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BFU710F
NPN宽带硅锗RF晶体管
第1版 - 二〇一一年四月二十零日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN硅锗微波晶体管高速,在一个低噪声的应用
塑料, 4针的双发射SOT343F包。
小心
该器件对静电放电( ESD )很敏感。遵守的注意事项进行处理
静电敏感器件。
这样的预防措施,在所描述的
ANSI / ESD S20.20 , IEC / ST 61340-5 , JESD625 -A
or
同等标准。
1.2特点和优点
低噪声高增益微波晶体管
噪声系数( NF ) = 1.45分贝在12GHz
高的最大功率增益14分贝在12GHz
110 GHz的F
T
硅锗技术
1.3应用
第二阶段, LNA和混频器阶段DBS LNB的
低噪声放大器,微波通信系统
Ka波段DRO振荡器的
低电流的电池装备的应用
微波驱动器/缓冲器应用
全球定位系统
RKE
AMR
ZigBee的
FM收音机
移动电视
蓝牙
恩智浦半导体
BFU710F
NPN宽带硅锗RF晶体管
1.4快速参考数据
表1中。
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
h
FE
C
CBS
f
T
G
P( MAX)的
NF
P
L(1dB)
快速参考数据
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
sp
90
°C
I
C
= 1毫安; V
CE
= 2 V;
T
j
= 25
°C
V
CB
= 2 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 9毫安; V
CE
= 2 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 9毫安; V
CE
= 2 V;
F = 12千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 2毫安; V
CE
= 2 V;
F = 12千兆赫;
Γ
S
=
Γ
选择
I
C
= 5毫安; V
CE
= 2.5 V;
Z
S
= Z
L
= 50
Ω;
F = 5.8 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
[2]
[1]
符号参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
直流电流增益
集电极 - 基
电容
跃迁频率
最大功率增益
噪声系数
1 dB输出功率
增益压缩
-
-
-
-
-
200
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
2
-
375
21
43
14
1.45
4.5
最大
10
2.8
1.0
10
136
550
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
mA
mW
fF
GHz的
dB
dB
DBM
[1]
[2]
T
sp
是在发射极引线的焊点的温度。
G
P( MAX)的
是最大功率增益,如果满足K > 1.设K < 1则G
P( MAX)的
=最大稳定增益(MSG) 。
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
4
离散钉扎
描述
辐射源
BASE
辐射源
集热器
1, 3
2
1
mbb159
简化的轮廓
3
4
图形符号
4
2
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
BFU710F
-
描述
塑料表面贴装扁平封装包;逆转
寄托; 4引线
VERSION
SOT343F
类型编号
BFU710F
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产品数据表
第1版 - 二〇一一年四月二十零日
2 12
恩智浦半导体
BFU710F
NPN宽带硅锗RF晶体管
4.标记
表4 。
BFU710F
记号
记号
D5*
描述
* = P :香港制造
* = T:在马来西亚
* = W :中国制造
类型编号
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
储存温度
结温
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
sp
90
°C
[1]
-
-
-
-
-
65
-
最大
10
2.8
1.0
10
136
+150
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
sp
是在发射极引线的焊点的温度。
6.热特性
表6 。
符号
R
日(J -SP )
热特性
参数
从结热阻到焊点
条件
典型值
440
单位
K / W
200
P
合计
( mW)的
150
001aam842
100
50
0
0
40
80
120
T
sp
(°C)
160
图1 。
BFU710F
功率降额曲线
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第1版 - 二〇一一年四月二十零日
3 12
恩智浦半导体
BFU710F
NPN宽带硅锗RF晶体管
7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
I
C
I
CBO
h
FE
C
CES
C
EBS
C
CBS
f
T
G
P( MAX)的
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极电流
集电极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
集电极 - 基极电容
跃迁频率
最大功率增益
I
E
= 0 mA时; V
CB
= 4.5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 2 V
V
CB
= 2 V ; F = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
V
CB
= 2 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 9毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 9毫安; V
CE
= 2 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
F = 1.5 GHz的
F = 1.8 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 12 GHz的
