BGA427
硅MMIC放大器
在SIEGET
25-Technologie
可级联50
Ω增益
块
无条件稳定
增益| S
21
|
2
= 18.5分贝在1.8GHz （ appl.1 ）
增益| S
21
|
2
= 22分贝1.8千兆赫（ appl.2 ）
IP
3out
= +7 dBm的1.8千兆赫（V
D
=3V,
I
D
=9.4mA)
噪声系数
NF
= 2.2分贝在1.8GHz
典型的器件电压
V
D
= 2 V至5 V
反向隔离
＆ GT ;
35分贝（ Appl.2 ）
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
4
3
+
V
3
4
1
2
电路图
IN
1
OUT
2
GND
EHA07378
ESD
（静电
放）
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BGA427
最大额定值
参数
器件的电流
器件电压
记号
血粉
1 ，在
引脚配置
2 ， GND 3 ， + V
4 ，出
包
SOT343
符号
I
D
V
D
,+V
P
合计
P
RFIN
T
j
T
A
T
英镑
价值
25
6
150
-10
150
-65 ... 150
-65 ... 150
单位
mA
V
mW
DBM
°C
总功耗
T
S
= 120 °C
RF输入功率
结温
环境温度范围
存储温度范围
热阻
结 - 焊接点
2)
1
含有铅，
R
thjs
≤
295
K / W
包可能是可根据特殊要求
2
对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
2007-07-12
BGA427
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
值
分钟。
AC特性
V
D
= 3 V,
Z
o
= 50Ω ，的TestFixture Appl.1
插入功率增益
f
= 0.1 GHz的
f
= 1 GHz的
f
= 1.8 GHz的
反向隔离
f
= 1.8 GHz的
噪声系数
f
= 0.1 GHz的
f
= 1 GHz的
f
= 1.8 GHz的
拦截点在输出
f
= 1.8 GHz的
回波损耗输入
f
= 1.8 GHz的
回波损耗输出
f
= 1.8 GHz的
典型配置
Appl.1
+V
100 pF的
RF OUT
1 nF的
BGA 427
100 pF的
在RF
单位
马克斯。
dB
典型值。
|S
21
|
2
-
-
-
-
27
22
18.5
22
-
-
-
-
S12
NF
IP
3out
RL
in
RL
OUT
-
-
-
-
-
-
1.9
2
2.2
+7
>12
>9
-
-
-
-
-
-
DBM
dB
Appl.2
+V
10 nF的
2.2 pF的
100 nH的
100 pF的
100 pF的
RF OUT
GND
EHA07379
BGA 427
100 pF的
在RF
GND
EHA07380
注： 1 ）大的值的电容器应该从管脚3连接到地就在设备
以提供低阻抗路径（ appl.1 ） 。
2 ）通孔就在2脚镀金的使用是印制电路板的应用是必不可少的。瘦
板被推荐以最小化寄生电感接地。
2
2007-07-12
BGA427
晶体管芯片的数据T1 （伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
0.21024
39.251
1.7763
34.368
1.3152
1.3491
3.7265
4.5899
1.3364
0.99532
1.4935
0
3
fA
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
83.23
0.16493
10.526
0.25052
15
1.9289
0.70367
0.3641
0
0.48652
0
0
0.99469
-
A
-
A
V
-
度
-
fF
-
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
1.0405
15.761
0.96647
0.037223
0.21215
0.12691
0.37747
0.19762
96.941
0.08161
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
A
-
V
fF
-
V
eV
K
C' ， E'二极管数据（伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
IS =
2
fA
N=
1.02
-
RS =
20
所有的参数都可以使用了，不结垢是必要的
包装等效电路：
L
2
OUT
C
1
C
2
L
BO
IN
L
BI
C
CB
L
1
14
11
BGA 427
芯片
12
C
BE
L
EI
13
L
CI
L
CO
+V
C' ， E'-
二极管
C
3
C
CE
L
EO
GND
EHA07382
L
BI
=
L
BO
=
L
EI
=
L
EO
=
L
CI
=
L
CO
=
C
BE
=
C
CB
