飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
混合型CATV放大器模块儿
特点
极低的噪音
卓越的线性度
氮化硅钝化
坚固的结构
镀金保证了出色的可靠性。
应用
在双向CATV系统操作的反向放大器
在5至200兆赫的频率范围。
描述
高性能放大器，电压电源供电
24 V DC在SOT115J封装。
手册， halfpage
BGR269
钉扎SOT115J
针
1
2
3
5
7
8
9
输入
常见
常见
+V
B
常见
常见
产量
描述
1
2
3
5
7
8
9
SIDE VIEW
MSA319
Fig.1简化外形。
快速参考数据
符号
G
p
I
合计
参数
功率增益
总消耗电流（ DC）的
条件
F = 5兆赫
V
B
= 24 V
分钟。
34.5
典型值。
35
马克斯。
35.5
330
单位
dB
mA
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
i
T
mb
T
英镑
RF输入电压
操作安装基座温度
存储温度范围
参数
20
40
分钟。
马克斯。
65
+100
+100
单位
dBmV的
°C
°C
2000 5月1日
2
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
混合型CATV放大器模块儿
包装外形
矩形单端封装;铝法兰; 2个垂直安装孔;
2× 6-32 UNC和2个额外的水平安装孔; 7镀金的在线动态
BGR269
SOT115J
D
E
Z
p
A2
1
A
L
F
S
W
d
U2
B
y
M
B
p
Q
e
e1
q2
q1
y
M
B
y
M
B
b
w
M
2
3
5
7
8
9
c
U1
q
0
5
规模
10 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
A2
A
最大。最大。
9.1
b
c
d
D
E
最大。最大。最大。
e
e1
F
L
分钟。
8.8
p
4.15
3.85
Q
马克斯。
2.4
q
q1
q2
S
U1
U2
马克斯。
8
W
w
y
0.1
Z
马克斯。
3.8
mm 20.8
0.51
0.25 27.2 2.54 13.75 2.54 5.08 12.7
0.38
38.1 25.4 10.2
4.2 44.75
6-32 0.25
UNC
概要
VERSION
SOT115J
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
99-02-06
2000 5月1日
4
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
混合型CATV放大器模块儿
数据表状态
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品
状态
发展
释义
(1)
BGR269
本数据手册包含了设计的目标或目标特定网络阳离子
产品开发。特定网络连接的阳离子可以以任何方式，而不改变
通知。
此数据表包含的初步数据，补充数据将
在稍后的日期出版。飞利浦半导体公司保留权利
在任何时间更改，恕不另行通知，以提高设计和
提供更优秀的产品。
此数据表包含网络最终特定网络阳离子。飞利浦半导体
保留在任何时间更改，恕不另行通知，以正确的
改进设计和提供最好的产品。
初步speci fi cation
QUALI科幻阳离子
产品speci fi cation
生产
记
1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的数据表。
释义
短特定形式的网络阳离子
在短格式中的数据
规格从与一个完整的数据资料中提取
同类型的编号和标题。有关详细信息，请参阅
相关数据表或数据手册。
极限值定义
给定的限值中
按照绝对最大额定值系统
（ IEC 60134 ） 。应力以上的一个或多个限制的
值可能导致器件的永久性损坏。
这些压力额定值的设备，只有经营
在这些或在上述那些的任何其他条件，在给定的
规范的特点部分将得不到保证。
暴露于长时间限制值可能
影响器件的可靠性。
应用信息
应用程序是
本文所述的任何这些产品都是为
仅用于说明目的。飞利浦半导体制作
任何陈述或保证，这些应用将
适于不经进一步测试或指定的使用
修改。
免责声明
生命支持应用
这些产品都没有
专为生活中使用的支持设备，设备或
系统在这些产品的故障可
合理预期造成人身伤害。飞利浦
使用或销售这些产品的半导体客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险和
同意完全赔偿飞利浦半导体的任何
损失从这些应用程序产生的。
有权进行修改
飞利浦半导体
保留修改的权利，恕不另行通知，在
产品，包括电路，标准单元，和/或
软件，为了描述或包含于
提高设计和/或性能。飞利浦
半导体公司不承担任何责任或法律责任
使用任何这些产品，传达没有牌照或标题
任何专利，版权或口罩工作的权利，这些
产品，不作任何陈述或保证的
这些产品均不含专利，版权，或掩码
工作侵权，除非另有说明。
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
2000 5月1日
5
BGR269
200 MHz的35 dB增益反向放大器
版本6 - 2010年8月5日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在SOT115J封装高性能放大器，在电源电压的操作
24 V （ DC ） 。
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2特点和优点
卓越的线性度
氮化硅钝化
坚固的结构
镀金保证了出色的可靠性
35分贝放大到200兆赫
1.3应用
反向放大器的双向CATV系统中的5兆赫至200兆赫
频带
1.4快速参考数据
表1中。
G
p
I
合计
[1]
快速参考数据
条件
F = 5兆赫
F = 200 MHz的
总电流
V
B
= 24 V
[1]
符号参数
功率增益
民
34.5
35
145
典型值
35
-
160
最大
35.5
36
175
单位
dB
dB
mA
该模块正常工作在V
B
= 24伏，但能承受电源瞬变至V
B
= 35 V.
