【BFU730FNPN宽带硅锗RF晶体管第1版 - 2011年4月29日产品数据表1.产品廓1.1概述】,IC型号BFU730F,BFU730F PDF资料,BFU730F经销商,ic,电子元器件-51电子网

BFU730F

NPN宽带硅锗RF晶体管

第1版 - 2011年4月29日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

NPN硅锗微波晶体管高速，在一个低噪声的应用

塑料， 4针的双发射SOT343F包。

小心

该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。遵守的注意事项进行处理

静电敏感器件。

这样的预防措施，在所描述的

ANSI / ESD S20.20 ， IEC / ST 61340-5 ， JESD625 -A

同等标准。

1.2特点和优点

低噪声高增益微波晶体管

噪声系数（ NF ） = 0.8分贝5.8 GHz的

高的最大功率增益18.5分贝在5.8 GHz的

110 GHz的F

硅锗技术

1.3应用

第二阶段， LNA和混频器阶段DBS LNB的

低噪声放大器，微波通信系统

Ka波段DRO振荡器的

低电流的电池装备的应用

微波驱动器/缓冲器应用

的Wi-Fi / WLAN / WiMAX的

全球定位系统

RKE

AMR

ZigBee的

LTE中，蜂窝， UMTS的

SDARS第一级LNA

FM收音机

移动电视

蓝牙

恩智浦半导体

BFU730F

NPN宽带硅锗RF晶体管

1.4快速参考数据

表1中。

CBO

首席执行官

EBO

合计

CBS

P（ MAX）的

L(1dB)

快速参考数据

条件

发射极开路

开基

集电极开路

≤

°C

= 2毫安; V

= 2 V;

= 25

°C

= 2 V ; F = 1 MHz的

= 25毫安; V

= 2 V;

F = 2 GHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

= 17毫安; V

= 2 V;

F = 12千兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C

= 5毫安; V

= 2 V;

F = 12千兆赫;

选择

= 15毫安; V

= 2.5 V;

= Z

= 50

Ω;

F = 5.8 GHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

[2]

[1]

符号参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

直流电流增益

集电极 - 基

电容

跃迁频率

最大功率增益

噪声系数

1 dB输出功率

增益压缩

民

205

典型值

380

12.5

1.30

12.5

最大

2.8

1.0

197

555

单位

GHz的

DBM

[1]

[2]

是在发射极引线的焊点的温度。

P（ MAX）的

是最大功率增益，如果满足K > 1.设K < 1则G

P（ MAX）的

=最大稳定增益（MSG）。

2.管脚信息

表2中。

针

离散钉扎

描述

辐射源

BASE

辐射源

集热器

1, 3

mbb159

简化的轮廓

图形符号

3.订购信息

表3中。

订购信息

包

名字

BFU730F

描述

塑料表面贴装扁平封装包;逆转

寄托; 4引线

VERSION

SOT343F

类型编号

BFU730F

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恩智浦半导体

BFU730F

NPN宽带硅锗RF晶体管

4.标记

表4 。

BFU730F

记号

D6*

描述

* = P ：香港制造

* = T：在马来西亚

* = W ：中国制造

类型编号

5.极限值

表5 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

[1]

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

储存温度

结温

条件

发射极开路

开基

集电极开路

≤

°C

[1]

民

最大

2.8

1.0

197

+150

150

单位

°C

是在发射极引线的焊点的温度。

6.热特性

表6 。

符号

日（J -SP ）

热特性

参数

从结热阻到焊点

条件

典型值

304

单位

K / W

250

合计

（ mW）的

200

001aam852

150

100

120

(°C)

160

图1 。

BFU730F

功率降额曲线

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7.特点

表7中。

特征

= 25

C除非另有说明

符号

参数

条件

= 2.5

μA;

= 0毫安

= 1毫安;我

= 0毫安

= 0 mA时; V

= 4.5 V

= 2毫安; V

= 2 V

= 2 V ; F = 1 MHz的

= 0.5 V ; F = 1 MHz的

= 2 V ; F = 1 MHz的

= 25毫安; V

= 2 V ; F = 2 GHz的;

AMB

= 25

°C

= 17毫安; V

= 2 V ;牛逼

AMB

= 25

°C

F = 1.5 GHz的

F = 1.8 GHz的

F = 2.4 GHz的

F = 5.8 GHz的

F = 12 GHz的

插入功率增益

= 17毫安; V

= 2 V ;牛逼

AMB

= 25

°C

F = 1.5 GHz的

F = 1.8 GHz的

F = 2.4 GHz的

F = 5.8 GHz的

F = 12 GHz的

噪声系数

= 5毫安; V

= 2 V;

选择

;

AMB

= 25

°C

F = 1.5 GHz的

F = 1.8 GHz的

F = 2.4 GHz的

F = 5.8 GHz的

F = 12 GHz的

屁股

相关的增益

= 5毫安; V

= 2 V;

选择

;

AMB

= 25

°C

F = 1.5 GHz的

F = 1.8 GHz的

F = 2.4 GHz的

F = 5.8 GHz的

F = 12 GHz的

25.0

23.5

21.5

15.0

11.0

0.50

0.55

0.80

1.30

25.5

23.5

10.5

[1]

最小值典型值

2.8

206

442

最大单位

100

555

GHz的

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

CBO

CES

EBS

CBS

P（ MAX）的

集电极电流

集电极 - 基极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极电容

发射极 - 基极电容

集电极 - 基极电容

跃迁频率

最大功率增益

205 380

26.5

18.5

12.5

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恩智浦半导体

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NPN宽带硅锗RF晶体管

表7中。

特征

- 续

= 25

C除非另有说明

符号

L(1dB)

参数

1 dB增益压缩输出功率

条件

= 15毫安; V

= 2.5 V;

= Z

= 50

Ω;

AMB

= 25

°C

F = 1.5 GHz的

F = 1.8 GHz的

F = 2.4 GHz的

F = 5.8 GHz的

IP3

三阶截取点

能力= 20 mA ; V

= 2.5 V;

= Z

= 50

Ω;

AMB

= 25

°C

F = 1.5 GHz的

F = 1.8 GHz的

F = 2.4 GHz的

F = 5.8 GHz的

[1]

P（ MAX）的

是最大功率增益，如果满足K > 1.设K < 1则G

P（ MAX）的

=味精。

最小值典型值

最大单位

12.5

11.5

12.5

DBM

26.5

DBM

(1)

001aam853

500

400

001aam854

（MA ）

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

300

200

(8)

(9)

100

(10)

(V)

（MA ）

AMB

= 25

°C.

(1) I

= 100

μA

(2) I

= 90

μA

(3) I

= 80

μA

(4) I

= 70

μA

(5) I

= 60

μA

(6) I

= 50

μA

(7) I

= 40

μA

(8) I

= 30

μA

(9) I

= 20

μA

(10) I

= 10

μA

= 2 V ;牛逼

AMB

= 25

°C.

图2 。

集电极电流的一个函数

集电极 - 发射极电压;典型值

图3 。

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值

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