=
C
CE
=
C
1
=
C
2
=
C
3
=
L
1
=
L
2
=
0.36
0.4
0.3
0.15
0.36
0.4
95
6
132
28
88
8
0.6
0.4
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
fF
fF
fF
nH
nH
有效高达3GHz
提取的代表英飞凌科技股份公司通过：
研究所献给美孚- UND Satellitentechnik （ IMST ）
有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的英飞凌科技分销商
或销售办事处获得英飞凌科技的CD -ROM或参阅网址：
http://www.infineon.com/silicondiscretes
4
2007-07-12
BGA427
硅MMIC放大器
在SIEGET 25 TECHNOLOGIE
3
无条件稳定
增益| S
21
|
2
= 18.5分贝在1.8GHz （ appl.1 ）
增益| S
21
|
2
= 22分贝1.8千兆赫（ appl.2 ）
IP
3out
= +7 dBm的1.8千兆赫（V
D
=3V,
I
D
=9.4mA)
噪声系数
NF
= 2.2分贝在1.8GHz
典型的器件电压
V
D
= 2 V至5 V
可级联50
- 获得块
4
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BGA427
最大额定值
参数
器件的电流
器件电压
RF输入功率
结温
环境温度范围
存储温度范围
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs
2
1
VPS05605
3
+
V
反向隔离
35分贝（ Appl.2 ）
4
OUT
电路图
IN
1
2
GND
EHA07378
记号
血粉
1 ，在
引脚配置
2 ， GND 3 ， + V
4 ，出
包
SOT343
符号
I
D
V
D
,+V
P
合计
P
RFIN
T
j
T
A
T
英镑
价值
25
6
150
-10
150
-65 ... 150
-65 ... 150
单位
mA
V
mW
DBM
°C
总功耗
T
S
= 120 °C
295
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Aug-02-2001
BGA427
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
值
分钟。
AC特性
V
D
= 3 V,
Z
o
= 50的TestFixture Appl.1
插入功率增益
|S
21
|
2
f
= 0.1 GHz的
f
= 1 GHz的
f
= 1.8 GHz的
反向隔离
f
= 1.8 GHz的
噪声系数
f
= 0.1 GHz的
f
= 1 GHz的
f
= 1.8 GHz的
拦截点在输出
f
= 1.8 GHz的
回波损耗输入
f
= 1.8 GHz的
回波损耗输出
f
= 1.8 GHz的
典型值。
马克斯。
dB
-
-
-
-
27
22
18.5
22
-
-
-
-
单位
典型配置
Appl.1
+V
100 pF的
RF OUT
1 nF的
BGA 427
100 pF的
在RF
GND
EHA07379
注： 1 ）大的值的电容器应该从管脚3连接到地就在设备
以提供低阻抗路径（ appl.1 ） 。
2 ）通孔就在2脚镀金的使用是印制电路板的应用是必不可少的。瘦
板被推荐以最小化寄生电感接地。
S12
NF
-
-
-
IP
3out
RL
in
RL
OUT
-
-
-
1.9
2
2.2
+7
>12
>9
-
-
-
-
-
-
DBM
dB
Appl.2
+V
10 nF的
2.2 pF的
100 nH的
100 pF的
100 pF的
RF OUT
BGA 427
100 pF的
在RF
GND
EHA07380
2
Aug-02-2001
BGA427
晶体管芯片的数据T1 （伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
0.21024
39.251
1.7763
34.368
1.3152
1.3491
3.7265
4.5899
1.3364
0.99532
1.4935
0
3
fA
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
83.23
0.16493
10.526
0.25052
15
1.9289
0.70367
0.3641
0
0.48652
0
0
0.99469
-
A
-
A
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
1.0405
15.761
0.96647
0.037223
0.21215
0.12691
0.37747
0.19762
96.941
0.08161
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
A
-
V
-
度
-
fF
-
-
