【HiRel它NPN硅晶体管RF特点HiRel它离散和微波半导体对于日元的低噪声，低功耗放大器在集电极】,IC型号BFY280,BFY280 PDF资料,BFY280经销商,ic,电子元器件-51电子网

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HiRel它

NPN硅晶体管RF

特点

HiRel它

离散和微波半导体

对于日元的低噪声，低功耗放大器在集电极

电流0.2 mA至8毫安

密封微波包装

f

T

= 7.2千兆赫，

F

= 2.5分贝2 GHz的

合格

ESA / SCC详细规格。编号： 5611/006

BFY 280

Micro-X1

ESD ：电子

LECTRO

s

TATIC

d

ischarge敏感器件，观察处理注意事项！

TYPE

BFY 280 （ QL ）

记号

-

订购代码

见下文

H：高相对质量，

S：空间品质，

引脚配置

C

E

B

E

包

Micro-X1

（ QL ）质量等级： P：专业品质，订货代码： Q97302026

订货代码：要求

订货代码：要求

ES ： ESA空间品质，订货代码： Q97111414

（见

章订购说明

订购的例子）

表1

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压，

V

BE

= 0

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗，

T

S

104

°

C

2)

结温

工作温度范围

存储温度范围

热阻

交界处的焊接点

2)

1)

2)

最大额定值

符号

限值

8

15

15

2

10

1.2

1)

80

200

-

65

+

200

-

65

+

200

＆ LT ; 450

单位

V

V

V

V

mA

mA

mW

°

C

°

C

°

C

K / W

V

首席执行官

V

CES

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

T

j

T

op

T

英镑

R

日JS

所允许的最大基极电流为

V

FBE

三围是5毫安（点测量持续时间< 1秒）。

T

S

是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。

半导体集团

1

草案A04 1998-04-01

BFY 280

电气特性

表2

参数

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 10 V,

I

E

= 0

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 8 V,

I

B

= 0.1

m

A

3)

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 8 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 2 V,

I

C

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 1 V,

I

C

= 0

基极 - 发射极正向电压的

I

E

= 5毫安，

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 0.25毫安，

V

CE

= 1 V

3)

DC特性

at

T

A

= 25

°

C除非另有说明

符号

分钟。

限值

典型值。

-

-

-

-

-

-

100

马克斯。

100

100

50

25

0.5

1

175

m

A

m

A

nA

m

A

m

A

V

-

-

-

-

-

-

-

30

单位

I

CBO

I

CEX

I

CBO

I

EBO

I

EBO

V

FBE

h

FE

该测试可确保

V

(BR)CE0

> 8 V.

半导体集团

2

草案A03 1998-04-01

BFY 280

表3

参数

AC特性

at

T

A

= 25

°C

除非另有说明

符号

分钟。

限值

典型值。

7.2

0.2

0.34

0.4

2.2

0.27

-

0.5

2.9

马克斯。

GHz的

pF

pF

pF

dB

6.5

-

-

-

-

单位

跃迁频率

I

C

= 6毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 500 MHz的

集电极 - 基极电容

V

CB

= 5 V,

V

BE

= VBE = 0，

f

= 1兆赫

f

T

C

CB

集电极 - 发射极电容

C

CE

V

CE

= 10 V,

V

BE

= VBE = 0，

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

C

EB

V

EB

= 0.5 V,

V

CB

= VCB = 0，

f

= 1兆赫

噪声系数

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 2 GHz时，

Z

S

=

Z

SOPT

功率增益

I

C

= 6毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 2 GHz时，

Z

S

=

Z

SOPT

,

Z

L

=

Z

LOPT

传感器增益

I

C

= 6毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 2 GHz时，

Z

S

=

Z

L

= 50

W

4)

F

G

MA 4 ）

½S

21e

½

2

13

14

-

dB

9.5

11

-

dB

G

ma

=

S21

(

k

k

1

),

G

ms

=

S21

----------

-

----------

-

S12

S12

2

半导体集团

3

草案A03 1998-04-01

BFY 280

为了说明

全部类型的变体，包括质量水平必须由订购者指定。为

HiRel它

离散和微波半导体的订货代码指定器件系列和

质量水平。

订购方式：

订购代码： QE

BFY280 （ X）（ QL ）

（ QL ）：质量水平

订购示例：

订货代码： Q97111414

BFY280 ES

对于BFY280在ESA空间质量水平

进一步资料

请参阅我们的WWW-页：

二维离散和射频半导体（小信号半导体）

www.siemens.de/semiconductor/products/35/35.htm

HiRel它

离散和微波半导体

www.siemens.de/semiconductor/products/35/353.htm

也请联系我们的营销部门：

电话： + 89 6362 4480

传真： + 89 6362 5568

电子邮件： martin.wimmers@hl.siemens.de

半导体集团

4

草案A03 1998-04-01

BFY 280

1.05

±0.25

1.02

±0.1

2

0.76

0.5

±0.1

XY

3

4

1.78

4.2

-0.2

1

0.1

+0.05

-0.03

GXM05552

图1

微X1包

半导体集团

5

1.65

±0.1

草案A03 1998-04-01

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电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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-

-

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