【小信号晶体管TO- 39案例（续）型号描述VCBO(V)VCEO(V)* VCERVEBO(V)IC】,IC型号BFY50,BFY50 PDF资料,BFY50经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管

TO- 39案例（续）

型号

描述

VCBO

(V)

VCEO

(V)

* VCER

VEBO

(V)

ICBO @

(A)

* ICEO

** ICES

*** ICEV

**** ICER

0.50

0.10

0.05

0.01

0.02**

0.10

0.05

0.03**

0.075

500**

0.01

0.10**

10

100

0.03**

0.50

0.10**

0.01

0.07

0.10

30

50

40

100

60

40

30

60

50

100

20

25

30

60

80

40

60

80

60

40

50

60

75

60

80

40

60

80

60

50

30

VCB

(V)

的hFE

@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC的fT

（毫安）（V ）

(V)

（毫安）（兆赫）

* TYP

COB

（PF ）

* TYP

吨

（纳秒）

* TYP

花花公子

（纳秒）

* TYP

NF

（ dB）的

* TYP

民

BFX86

BFX87

BFX88

BFX98

BFY50

BFY51

BFY52

BFY55

BFY56A

BFY57

BFY63

BFY64

BFY68A

BSS44

BSS46

BSV12

BSV15

BSV16

BSV17

BSV64

BSW65

BSW66

BSW67

BSW68

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN HIGH CURRENT

NPN高压

45

50

40

150

80

60

40

80

85

125

30

40

60

65

85

80

40

60

90

100

80

100

120

150

80

100

120

70

60

80

100

75

60

民

35

50

40

150

35

30

20

35

55

125

15

40

25

60

80

40

60

80

100

120

150

40

60

80

45

30

45

40

60

80

30

40

25

民

6.0

4.0

6.0

7.0

5.0

4.0

5.0

6.0

5.0

6.0

7.0

5.0

7.0

5.0

民

70

40

15

30

40

60

40

30

20

80

75

40

25

63

40

30

40

30

63

40

100

25

40

最大

300

--

120

150

120

--

250

160

--

250

160

90

250

160

120

300

--

120

150

100

150

30

50

10

2,000

500

100

2,000

100

500

100

500

1,000

150

100

150

10

1.0

10

5.0

10

2.0

1.0

2.0

5.0

1.0

10

1.0

10

最大

1.00

0.40

1.00

1.60

1.6

1.00

1.50

0.30

0.50

1.50

1.00

1.40

0.50

1.00

0.90

1.00

1.30

0.80

0.20

1.00

0.80

500

150

25

1,000

50

150

5.0

100

500

5.0K

1,000

500

1,000

2,000

150

500

150

民

--

100

12

--

60

50

60

--

200

--

80*

--

50

100*

80*

50

250

30

100

--

100*

最大

--

12

60

--

12

25

--

10

--

100

--

30

80

35

25

20

15

10

70

25

--

最大

--

60

150

--

225

--

50

--

65*

--

500

600

最大

--

150

--

800

--

120

--

450*

--

1,200

最大

--

3.5*

--

300* 1,000*

500* 1,000*

--

35

40

50

300

--

60

70

100

1,500

--

BSW68A NPN幅度/ SWITCH

BSX45

BSX46

BSX47

BSX59

BSX60

BSX61

BSX62

BSX63

BSX64

BSX95

BSX96

BSY34

BSY51

NPN幅度/ SWITCH

NPN核心驱动力

NPN HIGH CURRENT

NPN幅度/ SWITCH

66

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

小信号晶体管

TO- 39案例（续）

型号

描述

VCBO

(V)

VCEO

(V)

* VCER

VEBO

(V)

ICBO @

(A)

* ICEO

** ICES

*** ICEV

**** ICER

0.50

0.10

0.05

0.01

0.02**

0.10

0.05

0.03**

0.075

500**

0.01

0.10**

10

100

0.03**

0.50

0.10**

0.01

0.07

0.10

30

50

40

100

60

40

30

60

50

100

20

25

30

60

80

40

60

80

60

40

50

60

75

60

80

40

60

80

60

50

30

VCB

(V)

