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集成电路
74ABT16543
74ABTH16543
16位锁存收发器
两个使能(三态)
产品speci fi cation
取代1995年的数据8月17日
IC23数据手册
1998年02月27日
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
16位锁存收发器,使双
(3-State)
74ABT16543
74ABTH16543
特点
两个8位八进制收发器, D型锁存器
直播插入/拔出许可
开机三态
上电复位
多V
CC
和GND引脚最大限度地降低开关噪声
背到背寄存器存储
每个方向的数据溢流单独控制
74ABTH16543结合这消除了总线保持数据输入
输出能力: + 64毫安/ -32mA
闭锁保护超过每JEDEC标准17 500毫安
ESD保护超过每MIL STD 883方法3015 2000V
对于同样的功能与主复位控制见74ABT161543
引脚
每机型号200V
无需外部上拉电阻持有未使用的输入
描述
该74ABT16543高性能BiCMOS器件结合了低
静态和动态功耗,高速和高
输出驱动器。
该74ABT16543 16位注册收发器包含两套
D型锁存器,用于使在数据的临时存储任
方向。独立的锁存使能( nLEAB , nLEBA )和输出
使能提供给每个寄存器( nOEAB , nOEBA )输入
允许在两个方向上的数据传输的独立控制。该
输出保证吸收64毫安。
有两种选择, 74ABT16543不具备
总线保持功能和74ABTH16543其中包含了
总线保持功能。
快速参考数据
符号
t
PLH
t
PHL
C
IN
C
I / O
I
CCZ
I
CCL
参数
传播延迟
NAX到NBX
输入电容
I / O容量
苏静态电流LY
供应
条件
T
AMB
= 25°C ; GND = 0V
C
L
= 50pF的; V
CC
= 5V
V
I
= 0V或V
CC
V
O
= 0V或V
CC;
3-State
输出禁用; V
CC
= 5.5V
输出低电平; V
CC
= 5.5V
典型
2.5
2.2
3
7
550
9
单位
ns
pF
pF
A
mA
订购信息
套餐
56引脚塑封SSOP III型
56引脚塑料TSSOP II型
56引脚塑封SSOP III型
56引脚塑料TSSOP II型
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
北美以外的地区
74ABT16543 DL
74ABT16543 DGG
74ABTH16543 DL
74ABTH16543 DGG
北美
BT16543 DL
BT16543 DGG
BH16543 DL
BH16543 DGG
DWG号
SOT371-1
SOT364-1
SOT371-1
SOT364-1
引脚说明
引脚数
5, 6, 8, 9, 10, 12, 13, 14
15, 16, 17, 19, 20, 21, 23, 24
52, 51, 49, 48, 47, 45, 44, 43
42, 41, 40,38, 37, 36, 34, 33
1, 56
28, 29
3, 54
26, 31
2, 55
27, 30
4, 11, 18, 25, 32, 39, 46, 53
7, 22, 35, 50
1998年02月27日
符号
1A0 – 1A7,
2A0 – 2A7
1B0 – 1B7,
2B0 – 2B7
1OEAB , 1OEBA ,
2OEAB , 2OEBA
1EAB , 1EBA ,
2EAB , 2EBA
1LEAB , 1LEBA ,
2LEAB , 2LEBA
GND
V
CC
2
名称和功能
数据输入/输出
数据输入/输出
A到B / B到A的输出使能输入(低电平有效)
A到B / B到A的使能输入(低电平有效)
A到B / B到A锁存使能输入(低电平有效)
地( 0V )
正电源电压
853-1739 19026
飞利浦半导体
产品speci fi cation
16位锁存收发器,使双
(3-State)
74ABT16543
74ABTH16543
逻辑符号( IEEE / IEC )
56
54
55
1
3
2
29
31
30
28
26
27
引脚配置
1OEAB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
1OEBA
1LEBA
1EBA
GND
1B0
1B1
V
CC
1B2
1B3
1B4
GND
1B5
1B6
1B7
2B0
2B1
2B2
GND
2B3
2B4
2B5
V
CC
2B6
2B7
GND
2EBA
2LEBA
2OEBA
1OEBA
1EBA
1LEBA
1OEAB
1EAB
1LEAB
2OEBA
2EBA
2LEBA
2OEAB
2EAB
2LEAB
1EN3
G1
1C5
2EN4
G2
2C6
7EN9
G7
7C11
8EN10
G8
8C12
52
1LEAB
1EAB
GND
1A0
1A1
V
CC
1A2
1A3
1A4
GND
1A5
1A6
1A7
1A0
5
3
6D
5D
4
1B0
2A0
2A1