fF
-
V
eV
K
C' ， E'二极管数据（伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
所有的参数都可以使用了，不结垢是必要的
包装等效电路：
L
2
OUT
C
1
C
2
L
BO
IN
L
BI
C
CB
L
1
14
11
BGA 427
芯片
12
C
BE
L
EI
13
L
CI
L
CO
+V
C' ， E'-
二极管
C
3
C
CE
L
EO
GND
EHA07382
L
BI
=
L
BO
=
L
EI
=
L
EO
=
L
CI
=
L
CO
=
C
BE
=
C
CB
=
C
CE
=
C
1
=
C
2
=
C
3
=
L
1
=
L
2
=
0.36
0.4
0.3
0.15
0.36
0.4
95
6
132
28
88
8
0.6
0.4
有效高达3GHz
提取的代表英飞凌科技股份公司通过：
研究所献给美孚- UND Satellitentechnik （ IMST ）
有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的英飞凌科技分销商
或销售办事处获得英飞凌科技的CD -ROM或参阅网址：
http://www.infineon.com/silicondiscretes
4
Aug-02-2001
IS =
2
fA
N=
1.02
-
RS =
20
V
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
fF
fF
fF
nH
nH
BGA 427
硅MMIC放大器
在SIEGET
25-Technologie
初步数据
可级联50
Ω增益
块
无条件稳定
增益| S
21
|
2
= 18.5 dB的在1.8GHz （ appl.1 ）
增益| S
21
|
2
= 22分贝1.8千兆赫（ appl.2 ）
IP
3out
= +7 dBm的1.8千兆赫（V
D
=3V,
I
D
=9.4mA)
噪声系数
NF
= 2.2分贝在1.8GHz
典型的器件电压
V
D
= 2 V至5 V
反向隔离< 35分贝（ appl.2 ）
4
3
4
2
1
VPS05605
3
+
V
OUT
电路图
IN
1
2
GND
EHA07378
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BGA 427
参数
订购代码标识
血粉
Q62702-G0067
引脚配置
1 ，在
2 ， GND
符号
包
3, +V
4 ，出
价值
25
6
150
-10
150
-65 ...+150
-65 ...+150
SOT-343
单位
mA
V
mW
DBM
°C
最大额定值
器件的电流
器件电压
总功耗，
T
S
≤
TBD ℃，
I
D
V
D
,+V
P
合计
P
RFIN
T
j
T
A
T
英镑
1)
R
F
输入功率
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
R
thjs
≤
待定
K / W
1)
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的发射极（GND）的引线
半导体集团
半导体集团
1
1
Au
1998-11-01
-11-1998
BGA 427
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
值
分钟。
AC特性
V
D
= 3 V,
Z
o
= 50W ，的TestFixture Appl..1
插入功率增益
|
S
21
|
2
f
= 0.1 GHz的
f
= 1 GHz的
f
= 1.8 GHz的
反向隔离
f
= 1.8 GHz的
噪声系数
f
= 0.1 GHz的
f
= 1 GHz的
f
= 1.8 GHz的
拦截点在输出
f
= 1.8 GHz的
回波损耗输入
f
= 1.8 GHz的
回波损耗输出
f
= 1.8 GHz的
S12
典型值。
马克斯。
dB
-
-
-
-
27
22
28.5
22
-
-
-
-
单位
NF
-
-
-
1.9
2
2.2
+7
>12
>9
-
-
-
-
-
-
DBM
dB
IP
3out
RL
in
RL
OUT
-
-
-
典型配置
Appl.1
+V
100 pF的
RF OUT
1 nF的
BGA 427
100 pF的
在RF
Appl.2
+V
10 nF的
2.2 pF的
100 nH的
100 pF的
100 pF的
RF OUT
GND
EHA07379
BGA 427
100 pF的
在RF
GND
EHA07380
注： 1 ）大的值的电容器应该从管脚3连接到地就在设备
以提供低阻抗路径！ （ appl.1 ）
2 ）通孔就在2脚镀金的使用是印制电路板的应用是必不可少的。瘦
董事会建议，以减少寄生电感接地！
半导体集团
半导体集团
2
2
Au
1998-11-01
-11-1998
BGA 427
S参数在
T
A
= 25 ° C， （的TestFixture ， Appl.1 ）
f
GHz的
S
11
MAG
昂
MAG
S
21
昂
MAG