的hFE

@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC的fT

（毫安）（V ）

(V)

（毫安）（兆赫）

* TYP

COB

（PF ）

* TYP

吨

（纳秒）

* TYP

花花公子

（纳秒）

* TYP

NF

（ dB）的

* TYP

民

BFX86

BFX87

BFX88

BFX98

BFY50

BFY51

BFY52

BFY55

BFY56A

BFY57

BFY63

BFY64

BFY68A

BSS44

BSS46

BSV12

BSV15

BSV16

BSV17

BSV64

BSW65

BSW66

BSW67

BSW68

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN HIGH CURRENT

NPN高压

45

50

40

150

80

60

40

80

85

125

30

40

60

65

85

80

40

60

90

100

80

100

120

150

80

100

120

70

60

80

100

75

60

民

35

50

40

150

35

30

20

35

55

125

15

40

25

60

80

40

60

80

100

120

150

40

60

80

45

30

45

40

60

80

30

40

25

民

6.0

4.0

6.0

7.0

5.0

4.0

5.0

6.0

5.0

6.0

7.0

5.0

7.0

5.0

民

70

40

15

30

40

60

40

30

20

80

75

40

25

63

40

30

40

30

63

40

100

25

40

最大

300

--

120

150

120

--

250

160

--

250

160

90

250

160

120

300

--

120

150

100

150

30

50

10

2,000

500

100

2,000

100

500

100

500

1,000

150

100

150

10

1.0

10

5.0

10

2.0

1.0

2.0

5.0

1.0

10

1.0

10

最大

1.00

0.40

1.00

1.60

1.6

1.00

1.50

0.30

0.50

1.50

1.00

1.40

0.50

1.00

0.90

1.00

1.30

0.80

0.20

1.00

0.80

500

150

25

1,000

50

150

5.0

100

500

5.0K

1,000

500

1,000

2,000

150

500

150

民

--

100

12

--

60

50

60

--

200

--

80*

--

50

100*

80*

50

250

30

100

--

100*

最大

--

12

60

--

12

25

--

10

--

100

--

30

80

35

25

20

15

10

70

25

--

最大

--

60

150

--

225

--

50

--

65*

--

500

600

最大

--

150

--

800

--

120

--

450*

--

1,200

最大

--

3.5*

--

300* 1,000*

500* 1,000*

--

35

40

50

300

--

60

70

100

1,500

--

BSW68A NPN幅度/ SWITCH

BSX45

BSX46

BSX47

BSX59

BSX60

BSX61

BSX62

BSX63

BSX64

BSX95

BSX96

BSY34

BSY51

NPN幅度/ SWITCH

NPN核心驱动力

NPN HIGH CURRENT

NPN幅度/ SWITCH

66

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

BFY50

机械数据

尺寸mm （英寸）

8.89 (0.35)

9.40 (0.37)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

中功率放大器

NPN硅平面

晶体管

描述

4.19 (0.165)

4.95 (0.195)

12.70

(0.500)

分钟。

0.89最大。

(0.035)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

DIA 。

该BFY50是硅平面外延NPN

晶体管JEDEC的TO39金属外壳。他们

旨在用于一般用途的直链和

切换应用程序

5.08 (0.200)

典型值。

2

1

0.66 (0.026)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

2.54

(0.100)

