【BFY193HiRel它NPN硅晶体管RFHiRel它离散和微波半导体对于低噪声，高增益放大器高达2】,IC型号BFY193S,BFY193S PDF资料,BFY193S经销商,ic,电子元器件-51电子网

BFY193

HiRel它

NPN硅晶体管RF

HiRel它

离散和微波半导体

对于低噪声，高增益放大器高达2GHz 。

对于线性宽带放大器

密封微波包装

= 8 GHz的

F = 2.3分贝在2 GHz

空间QUALI网络版

ESA / SCC详细规格。编号： 5611/006

型号06变

防静电：静电放电

敏装置，

观察处理注意事项！

TYPE

BFY193 （ QL ）

（ QL ）质量等级：

记号

订购代码

见下文

引脚配置

Micro-X1

包

P：专业品质，

H：高相对质量，

S：空间品质，

ES ： ESA空间品质，

订购代码：

Q62702F1610

根据要求

Q62702F1701

（见订货举例为了说明）

半导体集团

1 5

B草案， 99年9月

BFY193

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压，V

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗，

2), 3)

≤

104°C

结温

工作温度范围

存储温度范围

热阻

结焊接点

日JS

< 165

K / W

注意事项：

1）所允许的最大基极电流为V

FBE

测量结果为30mA （ spot-

测量持续时间< 1S）

2 ）在T

= + 104 ℃。对于T

> + 104 ° C降额要求。

3) T

是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。

电气特性

在T

= 25℃ ;除非另有说明

参数

DC特性

集电极 - 基极截止电流

= 20 V，I

= 0

集电极 - 发射极截止电流

= 12 V，I

= 0,5A

= 10 V，I

= 0

发射基地cuttoff电流

= 2 V，I

= 0

发射基地cuttoff电流

= 1 V，I

= 0

注意事项：

1 ）该测试保证V（ BR ）

CE0

＆ GT ; 12V

半导体集团

2 5

B草案， 99年9月

1.)

符号

首席执行官

CES

CBO

EBO

合计

英镑

值

单位

°C

580

200

-65...+200

符号

分钟。

CBO

CEX

CBO

EBO

值

典型值。

马克斯。

100

600

0.5

单位

集电极 - 基极截止电流

BFY193

电气特性

（续）

参数

DC特性

基极 - 发射极正向电压的

= 30 mA时，我

= 0

直流电流增益

= 30 mA时， V

= 8 V

AC特性

跃迁频率

= 40毫安，V

= 5 V ， F = 500 MHz的

= 50 mA时， V

= 8 V ， F = 500 MHz的

集电极 - 基极电容

= 10 V, V

= VBE = 0中，f = 1 MHz的

集电极 - 发射极电容

= 10 V, V

= VBE = 0中，f = 1 MHz的

发射极 - 基极电容

= 0.5V, V

= VCB = 0中，f = 1 MHz的

噪声系数

= 15毫安， V

= 5 V ， F = 2 GHz时，

= Z

SOPT

功率增益

= 40 mA时， V

= 5V ， F = 2 GHz的

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

传感器增益

= 40 mA时， V

= 5 V ， F = 2 GHz的

= Z

= 50

输出功率

= 50 mA时， V

= 5 V ， F = 2GHz的，

= 10dBm的，Z

= Z

= 50

注意事项：

1.)

OUT

16.5

17.5

DBM

21e

符号

分钟。

FBE

值

典型值。

100

马克斯。

175

单位

6,5

7.5

0.56

0.34

1.9

2.3

0.75

2.4

2.9

GHz的

GMA

1.)

12.5

13.5

(

半导体集团

3 5

B草案， 99年9月

BFY193

为了说明：

全部类型的变体，包括质量水平必须由订购者指定。为

HiRel它

分离

和微波半导体的订货代码指定器件系列和质量水平。

订购方式：

订货代号：Q ..........

BFY193 （ QL ）

（ QL ）：质量水平

订购示例：

订货代码： Q62702F1701

BFY193 ES

对于BFY193在ESA空间质量水平

更多信息：

请参阅我们的WWW-页：

- 离散和射频半导体（小信号半导体）

www.infineon.com/product/discrete/hirel.htm

HiRel它

离散和微波半导体

www.infineon.com/product/discrete/hirel.htm

也请联系我们的营销部门：

电话：

传真：

地址：

++89 234 24480

++89 234 28438

电子信箱：

martin.wimmers@infineon.com

英飞凌半导体，

高频产品市场

P.O.Box 801709 ，

D- 81617慕尼黑

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4 5

B草案， 99年9月

BFY193

微X1包

出版英飞凌半导体，

高频产品市场，邮政信箱801709 ，

D- 81617慕尼黑。

至于第三方专利或其他权利

而言，只有承担责任的每组件

本身，而不是应用程序，进程和电路

组件或组件内实施。

该信息描述和组件的类型应

不被视为保证的特点。

交货条件和权利，改变设计保留。

有关技术，交付和价格问题，请

在德国与半导体集团的办事处或

该

英飞凌

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公司

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由于技术要求组件可能含有

危险物质。有关在类型信息

问题，请联系您最近的英飞凌

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和QS9000制造商（包括ISO 9000 ）。

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