PD）
VCSP60N1
0.6
530毫瓦
董事会： 7毫米
7 mm
0.8 mm
材料：玻璃环氧树脂印刷电路板
0.4
钯[W]
0.2
0
0
25
50
75
100
125
*电路设计应允许足够的裕度的温度范围内进行PMAX <钯。
TA [
℃
]
图。 25 VCSP60N1功耗/功耗降低（例）
- 输入
输出电容
建议将输入和GND引脚之间的旁路电容，其定位为靠近引脚
可能。这些电容器用于当电源阻抗增加或长布线路径被使用时，使
一旦集成电路已被安装，他们会被检查。陶瓷电容一般有温度和直流偏置
的特点。使用X5R或X7R陶瓷电容器，其提供良好的温度和直流偏置特性，以及
稳定的高电压。
典型的陶瓷电容特性
120
100
120
变化的电容率（ ％ ）
变化的电容率（ ％ ） ]
100
变化的电容率（ ％ ）
(%)
变化的电容率
50 V
torelance
50 V torelance
95
100
变化的电容率（ ％ ）
静電容量変化率
[%]
80
90
80
X7R
X5R
Y5V
16 V torelance
10 V torelance
60
85
60
10 V torelance
40
16 V torelance
80
40
20
75
20
0
0
1
70
0
1
0
-25
0
25
温度[ ℃ ]
50
75
直流偏置直流电压（V ）
2
3
4
直流偏置直流电压（V ）
2
3
4
图。 26电容VS偏差（ Y5V ）
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图27电容VS偏见
（ X5R ， X7R ）
图。 28电容与温度
（ X5R ， X7R ， Y5V ）
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