3

45

TO39封装

仰视图

引脚1 - 发射极

引脚2 =管脚3 =收藏家

绝对最大额定值

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

P

合计

T

英镑，

T

j

R

J-情况

R

J- AMB

集热器

–

基极电压

集热器

–

发射极电压

辐射源

–

基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

总功率耗散@ T

AMB

25°C

@ T

例

25°C

存储和Operatuing结温

热阻结到外壳

热阻结到环境

80V

35V

6V

1A

1.5A

0.8W

5W

-65 ℃200℃

35 ° C / W

218 ° C / W

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

Prelim.02/00

BFY50

电气特性

（温度上限= 25 ° C除非另有说明）

参数

V

（ BR ） CBO *

V

（ BR ） CEO *

V

（ BR ） EBO *

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

基地 - 发射极饱和电压

测试条件

I

C

= 100

m

A

I

C

= 100毫安

V

CB

= 60V

V

EB

= 5V

I

C

= 150毫安

I

C

= 1A

I

C

= 150毫安

I

C

= 1A

I

C

= 10毫安

I

C

= 150毫安

I

C

= 1毫安

I

E

= 0

I

B

= 0

I

E

= 100

m

A

I

E

= 0

T

C

= 100°C

I

C

= 0

T

C

= 100°C

I

E

= 15毫安

I

B

= 0.1A

I

B

= 15毫安

I

B

= 0.1A

V

CE

= 10V

V

CE

= 10V

V

CE

= 10V

分钟。

80

35

6

典型值。

MAX 。 UNIT

V

50

2.5

50

2.5

nA

m

集电极 - 发射极击穿电压I

C

= 30毫安

A

nA

m

0.14

0.7

0.95

1.5

20

30

15

40

55

30

0.2

1

1.3

2

V

h

FE *

直流电流增益

—

动态特性

（温度上限= 25 ° C除非另有说明）

参数

h

fe

h

ie

h

rE

HOE

测试条件

V

CE

= 6V

V

CE

= 6V

V

CE

= 5V

V

CE

= 5V

V

CE

= 5V

V

CB

= 5V

V

CE

= 10V

I

B1

= 15毫安

I

C

= 1毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 10毫安

I

E

= 10毫安

I

C

= 50毫安

V

BE

= -2V

F = 1kHz时

F = 1.KHz

分钟。

典型值。

25

45

180

MAX 。 UNIT

—

W

小信号电流增益

开关输入阻抗

反向电压比

输出导纳

集电极基极电容

Transistion频率

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

55 x10

.6

30

10

60

100

15

40

300

60

—

m

S

C

CBO

f

T

t

d

t

r

t

s

t

f

pF

兆赫

I

C

= 150毫安V

CC

= 10V

I

C

= 150毫安V

CC

= 10V

I

B1

= -I

B2

= 15毫安

ns

脉冲

长短

= 300

m

S，占空比= 1 ％

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

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Prelim.02/00

BFY50/51

中功率放大器

描述

该BFY50和BFY52是硅平面

外延NPN晶体管JEDEC的TO -39金属

情况。它们只用于一般用途

线性和开关应用。

TO-39

内部原理图

绝对最大额定值

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

P

吨OT

T

英镑

T

j

参数

BFY50

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值（T

p

＆ LT ; 5毫秒）

总功耗在T

AMB

≤

25 C

在T

例

≤

25

o

C

圣ORAGE温度

马克斯。工作结温

o

价值

BFY51

60

30

6

1

1.5

0.8

5

-65 200

200

80

35

单位

V

A

W

o

C

1/5

1997年11月

BFY50/BFY51

热数据

R

吨HJ -CA SE

R

吨hj- AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大

35

218

o

C / W

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

SYMB OL

I

CBO

参数

集电极截止

电流（I

E

= 0)

测试电导率银行足球比赛s

为

BFY50

V

CB

= 60 V

V

CB

= 60 V

为

BFY51

V

CB

= 40 V

V

CB

= 40 V

V

EB

= 5 V

V

EB

= 5 V

I

C

= 100

A

为

BFY50

为

BFY51

I

C

= 30毫安

为

BFY50

为

BFY51

I

C

= 100

A

分钟。

典型值。

马克斯。

50

2.5

50

2.5

50

2.5

80

60

35

30

6

取消它

nA

A

nA

A

nA

A

V

T

CA性S E

= 100 C

o

T

CA性S E

= 100 C

T

例

= 100 C

o

I

EBO

V

（ BR ） CBO

发射极截止电流

(I

C

= 0)

集电极 - 基

击穿电压

（IE = 0）

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

(I

B

= 0)

