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分立半导体
数据表
M3D452
BGA2031
MMIC可变增益放大器器
初步speci fi cation
取代1999年的数据02月26日
1999年7月23日
飞利浦半导体
初步speci fi cation
MMIC可变增益放大器器
特点
高增益
出色的相邻信道功率抑制
小型SMD封装
低功耗。
应用
用于低电压的通用可变增益放大器
中小功率
这需要良好的驱动功率放大器系统
线性，例如CDMA，两个蜂窝频带（ 850 MHz）的
和PCS （ 1.9千兆赫） 。这是因为，高输出功率的
功率和良好的线性。
描述
硅Monolitic微波集成电路（ MMIC）
在双多晶硅2级可变增益放大器
技术在一个5针SOT551A塑料SMD封装的
低电压的中等功率应用。
钉扎
针
1
2
3
4
5
在RF
CTRL
V
S1
V
S2
+ RF输出
GND
BGA2031
描述
手册， halfpage
VS1
4
RFIN
VS2+RFout
GND
5
1
顶视图
2
3
CTRL
BIAS
电路
MAM429
标识代码：
G1.
Fig.1简化外形（ SOT551A ）和符号。
快速参考数据
符号
V
S1
, V
S2
I
S
参数
电源电压
电源电流为引脚3 + 4针
V
CTRL
= 0
V
CTRL
= 2.7 V; V
S
= 3.6 V
V
CTRL
= 2.4 V; V
S
= 3 V
P
L
ACPR
G
p
G
负载功率
邻道功率抑制
功率增益
增益控制范围
1 dB增益压缩点;
F = 1.9 GHz的
F = 1.9 GHz的; P
L
= 12 dBm的
F = 836 MHz的; P
L
= 8 dBm的
F = 1.9 GHz的; P
L
= 12 dBm的
F = 836 MHz的; P
L
= 8 dBm的
F = 836 MHz的; P
L
= 8 dBm的
条件
0
51
30
13.5
48
55
26
27
70
典型值。
3.6
63
37
马克斯。
4.1
单位
V
A
mA
mA
DBM
dBc的
dBc的
dB
dB
dB
1999年7月23日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
MMIC可变增益放大器器
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）
符号
V
S
I
CTRL
I
S1
I
S2
P
D
P
合计
T
英镑
T
j
参数
直流电源电压
控制电流
目前进入第3脚
目前到4针
驱动电源
总功耗
储存温度
工作结温
T
s
≤
90
°C
V
CTRL
= 2.7 V;
V
S1
= 4.2 V; V
S2
= 4.2 V
V
S1
= 4.2 V
V
S2
= 4.2 V
条件
65
分钟。
BGA2031
马克斯。
4.2
1.2
27
50
TBF
280
+150
150
V
单位
mA
mA
mA
DBM
mW
°C
°C
热阻
符号
R
第j个-S
参数
热阻结
焊锡点
条件
P
合计
= 280毫瓦;牛逼
s
≤
90
°C
价值
215
单位
K / W
1999年7月23日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
MMIC可变增益放大器器
特征
T
j
= 25
°C;
Z
S
= Z
L
= 50
;
V
S
= 3.6 V ;除非另有规定ED 。
符号
f
V
S1
, V
S2
I
S
参数
频带
电源电压
电源电流
（在引脚3 + 4针）
V
CTRL
= 0
V
CTRL
= 2.7 V; V
S
= 3.6 V
V
CTRL
= 2.4 V; V
S
= 3 V
I
CTRL
F = 1900 MHz的
f
G
P
G
G
CS
ACPR
频带
功率增益
增益控制范围
增益控制斜率
V
CTRL
= 2.7 V ; P
L
= 12 dBm的
0℃， V
CTRL
＆ LT ; 2.7 V
中间
G
1850
824
V
CTRL
= 2.7 V ; P
L
= 8 dBm的
0℃， V
CTRL
＆ LT ; 2.7 V
中间
G
26
61
38
48
67
13.5
TBF
1:3.5
1:1.6
27
70
40
55
69
12
TBF
1:2
1:1.7
控制电流
V
CTRL
= 2.7 V
条件
分钟。
800
2.7
39
23
0.7
3.6
0
51
30
0.92
典型值。
BGA2031
马克斯。
2500
4.1
10
63
37
1.1
单位
兆赫
V
A
mA
mA
mA
1950
849
兆赫
dB
dB
分贝/ V
dBc的
dBc的
DBM
dBm / Hz计
邻道功率
±1.23
MHz偏移; BW
ACP
= 30千赫;
拒绝
BW
支架
= 1.23 MHz的; P
L
= 10 dBm的
±1.98
MHz偏移; BW
ACP
= 30千赫;
BW
支架
= 1.23 MHz的; P
L
= 10 dBm的
P
L
P
N
VSWR
IN
VSWR
OUT
F = 836 MHz的
f
G
P
G
G
CS
ACPR
负载功率
噪声功率
输入VSWR
输出VSWR
1 dB增益压缩点
在CDMA接收频段
(1895
1955年兆赫）
V
CTRL
= 2.7 V
V
CTRL
= 2.7 V
频带
功率增益
增益控制范围
增益控制斜率
兆赫
dB
dB
分贝/ V
dBc的
dBc的
DBM
dBm / Hz计
邻道功率
±885
kHz偏置; BW
ACP
= 30千赫;
拒绝
BW
支架
= 1.23 MHz的; P
L
= 8 dBm的
±1.98
MHz偏移; BW
ACP
= 30千赫;
BW
支架
= 1.23 MHz的; P
L
= 8 dBm的
P
L
P
N
VSWR
IN
VSWR
OUT
负载功率
噪声功率
输入VSWR
输出VSWR
1 dB增益压缩点
在CDMA接收频段
（ 869至894兆赫）
V
CTRL
= 2.7 V
V
CTRL
= 2.7 V
1999年7月23日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
MMIC可变增益放大器器
BGA2031
MGS529
MGS530
手册， halfpage
60
手册， halfpage
16
IS （ TOT ）
（MA ）
40
PL
（ dBm的）
(3)
(2)
(1)
12
8
4
20
0
836兆赫
1900兆赫
0
0
V
S
= 3.6 V.
(1) T
AMB
=
30 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 85
°C.
1
2
VCTRL （Ⅴ） 3
4
30
20
PD（ dBm的）
10
V
S
= 3.6 V; V
C
= 2.7 V.
Fig.2
总电源电流控制功能
电压;典型值。
Fig.3
加载电源作为驱动电源的函数;
典型值。
手册， halfpage
40
MGS531
手册， halfpage
40
MGS532
GP
（ dB）的
20
(1)
(2)
GP
（ dB）的
20
(1)
0
(3)
(2)
0
(3)
20
20
40
40
60
0
1
2
VCTRL （Ⅴ） 3
0
1
2
VCRTL （Ⅴ） 3
V
S
= 3.6 V ; F = 1.9千兆赫。
(1) T
AMB
=
30 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 85
°C.
V
S
= 3.6 V ; F = 836兆赫。
(1) T
AMB
=
30 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 85
°C.
Fig.4
功率增益作为控制电压的函数;
典型值。
Fig.5
功率增益作为控制电压的函数;
典型值。
1999年7月23日
5
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