|s
21
|
2
插入功率增益
I
C
= 9毫安; V
CE
= 2 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
F = 1.5 GHz的
F = 1.8 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 12 GHz的
NF
噪声系数
I
C
= 2毫安; V
CE
= 2 V;
Γ
S
=
Γ
选择
;
T
AMB
= 25
°C
F = 1.5 GHz的
F = 1.8 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 12 GHz的
G
屁股
相关的增益
I
C
= 2毫安; V
CE
= 2 V;
Γ
S
=
Γ
选择
;
T
AMB
= 25
°C
F = 1.5 GHz的
F = 1.8 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 12 GHz的
-
-
-
-
-
27
24.5
22.5
16
11.5
-
-
-
-
-
dB
dB
dB
dB
dB
-
-
-
-
-
0.55
0.55
0.60
0.85
1.45
-
-
-
-
-
dB
dB
dB
dB
dB
-
-
-
-
-
25
24
23
17
11.5
-
-
-
-
-
dB
dB
dB
dB
dB
[1]
条件
I
C
= 2.5
μA;
I
E
= 0毫安
I
C
= 1毫安;我
B
= 0毫安
最小值典型值
10
2.8
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
183
262
21
43
最大单位
-
-
10
100
550
-
-
-
-
fF
fF
fF
GHz的
V
V
mA
nA
200 375
-
-
-
-
-
30
29
27.5
21
14
-
-
-
-
-
dB
dB
dB
dB
dB
BFU710F
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第1版 - 二〇一一年四月二十零日
4 12
恩智浦半导体
BFU710F
NPN宽带硅锗RF晶体管
表7中。
特征
- 续
T
j
= 25
°
C除非另有说明
符号
P
L(1dB)
参数
1 dB增益压缩输出功率
条件
I
C
= 5毫安; V
CE
= 2.5 V;
Z
S
= Z
L
= 50
Ω;
T
AMB
= 25
°C
F = 1.5 GHz的
F = 1.8 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 5.8 GHz的
IP3
三阶截取点
I
C
= 10毫安; V
CE
= 1.5 V;
Z
S
= Z
L
= 50
Ω;
T
AMB
= 25
°C
F = 1.5 GHz的
F = 1.8 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 5.8 GHz的
[1]
G
P( MAX)的
是最大功率增益,如果满足K > 1.设K < 1则G
P( MAX)的
=味精。
最小值典型值
最大单位
-
-
-
-
5.5
5
5.5
4.5
-
-
-
-
DBM
DBM
DBM
DBM
-
-
-
-
18
18
18
19.5
-
-
-
-
DBM
DBM
DBM
DBM
10
I
C
(MA )
8
(1)
(2)
(3)
001aam843
500
h
FE
400
001aam844
6
(4)
(5)
300
4
(6)
200
2
(7)
100
0
0
1
2
V
CE
(V)
3
0
0
2
4
6
8
I
C
(MA )
10
T
AMB
= 25
°C.
(1) I
B
= 35
μA
(2) I
B
= 30
μA
(3) I
B
= 25
μA
(4) I
B
= 20
μA
(5) I
B
= 15
μA
(6) I
B
= 10
μA
(7) I
B
= 5
μA
V
CE
= 2 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
图2 。
集电极电流的一个函数
集电极 - 发射极电压;典型值
图3 。
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值
BFU710F
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BFU710F
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BFU710F
NXP
2019
79600
SOT343F
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:421123133 复制

电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
BFU710F
NXP
24+
60
SOT343
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BFU710F
NXP
24+
15000
SOT343
100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
BFU710F
NXP/恩智浦
2407+
9600
SOT343
原装现货!接受验货!支技实单!
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BFU710F
NEXPERIA/安世
2443+
23000
SOT343F
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BFU710F
NXP/恩智浦
24+
12300
SOT343
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ:1402770874 复制

电话:13711580601
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
BFU710F
NXP
22+/23+
1000
SOP16
原装正品 力挺实单
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BFU710F
NXP
21+22+
12600
SOT343
原装正品
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BFU710F
NXP
24+
9850
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
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