BeRex
5-4000兆赫可级联的InGaP HBT增益模块
设备特点
31dBm的输出IP3为2dBm的/音在900MHz
18分贝增益为500MHz
P1dB为17.5dBm由可得到在900MHz
高度可靠的InGaP /砷化镓HBT技术
温度补偿电路专利
SOT- 89表面贴装封装
50欧姆的可级联
无铅/绿色/ RoHS标准
Application :
商业,航天,军事无线系统
电气规格(T
a
= 25C , VS = 5V )
参数
测试条件
频带
收益
500兆赫
900兆赫
1900兆赫
2450兆赫
500兆赫
900兆赫
1900兆赫
2450兆赫
500兆赫
900兆赫
1900兆赫
2450兆赫
500兆赫
900兆赫
1900兆赫
2450兆赫
500兆赫
900兆赫
1900兆赫
2450兆赫
VC = 5.0V
BG17C
民
5
17.0
16.8
15.4
14.6
典型值
18.0
17.8
16.4
15.6
-20.0
-16.0
-35.0
-20.0
-17.0
-17.0
-15.0
-12.0
31.0
31.0
30.0
29.0
17.1
17.5
17.0
16.1
55
5.0
-0.004
50
最大
4000
19.0
18.8
17.4
16.6
单位
兆赫
dB
S11
dB
S22
dB
OIP3
P1dB
Ic
Vc
DG /胸苷
RTH
29.0
29.0
28.0
27.0
16.1
16.5
16.0
15.1
45
DBM
DBM
65
mA
V
分贝/°C的
° C / W
热阻
试验条件下,除非另有说明。
1.设备的性能,在25℃ , 50欧姆系统测量BeRex评估板。
2.测量OIP3有两个音在2dBm的/音调由1MHz的分开的输出功率。
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BeRex
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
结温
工作电压
电源电流
输入射频功率
BG17C
等级
-40至+ 85°C
-55 + 155℃
+220C
6.5V
150mA
23dBm
该设备上面这些参数的操作,可能会导致永久性损坏。
[ I-V特性]
100
[通用SOT89评估板]
+25C
80
ICC [马]
-30C
+85C
BeRex
评价
板
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
MMIC创新
VCC [V]的
*介电常数为4.2
* RF图形宽度52mil
* 31mil厚FR4印刷电路板
应用电路: 5 - 4000兆赫
原理图
C3
C4
C5
+5V
BOM
C1
C2
100pF
100pF
100pF
1000pF
10uF
33nH
公差
±5%
±5%
±5%
±5%
±20%
5%
L1
RFIN
C1
BG17C
C3
C2
RFOUT
C4
C5
*L1
*注:小于20nH提高RF性能,频率超过1.9GHz的。
40nH或更高值L1提高RF性能,在500MHz的频率下。
L1的最佳值可能与电路板的设计有所不同
.
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BeRex
典型的设备数据
S参数(VC = 5V , IC = 55毫安, T = 25C )
BG17C
( Vdevice = 5.0V ,电流Icc = 55毫安, T = 25
C)
频率
[兆赫]
100
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
S11
MAG
0.69
0.18
0.05
0.01
0.09
0.20
0.27
0.25
0.11
S11
昂
-38.43
-118.50
160.30
37.15
-127.10
-163.40
168.40
137.30
108.30
S21
MAG
4.94
7.99
7.76
7.31
6.49
6.07
5.57
5.33
5.18
S参数
S21
昂
-122.90
126.10
48.67
-22.00
-91.16
-156.00
142.10
76.86
10.32
S12
MAG
0.04
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
0.09
S12
昂
86.86
-28.03
-90.43
-144.70
162.40
111.90
61.34
9.56
-45.02
S22
MAG
0.77
0.18
0.08
0.16
0.25
0.31
0.35
0.31
0.16
S22
昂
170.20
39.68
-78.90
-154.80
175.50
156.20
134.50
104.60
47.31
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BeRex
BG17C
典型性能(VC = 5V , IC = 55毫安,TA = 25C )
频率
兆赫
500
900
1900
2140
S21
dB
18.0
17.8
16.4
16.0
S11
dB
-15.0
-14.0
-24.0
-16.0
S22
dB
-14.0
-22.0
-12.0
-11.0
P1
DBM
17.1
17.5
17.0
17.0
OIP3
DBM
31.0
31.0
30.0
30.0
NF
dB
3.8
3.9
4.0
4.0
2450
15.6
-14.0
-10.0
16.1
29.0
4.0
3000
15.0
-11.0
-9.0
15.2
28.0
4.2
3500
14.9
-20
-12.1
15
27.5
4.2
典型性能(V设备= 4.7 V, IC = 43 mA时, TA = 25 ℃ )
频率
S21
S11
S22
P1
OIP3
NF
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
70
20.0
-13
-5.9
13.9
28.5
3.8
500
18.0
-20.2
-10.9
14.4
26
3.8
900
17.6
-24
-14.7
14.9
27.5
3.9
1900
16.0
-15.3
-10.4
14.2
27.5
4.0
2140
15.8
-14.6
-10.1
13.9
26.5
4.0
2450
15.5
-16.7
-11.2
14.6
27
4.0
3500
14.7
-18.9
-11.9
14.0
26
4.2
典型性能(V设备= 4.5 V , IC = 37 mA时, TA = 25
℃)
频率
S21
S11
S22
P1
OIP3
NF
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
70
19.5
-12.5
-5.8
13.6
27.5
3.8
500
17.8
-18.7
-10.5
14.3
27.0
3.8
900
17.4
-21.7
-13.9
14.3
24.5
3.9
1900
15.9
-14.7
-10.1
13.7
24.5
4.0
2140
15.7
-14.1
-9.7
13.2
24
4.0
2450
15.3
-16.1
-10.9
12.7
24.0
4.0
3500
14.6
-18
-11.6
12.5
23.5
4.2
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