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BGA 318
硅双极MMIC放大器
初步数据
可级联50
Ω增益
块
16分贝典型增益为1.0 GHz的
12 dBm的典型
P
-1dB
在1.0 GHz的
3分贝带宽： DC至1.2 GHz的
1
RF输出/偏置
3
4
2
1
VPS05178
在RF
3
电路图
2, 4
EHA07312
GND
TYPE
订购代码标识
Q62702-G0043
引脚配置
1 RFOUT /偏置2 GND 3 RFinput
包
4 GND SOT -143
BGA 318贝叶斯
最大额定值
参数
器件的电流
符号
价值
60
250
5
150
-65 ...+150
-65 ...+150
单位
mA
mW
DBM
°C
I
D
P
合计
P
RFIN
T
j
T
A
T
英镑
1)
总功耗，
T
S
≤
99 °C
R
F
输入功率
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
R
thjs
≤
205
K / W
1)
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
半导体集团
半导体集团
1
1
Sep-04-1998
1998-11-01
BGA 318
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
符号
值
参数
分钟。
AC特性
(
V
D
= 4.7 V,
Z
o
= 50
)
插入功率增益
|
S
21
|
2
-
-
-
|
S
21
|
2
-
18
16
12
+-0.7
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
dB
f
= 0.1 GHz的
f
= 1 GHz的
f
= 1.8 GHz的
插入点的增益平坦度
f
= 0.1 GHz至0.6 GHz的
噪声系数
NF
-
-
-
-
-
-
3.5
4
5
12
14
10
-
-
-
-
-
-
DBM
dB
f
= 0.1 GHz的
f
= 1 GHz的
f
= 2 GHz的
1dB压缩点
P
-1dB
RL
in
RL
OUT
f
= 1 GHz的
回波损耗输入
f
= 0.1 GHz至2 GHz的
回波损耗输出
F = 0.1千兆赫至3千兆赫
典型的偏置CON组fi guration
分钟。
V
CC
= 7 V
R
BIAS
Ι
D
RFC （可选）
4
3
2
EHA07313
半导体集团
半导体集团
2
2
C
块
IN
1
C
块
V
D
OUT
R
BIAS
=
V
CC
-
V
D
/
I
D
V
D
= 4.7V
Sep-04-1998
1998-11-01
BGA 318
S参数在
T
A
= 25 °C
f
GHz的
S
11
MAG
昂
MAG
S
21
昂
MAG
S
12
昂
MAG
S
22
昂
V
D
= 4.7 V,
Z
o
= 50
0.01
0.196
0.2
0.1
0.193
-4.8
0.3
0.194
-14.4
0.5
0.191
-25.9
0.8
0.184
-45
1
0.175
-60.3
1.9
0.185
-130.6
2.4
0.241
-170.6
3
0.298
159.6
8.01
8
7.75
7.28
6.43
5.83
3.91
2.99
2.38
178.9
171.6
155.4
139.9
119.1
106.8
67.6
45.5
27.6
0.077
0.078
0.082
0.089
0.105
0.117
0.164
0.193
0.218
0.6
4.9
13.8
21.1
27.9
30.2
30.2
26.8
22.8
0.327
0.324
0.312
0.294
0.26
0.238
0.184
0.173
0.178
-0.5
-8.6
-25
-41.2
-62.9
-76.2
-113
-124.4
-131.2
插入功率增益
|S
21
|
2
=
f
(
f
)
噪声系数
NF
=
f
(
f
)
V
D
= 4.7V,
I
D
= 35毫安
25
V
D
= 4.7V,
I
D
= 35毫安
10
dB
dB
|S
21
|
2
15
NF
0
1
6
10
4
5
2
0
-1
10
10
GHz的
10
0
-1
10
10
0
GHz的
10
1
f
f
半导体集团
半导体集团
3
3
Sep-04-1998
1998-11-01
BGA 318
输出功率1 dB的增益压缩
P
-1dB
=
f
(
f
)
V
D
= 4.7V,
I
D
= 35毫安
20
DBM
P
-1dB
10
5
0
-1
10
10
0
GHz的
10
1
f
半导体集团
半导体集团
4
4
Sep-04-1998
1998-11-01
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