恩智浦半导体
BGR269
200 MHz的35 dB增益反向放大器
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
5
7
8
9
钉扎
描述
输入
常见
常见
+V
B
常见
常见
产量
1 3 5 7 9
1
5
9
简化的轮廓
符号
2 3 7 8
sym095
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BGR269
-
描述
矩形单端封装; FL铝法兰;
2个垂直安装孔; 2
×
6-32 UNC和2个额外的
水平安装孔; 7镀金的在线动态
VERSION
SOT115J
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
i
T
mb
T
英镑
参数
RF输入电压
安装基座的温度
储存温度
范围
条件
民
-
20
40
最大
50
+100
+100
单位
dBmV的
°C
°C
BGR269
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本6 - 2010年8月5日
2第8
恩智浦半导体
BGR269
200 MHz的35 dB增益反向放大器
5.特点
表5 。
特征
带宽5 MHz到200 MHz的; V
B
= 24 V ;牛逼
mb
= 30
°
℃;
S
= Z
L
= 75
Ω
;除非另有规定ED 。
符号参数
G
p
SL
FL
功率增益
斜率直线
条件
F = 5兆赫
F = 200 MHz的
F = 5兆赫至200兆赫
F = 10兆赫至190兆赫
F = 190兆赫到200兆赫
s
11
s
22
s21
s
12
CTB
输入回波损耗
输出回波损耗
相位响应
反向隔离
复合三次差拍
F = 5兆赫至200兆赫
F = 5兆赫至200兆赫
F = 5兆赫
F = 5兆赫至200兆赫
V
o
= 50 dBmV的
6通道持平;在37 MHz的测量
10个通道持平;在67.25 MHz的测量
28路平;在199.25 MHz的测量
X
MOD
交叉调制
V
o
= 50 dBmV的
6通道持平;在37 MHz的测量
10个通道持平;在25 MHz的测量
28路平;在25 MHz的测量
CSO
复合二阶
失真
V
o
= 50 dBmV的
6通道持平;在38 MHz的测量
10个通道持平;在68.5 MHz的测量
28路平;在200.5 MHz的测量
V
o
d
2
NF
I
合计
[1]
[2]
[3]
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[1]
[2]
[3]
[1]
[2]
[3]
民
34.5
35
0.2
0.1
0.1
0.1
20
20
45
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
62
-
-
-
[6]
典型值
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
160
最大
35.5
36
0.6
+0.4
+0.5
+0.4
-
-
+45
42
74
68
57
66
57
50
74
74
66
-
70
5.3
5.5
175
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
度
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBmV的
dB
dB
dB
mA
的频率响应F = 5兆赫至10兆赫的平整度
输出电压
二阶失真
噪声系数
总电流
d
im
=
60
dB
F = 70 MHz的
F = 200 MHz的
145
从以下的频率： 7.00兆赫， 13.00兆赫， 19.00兆赫， 25.00兆赫， 31.00 MHz和37.00 MHz的。
从以下的频率： 7.00兆赫， 13.00兆赫， 19.00兆赫， 25.00兆赫， 31.00兆赫， 37.00兆赫， 43.00兆赫， 55.25兆赫，
61.25 MHz和67.25 MHz的。
从以下的频率： 7.00兆赫， 13.00兆赫， 19.00兆赫， 25.00兆赫， 31.00兆赫， 37.00兆赫， 43.00兆赫， 55.25兆赫，
61.25兆赫， 67.25兆赫， 77.25兆赫， 83.25兆赫， 109.25兆赫， 115.25兆赫， 121.25兆赫， 127.25兆赫， 133.25兆赫， 139.25兆赫，
145.25兆赫， 151.25兆赫， 157.25兆赫， 163.25兆赫， 169.25兆赫， 175.25兆赫， 181.25兆赫， 187.25兆赫， 193.25 MHz和
199.25兆赫。
根据DIN45004B测量;
f
p
= 197.25兆赫; V
p
= V
o
; f
q
= 204.25兆赫; V
q
= V
o
6分贝; F
r
= 206.25兆赫; V
r
= V
o
6分贝;在f测
p
+ f
q
f
r
= 195.25兆赫。
f
p
= 83.25 MHz的; V
p
= 50 dBmV的; F
q
= 115.25兆赫; V
q
= 50 dBmV的;在f测
p
+ f
q
= 198.5兆赫。
该模块正常工作在V
B
= 24伏，但能承受电源瞬变至V
B
= 35 V.
[4]
[5]
[6]
BGR269
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本6 - 2010年8月5日
3 8
恩智浦半导体
BGR269
200 MHz的35 dB增益反向放大器
6.包装外形
矩形单端封装;铝法兰; 2个垂直安装孔;
2× 6-32 UNC和2个额外的水平安装孔; 7镀金的在线动态
D
E
Z
p
SOT115J
A2
1
A
L
F
S
W
d
U2
B
y
M
B
p
Q
e
e1
q2
q1
y
M
B
x
M
B
b
w
M
2
3
5
7
8
9
c
U1
q
0
5
规模
10 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
A2
A
最大。最大。
9.5
b
c
D
马克斯。
d
E
马克斯。
e
e1
F
L
分钟。
p
Q
马克斯。
q
q1
q2
S
U1
U2
W
w
x
y
0.1
Z
马克斯。
3.8
mm 20.8
4.15
2.04
0.51
0.25 27.2
13.75 2.54 5.08 12.7 8.8
3.85
2.54
0.38
2.4 38.1 25.4 10.2 4.2 44.75 8.2 6-32 0.25 0.7
44.25 7.8 UNC
概要
VERSION
SOT115J
参考文献：
IEC
JEDEC
JEITA
欧洲
投影
发行日期
04-02-04
10-06-18
图1 。
BGR269
封装外形SOT115J
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本6 - 2010年8月5日
4 8
QQ：2880707522 复制
