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分立半导体
数据表
M3D124
BFU510
NPN硅锗宽带晶体管
产品speci fi cation
取代2001年的数据11月8日
2003 6月12日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN硅锗宽带晶体管
特点
非常高的功率增益
非常低的噪声音响gure
高转换频率
发射器是热导
低反馈电容
45 GHz的SiGe工艺。
应用
RF前端
宽带应用，例如模拟和数字蜂窝
电话机，无绳电话（PHS ， DECT等）
雷达探测器
寻呼机
卫星电视调谐器（ SATV ）
高频率的振荡器。
标识代码：
A5.
2
顶视图
1
MSB842
BFU510
钉扎
针
1
2
3
4
辐射源
BASE
辐射源
集热器
描述
手册， halfpage
3
4
描述
对于低电压应用NPN型SiGe半导体宽带晶体管
在塑料， 4针的双发射极SOT343R包。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
h
FE
G
最大
NF
参数
集电极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
直流电流增益
最大功率增益
噪音科幻gure
T
s
≤
115
°C
I
C
= 10毫安; V
CE
= 2 V ;牛逼
j
= 25
°C
I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
发射极开路
集电极 - 发射极电压开基
条件
分钟。
70
典型值。
10
140
23
1
马克斯。
9
2.3
15
35
210
dB
dB
单位
V
V
mA
mW
Fig.1简化外形SOT343R 。
I
C
= 10毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
2003 6月12日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN硅锗宽带晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在发射极管脚的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
价值
1000
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
工作结温
T
s
≤
115
°C;
注意1 ;见图2
开基
集电极开路
条件
发射极开路
65
分钟。
9
2.3
2.5
15
35
+150
150
BFU510
马克斯。
V
V
V
单位
mA
mW
°C
°C
单位
K / W
手册， halfpage
60
MLE136
P合计
（ mW）的
40
20
0
0
40
80
120
TS （ ° C）
160
图2功率降额曲线。
2003 6月12日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN硅锗宽带晶体管
特征
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
C
c
C
re
G
最大
NF
P
L1
ITO
笔记
1. G
最大
是最大功率增益，如果满足K > 1.设K < 1则G
最大
=味精。
2. Z
S
和Z
L
对增益进行了优化。
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极漏电流
直流电流增益
集电极电容
反馈电容
最大功率增益;注1
噪音科幻gure
输出功率为1 dB增益
压缩
三阶截点
条件
I
C
= 2.5
A;
I
E
= 0
I
C
= 1毫安;我
B
= 0
I
E
= 2.5
A;
I
C
= 0
I
E
= 0; V
CB
= 4.5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 2 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 2 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CB
= 2 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
I
C
= 5毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
Z
S
= Z
S选择
; Z
L
= Z
L选择
;注意2
I
C
= 10毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
Z
S
= Z
S选择
; Z
L
= Z
L选择
;注意2
分钟。
9
2.3
2.5
70
典型值。
140
150
25
23
1
2
7
BFU510
马克斯。
15
210
单位
V
V
V
nA
fF
fF
dB
dB
DBM
DBM
2003 6月12日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN硅锗宽带晶体管
BFU510
手册， halfpage
250
MLE137
手册， halfpage
16
MLE138
的hFE
200
IC
（MA ）
12
(1)
(2)
(3)
(4)
150
8
100
(5)
(6)
(7)
(8)
4
50
(9)
0
0
5
10
IC （MA ）
15
0
0
1
2
VCE （ V）
3
V
CE
= 2 V ;牛逼
j
= 25
°C.
(1) I
B
= 180
A.
(2) I
B
= 160
A.
(3) I
B
= 140
A.
(4) I
B
= 120
A.
(5) I
B
= 100
A.
(6) I
B
= 80
A.
(7) I
B
= 60
A.
(8) I
B
= 40
A.
(9) I
B
= 20
A.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
图4输出特性;典型值。
手册， halfpage
40
MLE139
手册， halfpage
40
MLE140
fT
（千兆赫）
30
收益
（ dB）的
30
味精
20
20
s21
GMAX
10
10
0
1
IC （MA ）
10
0
10
2
10
3
F（兆赫）
10
4
V
CB
= 1V ; F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C.
I
C
= 10毫安; V
CE
= 2 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.5
过渡频率的函数
集电极电流;典型值。
Fig.6
获得作为频率的函数;典型
值。
2003 6月12日
5
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