S
12
昂
MAG
S
22
昂
-
0.1
0.2
0.5
0.8
0.9
1
1.5
1.8
1.9
2
2.5
3
0.1382
0.1179
0.1697
0.1824
0.1782
0.176
0.1827
0.1969
0.2021
0.2116
0.2437
0.258
-38.3
-16
-20.8
-56.9
-69.1
-80.6
-133.5
-156.1
-162.8
-167.7
172.8
153.3
24.821
24.606
22.236
18.258
17.152
15.786
10.923
9.029
8.486
8.015
6.259
5.103
164.9
158.9
135.2
115.4
109.4
104
84.9
77
74.7
72.3
63
55
0.0022
0.0046
0.0104
0.0169
0.0194
0.0225
0.0385
0.0479
0.0517
0.0549
0.0709
0.0892
50.7
71.8
83.8
94.8
97.3
98.3
99.7
99.3
98.9
98.8
97.1
96.9
0.6435
0.6278
0.54
0.4453
0.4326
0.4129
0.3852
0.3917
0.3946
0.3991
0.4202
0.4477
174.8
166.9
147.3
140.2
139.4
138.1
139.6
139.3
138.8
138.3
134.6
131
辣妹模型BGA 427
BGA 427芯片
包括寄生
+V
13
R
2
T2
R
1
R
3
C' ， E'-
二极管
14
OUT
IN
11
C
1
T1
C
P3
C
P4
C
P5
R
4
C
P1
C
P2
12
GND
EHA07381
T1
T2
R
1
R
2
R
3
R
4
C
1
C
P1
C
P2
C
P3
C
P4
T501
T501
14.5k
280
2.4k
170
2.3pF
0.2pF
0.2pF
0.6pF
0.1pF
0.1pF
C
P5
C' ， E'二极管T1
半导体集团
半导体集团
3
3
Au
1998-11-01
-11-1998
BGA 427
晶体管芯片的数据T1 （伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
0.21024
39.251
1.7763
34.368
1.3152
1.3491
3.7265
4.5899
1.3364
0.99532
1.4935
0
3
aA
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
83.23
0.16493
10.526
0.25052
15
1.9289
0.70367
0.3641
0
0.48652
0
0
0.99469
-
A
-
A
V
-
度
-
fF
-
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
1.0405
15.761
0.96647
0.037223
0.21215
0.12691
0.37747
0.19762
96.941
0.08161
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
mA
-
V
fF
-
V
eV
K
C' ， E'二极管数据（伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
IS =
2
fA
N=
1.02
-
RS =
20
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的
包装等效电路：
L
2
OUT
C
1
C
2
L
BO
IN
C
CB
L
1
14
C
3
L
BI
11
BGA 427
芯片
12
13
L
CI
L
CO
+V
C
BE
L
EI
C' ， E'-
二极管
C
CE
L
EO
GND
EHA07382
L
BI
=
L
BO
=
L
EI
=
L
EO
=
L
CI
=
L
CO
=
C
BE
=
C
CB
=
C
CE
=
C
1
=
C
2
=
C
3
=
L
1
=
L
2
=
0.36
0.4
0.3
0.15
0.36
0.4
95
6
132
28
88
8
0.6
0.4
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
fF
fF
fF
nH
nH
有效高达3GHz
提取的代表西门子小信号半导体用
研究所献给美孚- UND Satellitentechnik （ IMST ）
1996年SIEMENS AG
有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的西门子分销商或销售办事处
获得西门子的CD -ROM或参阅网址： http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm
半导体集团
半导体集团
4
4
Au
1998-11-01
-11-1998
QQ：2880707522 复制