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
1A7
2A0
6
8
9
10
12
13
14
15
9
12D
11D
10
51
49
48
47
45
44
43
42
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
1B6
1B7
2B0
2A2
GND
2A3
2A4
2A5
V
CC
2A6
2A7
GND
2A1
2A2
2A3
2A4
2A5
2A6
2A7
16
17
19
20
21
23
24
41
40
38
37
36
34
33
2B1
2B2
2B3
2B4
2B5
2B6
2B7
2EAB
2LEAB
2OEAB
SH00037
SH00036
1998年02月27日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
16位锁存收发器,使双
(3-State)
74ABT16543
74ABTH16543
逻辑符号
功能说明
该74ABT16543包含两组8 D型锁存器,具有
独立的控制引脚为每套。使用从数据流为B
例如,当A对B启用( nEAB )输入和A到B锁存
启用( nLEAB )输入低的A到B的路径是透明的。
5
6
8
9
10
12
13
14
1A0 1A1 1A2 1A3 1A4 1A5 1A6 1A7
3
54
2
55
1EAB
1EBA
1LEAB
1LEBA
1B0 1B1 1B2 1B3 1B4 1B5 1B6 1B7
1OEAB
1OEBA
1
56
在nLEAB信号的后续低到高的转变提出了A
数据到其中它被存储在锁存器和B输出端不再
改变与A输入。与EAB和nOEAB都低,则
三态B输出缓冲器是有效的,并在显示的数据存在
在A的输出锁存器。
从B数据流向的控制是相似的,但使用的根羽村,
nLEBA和nOEBA投入。
52
51
49
48
47
45
44
43
15
16
17
19
20
21
23
24
2A0 2A1 2A2 2A3 2A4 2A5 2A6 2A7
26
31
27
30
2EAB
2EBA
2LEAB
2LEBA
2B0 2B1 2B2 2B3 2B4 2B5 2B6 2B7
2OEAB
2OEBA
28
29
42
41
40
38
37
36
34
33
SH00038
功能表
输入
nOEXX
H
X
L
L
L
L
L
L
L
H =
h =
L =
l =
X =
=
NC =
Z =
NEXX
X
H
L
L
L
L
L
nLEXX
X
X
L
L
L
L
H
NAX或NBX
X
X
h
l
h
l
H
L
X
输出
NBX或NAX
Z
Z
Z
Z
H
L
H
L
NC
残疾人士+锁存
锁存+显示器
透明
HOLD
状态
高电压电平
高压一级建立时间之前nLEXX或NEXX ( XX = AB或BA )的低到高的转变
低电压电平
低压一级建立时间之前nLEXX或NEXX ( XX = AB或BA )的低到高的转变
不在乎
由低到高的nLEXX或NEXX ( XX = AB或BA )的过渡
没有变化
高阻抗或“关”状态
1998年02月27日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
16位锁存收发器,使双
(3-State)
74ABT16543
74ABTH16543
逻辑图
细节A
D
LE
Q
nB0
nA0
Q
D
LE
nA1
nA2
nA3
nA4
nA5
nA6
nA7
细节A ×7
nB1
nB2
nB3
nB4
nB5
nB6
nB7
nOEBA
nOEAB
根羽村
nEAB
nLEBA
nLEAB
SH00039
绝对最大额定值
1, 2
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
OUT
I
O
OUT
T
英镑
参数
直流电源电压
DC输入二极管电流
直流输入电压
3
DC输出二极管电流
直流输出电压
3
直流输出电流
高输出状态
存储温度范围
–64
-65到150
mA
°C
V
O
& LT ; 0
在关闭或高输出状态
在低输出状态
V
I
& LT ; 0
条件
等级
-0.5到+7.0
–18
-1.2到+7.0
–50
-0.5到+5.5
128
单位
V
mA
V
mA
V
mA
注意事项:
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或超出下标明的任何其他条件, “推荐工作条件”是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2.高性能集成电路的结合它的热环境可以创建结的性能能力
温度,这是不利于可靠性。该集成电路的最高结温度不应超过150 ℃。
3.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
1998年02月27日
5
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联系人:刘先生
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