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基

击穿电压

(I

C

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

V

CE （SAT）

I

C

= 150毫安

为

BFY50

为

BFY51

I

C

= 1 A

为

BFY50

为

BFY51

I

C

= 150毫安

I

C

= 1 A

为

BFY50

I

C

= 10毫安

I

C

= 150毫安

I

C

= 1A

为

BFY51

I

C

= 10毫安

I

C

= 150毫安

I

C

= 1A

V

CE

= 6 V

I

C

= 1毫安

为

BFY50

为

BFY51

I

C

= 10毫安

为

BFY50

为

BFY51

I

C

= 50毫安

为

BFY50

为

BFY51

I

E

= 0

I

B

= 15毫安

0.14

I

B

= 0.1 A

0.7

I

B

= 15毫安

I

B

= 0.1 A

V

CE

= 10 V

V

CE

= 10 V

V

CE

= 10 V

V

CE

= 10 V

V

CE

= 10 V

V

CE

= 10 V

F = 1kHz时

25

30

45

60

V

CE

= 10 V

60

50

F = 1MHz的

100

110

10

兆赫

pF

20

30

15

30

40

15

0.95

1.5

40

55

30

55

70

40

1

1.6

1.3

2

V

0.2

0.35

V

BE （S AT）

h

FE

基射

饱和电压

直流电流摹泉

h

fe

小信号电流

收益

f

T

过渡F Characteristic低频

C

CBO

集电极和基

电容

V

CB

= 10 V

脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

1 %

2/5

BFY50/BFY51

电气特性

（续）

SYMB OL

h

ie

参数

输入阻抗

测试电导率银行足球比赛s

I

C

= 10毫安

为

BFY50

为

BFY51

I

C

= 10毫安

为

BFY50

为

BFY51

I

C

= 10毫安

为

BFY50

为

BFY51

I

C

= 150毫安

I

B1

= 15毫安

I

C

= 150毫安

I

B1

= 15毫安

V

CE

= 5 V

F = 1kHz时

180

220

V

CE

= 5 V

F = 1kHz时

55

70

V

CE

= 5 V

F = 1kHz时

30

35

V

CC

= 10 V

V

BE

= -2 V

V

CC

= 10 V

V

BE

= -2 V

15

40

300

60

分钟。

典型值。

马克斯。

取消它

10

-6

S

ns

-6

h

re

反向电压比

h

oe

输出导纳

t

d

t

r

t

s

t

f

延迟时间

上升时间

贮存时间

秋季牛逼IME

I

C

= 150毫安

V

CC

= 10 V

I

B1

= -I

B2

= 15毫安

I

C

= 150毫安

V

CC

= 10 V

I

B1

= -I

B2

= 15毫安

脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

1 %

3/5

BFY50/BFY51

TO- 39机械数据

mm

DIM 。

分钟。

A

B

D

E

F

G

H

I

L

5.08

1.2

0.9

45

o

（典型值）。

12.7

0.49

6.6

8.5

9.4

0.200

0.047

0.035

典型值。

马克斯。

分钟。

0.500

0.019

0.260

0.334

0.370

典型值。

马克斯。

寸

D

G

I

H

E

F

A

L

B

P008B

4/5

BFY50/BFY51

提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任

对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有

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s

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...

5/5

分立半导体

数据表

M3D111

BFY50 ; BFY51 ; BFY52

NPN型中功率晶体管

产品speci fi cation

取代1994年9月数据

在分离式半导体文件， SC04

1997年4月22日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN型中功率晶体管

特点

大电流（最大1 A）

低电压（最大35伏特）。

应用

通用工业应用。

描述

在TO- 39金属封装的NPN中功率晶体管。

1

手册， halfpage

2

BFY50 ; BFY51 ; BFY52

钉扎

针

1

2

3

辐射源

BASE

集热器，连接到案件

描述

3

2

3

MAM317

1

Fig.1简化外形（ TO- 39）和符号。

快速参考数据

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

BFY50

BFY51

BFY52

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BFY50

BFY51

BFY52

I

CM

P

合计

h

FE

峰值集电极电流

总功耗

直流电流增益

BFY50

BFY51

BFY52

f

T

跃迁频率

BFY50

BFY51 ; BFY52

I

C

= 50毫安; V

CE

= 10 V ; F = 100 MHz的

60

50

兆赫

T

AMB

≤

25

°C

T

例

≤

100

°C

I

C

= 150毫安; V

CE

= 10 V

30

40

60

112

123

142

开基

35

30

20

1

800

2.86

V

A

mW

W

发射极开路

80

60

40

V

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

1997年4月22日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN型中功率晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

