数据表， BGA612 ， 2003年11月
BGA 612
硅锗
B R A D B A N D M M I C A M P丽F I é
MMIC
安全莫胆汁SOLU TI组件
硅片 Discre释
的Ne V é
S T O·P
吨H I N·K I N克。
版2003-11-04
出版英飞凌科技股份公司，
圣 - 马丁大街53 ，
D- 81541慕尼黑
英飞凌科技股份公司2003 。
版权所有。
请注意！
此处的信息是考虑到某些描述部件，不得被视为保证煤焦
Cucumis Sativus查阅全文。
交货条件和权利，以技术变革保留。
在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，关于
电路，说明和图表说明本发明。
在网络连接霓虹灯技术是经过批准的CECC制造商。
信息
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世界各地的EON技术办公室在德国或我们的英飞凌科技的代表（地址列表） 。
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由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息
的问题，请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。
在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面
的在网络连接氖技术批准，如果可以合理预期此类组件的故障引起的故障
生命支持设备或系统，或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持
装置或系统，意在被植入人体，或支持和/或保持和维持
和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其他人的健康可能
受到威胁。
BGA612
数据表
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2003-11-04
2002-05-27
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硅锗
宽带MMIC放大器
BGA612
特点
级联50Ω增益模块
3分贝带宽： DC至2.8 GHz的
17.0分贝典型增益为1.0 GHz的
压缩点P
-1dB
= 7 dBm的2.0 GHz的
噪声系数F
50
= 2.35分贝在2.0 GHz的
绝对稳定
70 GHz的F
T
- 硅锗技术
应用
驱动器放大器，适用于GSM / PCS / CDMA / UMTS
宽带放大器SAT -TV &的LNB
宽带放大器CATV
3
4
2
1
VPS05605
OUT ， 3
描述
该BGA612是宽带匹配，
通用MMIC放大器在
达林顿配置。它优化
对于一20mA的典型电源电流。
该BGA612基于英飞凌
科技的B7HF硅锗
技术。
中，1个
GND ， 2,4
ESD ：
静电放电敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BGA612
数据表
包
SOT343
记号
BNS
4
芯片
T0545
2003-11-04
D上T A秒H E E T，R ê诉2 。 1 ，A P R I L 2 00 8
B G A 6月12日
G上ermanium B roadband MM IC A M PL ifier S伊利奇
S M一L L S I克正一l D同时I S C R等（E S）
版2008-04-24
出版英飞凌科技股份公司，
81726慕尼黑，德国
英飞凌科技股份公司2008年。
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此处的信息给出描述某些组件，不得被认为是一个保证
的特点。
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信息
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警告
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的问题，请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。
在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面
的在网络连接氖技术批准，如果可以合理预期此类组件的故障引起的故障
生命支持设备或系统，或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持
装置或系统，意在被植入人体，或支持和/或保持和维持
和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其他人的健康可能
受到威胁。
BGA612
硅锗MMIC宽带放大器
1
硅锗MMIC宽带放大器
特征
可级联50
Ω增益
块
3分贝带宽： DC至2.8 GHz的
17.5分贝典型增益为1.0 GHz的
压缩点
P
-1dB
= 7 dBm的2.0 GHz的
噪声系数
F
50
= 2.1分贝2 GHz的
绝对稳定
70 GHz的
f
T
- 硅锗技术
1 kV的HBM ESD保护（引脚到引脚）
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
3
4
1
2
SOT343
应用
驱动器放大器，适用于GSM / PCS / CDMA / UMTS
宽带放大器SAT -TV &的LNB
宽带放大器CATV
1 ）含铅封装可提供特殊需求
OUT ， 3
中，1个
GND ， 2,4
图1
描述
BGA612是匹配的宽带，通用MMIC放大器在达灵顿的配置。它优化
对于20mA的电源电流典型
该BGA612基于英飞凌科技公司B7HF硅锗技术。
TYPE
BGA612
包
SOT343
记号
BNS
引脚连接
注意：
ESD ：
静电放电敏感器件，观察处理防范
数据表
4
2.1版， 2008-04-24
BGA612
电气特性
最大额定值
表1
参数
器件电压
器件的电流
到目前在销
输入功率
1)
总功耗，
T
S
< 105℃
2)
结温
环境温度范围
存储温度范围
最大额定值
符号
限值
2.8
80
0.7
10
225
150
-65... 150
-65... 150
1000
单位
V
mA
mA
DBM
mW
°C
°C
°C
V
V
D
I
D
I
in
P
in
P
合计
T
J
T
A
T
英镑
ESD能力的所有引脚（ HBM ： JESD22 - A114 ）V
ESD
1 ）适用于
Z
S
=
Z
L
= 50
,
V
CC
= 5 V,
R
BIAS
= 135
2)
T
S
是在焊接点上测量的接地线
注：所有电压参考GND节点
热阻
表2
参数
热阻
符号
价值
单位
K / W
结 - 焊接点
1)
R
thjs
200
1 ）对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
电气特性
在电气特性
T
A
= 25 ℃（在指定的测试电路测
图2）
V
CC
= 5 V,
R
BIAS
= 135
,
频率= 2 GHz的，除非另有说明
表3
参数
插入功率增益
电气特性
符号
分钟。
值
典型值。
18.0
17.5
16.3
噪声系数（
Z
S
= 50
)
马克斯。
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
mA
2.1版， 2008-04-24
单位
注意： /
测试条件
|S
21
|
2
F
50
1.8
2.0
2.1
f
= 0.1 GHz的
f
= 1.0 GHz的
f
= 2.0 GHz的
f
= 0.1 GHz的
f
= 1.0 GHz的
f
= 2.0 GHz的
输出功率为1 dB增益
压缩
输出三阶截点
输入回波损耗
输出回波损耗
器件总电流
数据表
P
-1dB
OIP
3
RL
in
RL
OUT
I
D
5
7
17
17
17
20
QQ：2881677436 复制
