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分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D188
BGY148A ; BGY148B
高频放大器器模块
产品speci fi cation
取代1997年的数据07月14日
1998年5月13日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频放大器器模块
特点
单6 V标称电源电压
3 W输出功率
由直流电压容易控制输出功率
硅双极技术
待机电流小于100
A.
应用
便携式通信设备中的操作
400 440 MHz和430 MHz的488频率范围
分别。
描述
该BGY148A和BGY148B是三阶段的UHF
放大器模块在SOT421A封装。每个模块
由三个NPN硅平面晶体管模具
安装与匹配和偏置电路
部件上的金属化陶瓷基片。该
模块产生的3瓦的输出功率到负载
50
与RF驱动器的10毫瓦的功率。
快速参考数据
射频性能在T
mb
= 25
°C.
TYPE
BGY148A
BGY148B
的模式
手术
CW
CW
f
(兆赫)
400 440
430 488
V
S
(V)
6
6
P
L
(W)
≥3
≥3
手册, halfpage
BGY148A ; BGY148B
钉扎 - SOT421A
1
2
3
4
轮缘
RF输入
V
C
V
S
RF输出
描述
1
顶视图
2
3
4
MSA483
Fig.1简化外形( SOT421A ) 。
G
p
( dB)的
≥24.8
≥24.8
η
(%)
(典型值) 。 53
(典型值) 。 53
Z
S
; Z
L
()
50
50
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
S
V
C
P
D
P
L
T
英镑
T
mb
1.为了控制方式中,安装基座温度,该装置的下侧的适当的散热是必需的。
因此,最好,该设备被安装在一个印刷电路板具有通孔金属化。
直流电源电压
直流控制电压
输入驱动器电源
负载功率
储存温度
运行安装底座的温度;注1
参数
40
30
分钟。
4
20
3.5
+100
+100
马克斯。
8.5
V
V
mW
W
°C
°C
单位
1998年5月13日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频放大器器模块
BGY148A ; BGY148B
特征
Z
S
= Z
L
= 50
;
P
D
= 10毫瓦; V
S
= 6 V; V
C
3.5 V ;牛逼
mb
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
f
参数
频带
BGY148A
BGY148B
I
Q
I
C
P
L
G
p
η
H
2
H
3
VSWR
in
总静态电流
控制电流
负载功率
功率增益
EF网络效率
二次谐波
三次谐波
输入VSWR
控制范围
稳定性
调整V
C
对于P
L
= 3 W
调整V
C
对于P
L
= 3 W
调整V
C
对于P
L
= 3 W
调整V
C
对于P
L
= 3 W
调整V
C
对于P
L
= 3 W
V
C
= 0 3.5 V
P
D
= 5至20毫瓦; V
S
= 5至8.5伏;
P
L
3.5 W;
VSWR
4 : 1 ,通过所有阶段
V
S
= 8.5 V ;调整V
C
对于P
L
= 3.5 W;
VSWR
4 : 1 ,通过所有阶段
V
C
= 0; P
D
= 0
调整V
C
对于P
L
= 3 W
400
430
3
24.8
46
10
53
440
488
100
500
38
38
3:1
60
dB
dBc的
兆赫
兆赫
A
A
W
dB
%
dBc的
dBc的
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
耐用性
没有退化
手册, halfpage
5
MDA207
PL
(W)
4
驻波比= 1:1的
3
驻波比= 3:1
2
1
0
0
20
40
60
80
100
TMB (
o
C)
V
S
= 8.5 V.
图2负载功率降额曲线。
1998年5月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频放大器器模块
BGY148A ; BGY148B
MGD553
手册, halfpage
5
手册, halfpage
60
MGD554
PL
(W)
4
400兆赫
440兆赫
η
(%)
440兆赫
400兆赫
40
3
2
20
1
0
0
1
2
3
VC ( V)
4
0
0
1
2
3
PL (W)的
4
Z
S
= Z
L
= 50
;
P
D
= 10毫瓦; V
S
= 6 V ;牛逼
mb
= 25
°C.
Z
S
= Z
L
= 50
;
P
D
= 10毫瓦; V
S
= 6 V ;牛逼
mb
= 25
°C.
Fig.3
负载功率作为控制电压的函数;
BGY148A ;典型值。
Fig.4
效率随着负载功率的函数;
BGY148A ;典型值。
MGD555
手册, halfpage
5
手册, halfpage
60
MGD556
PL
(W)
4
η
(%)
40
3
2
20
1
0
380
400
420
440
F(兆赫)
460
0
380
400
420
440
F(兆赫)
460
Z
S
= Z
L
= 50
;
P
D
= 10毫瓦; V
S
= 6 V; V
C
= 3.5 V ;牛逼
mb
= 25
°C.
Z
S
= Z
L
= 50
;
P
D
= 10毫瓦; V
S
= 6 V ; P
L
= 3 W ;牛逼
mb
= 25
°C.
Fig.5
负载功率作为频率的函数;
BGY148A ;典型值。
Fig.6
效率作为频率的函数;
BGY148A ;典型值。
1998年5月13日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频放大器器模块
BGY148A ; BGY148B
4
手册, halfpage
MGD557
3.0
VSWRin
2.5
30
H2, H3
( DBC)
40
MGD558
VC
(V)
3
VSWRin
2
VC
50
1
1.5
2.0
H3
H2
0
380
400
420
440
F(兆赫)
1.0
460
60
380
400
420
440
F(兆赫)
460
Z
S
= Z
L
= 50
;
P
D
= 10毫瓦; V
S
= 6 V ; P
L
= 3 W ;牛逼
mb
= 25
°C.
Z
S
= Z
L
= 50
;
P
D
= 2毫瓦; V
S
= 4.8 V ; P
L
= 3 W ;牛逼
mb
= 25
°C.
Fig.7
控制电压和输入电压驻波比为功能
频率; BGY148A ;典型值。
Fig.8
谐波是频率的函数;
BGY148A ;典型值。
手册, halfpage
5
MDA206
PL
(W)
4
400兆赫
440兆赫
3
2
1
0
25
0
25
50
75
100
TMB (
o
C)
Z
S
= Z
L
= 50
;
P
D
= 2毫瓦; V
S
= 4.8 V ;牛逼
mb
= 25
°C.
Fig.9
负载功率为安装基础的功能
温度; BGY148A ;典型值。
1998年5月13日
5
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    -
    -
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23+
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BGY148B
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