BFY50

BFY51

BFY52

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BFY50

BFY51

BFY52

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

T

AMB

≤

25

°C

T

例

≤

25

°C

集电极开路

开基

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

BFY50 ; BFY51 ; BFY52

分钟。

65

马克斯。

80

60

40

35

30

20

6

1

100

800

5

2.86

+150

200

+150

V

A

单位

mA

mW

W

°C

25

° ℃下

T

例

＆ LT ; 100

°C

T

英镑

T

j

T

AMB

储存温度

结温

工作环境温度

热特性

符号

R

日J-一

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

条件

价值

220

35

单位

K / W

从结点到环境的热阻在自由空气

1997年4月22日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN型中功率晶体管

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

BFY50

参数

集电极截止电流

I

E

= 0; V

CB

= 60 V

I

E

= 0; V

CB

= 60 V ;牛逼

j

= 100

°C

I

E

= 0; V

CB

= 80 V

I

E

= 0; V

CB

= 80 V ;牛逼

j

= 100

°C

I

CBO

集电极截止电流

BFY51

I

E

= 0; V

CB

= 40 V

I

E

= 0; V

CB

= 40 V ;牛逼

j

= 100

°C

I

E

= 0; V

CB

= 60 V

I

E

= 0; V

CB

= 60 V ;牛逼

j

= 100

°C

I

CBO

集电极截止电流

BFY52

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

E

= 0; V

CB

= 30 V ;牛逼

j

= 100

°C

I

E

= 0; V

CB

= 40 V

I

E

= 0; V

CB

= 40 V ;牛逼

j

= 100

°C

I

EBO

发射极截止电流

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 0; V

EB

= 5 V ;牛逼

j

= 100

°C

I

C

= 0; V

EB

= 6 V

h

FE

直流电流增益

BFY50

I

C

= 10毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 150毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 500毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 1 ; V

CE

= 10 V

h

FE

直流电流增益

BFY51

I

C

= 10毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 150毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 500毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 1 ; V

CE

= 10 V

h

FE

直流电流增益

BFY52

I

C

= 10毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 150毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 500毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 1 ; V

CE

= 10 V

条件

BFY50 ; BFY51 ; BFY52

分钟。

20

30

20

15

30

40

25

15

30

60

30

15

典型值。

马克斯。

50

2.5

500

30

50

2.5

500

30

50

2.5

500

30

50

2.5

500

单位

nA

A

nA

A

nA

A

nA

A

nA

A

nA

A

nA

A

nA

1997年4月22日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN型中功率晶体管

BFY50 ; BFY51 ; BFY52

符号

V

CESAT

BFY50

参数

集电极 - 发射极饱和电压

条件

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

I

C

= 150毫安;我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安;我

B

= 50毫安

I

C

= 1 ;我

B

= 100毫安

分钟。

60

50

典型值。

7

140

马克斯。

200

700

1

200

350

1

1.6

1.2

1.3

1.5

2

12

单位

mV

V

mV

V

pF

兆赫

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

BFY51 ; BFY52

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

I

C

= 150毫安;我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安;我

B

= 50毫安

I

C

= 1 ;我

B

= 100毫安

V

BESAT

基射极饱和电压

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

I

C

= 150毫安;我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安;我

B

= 50毫安

I

C

= 1 ;我

B

= 100毫安

C

c

f

T

集电极电容

跃迁频率

BFY50

BFY51 ; BFY52

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= 50毫安; V

CE

= 10 V;

F = 100 MHz的;吨

AMB

= 25

°C

开关时间（10％和90％之间）

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

I

CON

= 150毫安;我

BON

= 15毫安;

I

B关

=

15

mA

55

15

40

360

300

60

ns

1997年4月22日

5