BFU790F
NPN宽带硅锗RF晶体管
第1版 - 2011年4月22日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN硅锗微波晶体管高速，在一个低噪声的应用
塑料， 4针的双发射SOT343F包。
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。遵守的注意事项进行处理
静电敏感器件。
这样的预防措施，在所描述的
ANSI / ESD S20.20 ， IEC / ST 61340-5 ， JESD625 -A
or
同等标准。
1.2特点和优点
低噪声高线性微波晶体管
110 GHz的F
T
硅锗技术
较高的最大输出功率为1 dB压缩20 dBm的1.8 GHz的
1.3应用
高线性度应用
中等输出功率应用
的Wi-Fi / WLAN / WiMAX的
ZigBee的
LTE中，蜂窝， UMTS的
恩智浦半导体
BFU790F
NPN宽带硅锗RF晶体管
1.4快速参考数据
表1中。
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
h
FE
C
CBS
f
T
IP3
O
G
P（ MAX）的
NF
快速参考数据
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
sp
≤
90
°C
I
C
= 10毫安; V
CE
= 2 V;
T
j
= 25
°C
V
CB
= 2 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 100毫安; V
CE
= 1 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 30毫安; V
CE
= 2.5 V;
F = 1.8 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 85毫安; V
CE
= 1 V;
F = 1.8 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 2 V;
Γ
S
=
Γ
选择
; F = 1.8 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 60毫安; V
CE
= 2.5 V;
Z
S
= Z
L
= 50
Ω;
F = 1.8 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
[2]
[1]
符号参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
直流电流增益
集电极 - 基
电容
跃迁频率
输出三阶
截取点
最大功率增益
噪声系数
民
-
-
-
-
-
235
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
50
-
410
514
25
33
19.5
0.40
最大
10
2.8
1.0
100
234
585
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
mA
mW
fF
GHz的
DBM
dB
dB
P
L(1dB)
1 dB输出功率
增益压缩
-
20
-
DBM
[1]
[2]
T
sp
是在发射极引线的焊点的温度。
G
P（ MAX）的
是最大功率增益，如果满足K > 1.设K < 1则G
P（ MAX）的
=最大稳定增益（MSG） 。
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
离散钉扎
描述
辐射源
BASE
辐射源
集热器
1, 3
2
1
mbb159
简化的轮廓
3
4
图形符号
4
2
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BFU790F
-
描述
塑料表面贴装扁平封装包;逆转
寄托; 4引线
VERSION
SOT343F
类型编号
BFU790F
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4.标记
表4 。
BFU790F
记号
记号
D8*
描述
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
类型编号
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
储存温度
结温
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
sp
≤
90
°C
[1]
民
-
-
-
-
-
65
-
最大
10
2.8
1.0
100
234
+150
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
sp
是在发射极引线的焊点的温度。
6.热特性
表6 。
符号
R
日（J -SP ）
热特性
参数
从结热阻到焊点
条件
典型值
256
单位
K / W
250
P
合计
（ mW）的
200
001aam872
150
100
50
0
0
40
80
120
T
sp
(°C)
160
图1 。
BFU790F
功率降额曲线
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7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有说明
符号参数
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
I
CBO
h
FE
C
CES
C
EBS
C
CBS
f
T
G
P（ MAX）的
集电极电流
集电极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
集电极 - 基极电容
跃迁频率
最大功率增益
I
E
= 0 mA时; V
CB
= 4.5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 2 V
V
CB
= 2 V ; F = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
V
CB
= 2 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 100毫安; V
CE
= 1V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 85毫安; V
CE
= 1V ;牛逼
AMB
= 25
°C
F = 1.5 GHz的
F = 1.8 GHz的
F = 2.4 GHz的
|s
21
|
2
插入功率增益
I
C
= 85毫安; V
CE
= 1V ;牛逼
AMB
= 25
°C
F = 1.5 GHz的
F = 1.8 GHz的
F = 2.4 GHz的
NF
噪声系数
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 2 V;
Γ
S
=
Γ
选择
; T
AMB
= 25
°C
F = 1.5 GHz的
F = 1.8 GHz的
F = 2.4 GHz的
G
屁股
相关的增益
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 2 V;
Γ
S
=
Γ
选择
; T
AMB
= 25
°C
F = 1.5 GHz的
F = 1.8 GHz的
F = 2.4 GHz的
P
L(1dB)
输出功率为1 dB增益
压缩
I
C
= 60毫安; V
CE
= 2.5 V ;
S
= Z
L
= 50
Ω;
T
AMB
= 25
°C
F = 1.5 GHz的
F = 1.8 GHz的
F = 2.4 GHz的
IP3
三阶截取点
I
C
= 30毫安; V
CE
= 2.5 V ;
S
= Z
L
= 50
Ω;
T
AMB
= 25
°C
F = 1.5 GHz的
F = 1.8 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 5.8 GHz的
[1]
G
P（ MAX）的
是最大功率增益，如果满足K > 1.设K < 1则G
P（ MAX）的
=味精。
[1]
条件
I
C
= 2.5
μA;
I
E
= 0毫安
最小值典型值
10
2.8
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
527
514
25
最大单位
-
-
100
100
585
-
-
-
fF
fF
fF
GHz的
V
V
mA
nA
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 1毫安;我
B
= 0毫安
235 410
2817 -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
21
-
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
19.5 -
16.5 -
14.5 -
13
-
10.5 -
0.40 -
0.40 -
0.50 -
19
-
17.5 -
15.7 -
-
-
-
20
20
19
-
-
-
DBM
DBM
DBM
-
-
-
-
33
33
34
33
-
-
-
-
DBM
DBM
DBM
DBM
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