硅外延
NPN晶体管
BFT29 / BFT30 / BFT31
密封TO- 18金属封装
专为通用放大器和音频驱动程序
应用
筛选选项可用
绝对最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
BFT29
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ
TSTG
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
TA = 25°C
在总功率耗散
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
90V
80V
BFT30
BFT31
70
60
60
50
5V
1.0A
360mW
2mW/°C
-65到+ 200℃
-65到+ 200℃
热性能
符号
R
θJA
参数
热阻，结到环境
最大
486
单位
° C / W
Semelab有限公司保留随时更改测试条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠，在即将出版的时间。但
Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户
验证数据表是在下订单之前电流。
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Semelab
考文垂路，拉特沃思，莱斯特郡， LE17 4JB
电话：+44（ 0 ） 1455 556565
传真：+44（ 0 ） 1455 552612
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第1期
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硅外延
NPN晶体管
BFT29 / BFT30 / BFT31
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
V（ BR ） CBO
参数
测试条件
IC = 10μA
IE = 0
BFT29
BFT30
BFT31
BFT29
分钟。
90
70
60
80
60
50
5
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 基极击穿电压
V
V（ BR ） CEO
(1)
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
IC = 10毫安
IB = 0
IE = 10μA
BFT30
BFT31
V
V（ BR ） EBO
ICBO
IC = 0
V
100
nA
VCB =额定VCEO ， IE = 0
BFT29
IC = 1.0毫安
VCE = 10V
BFT30
BFT31
BFT29
IC = 10毫安
VCE = 10V
BFT30
BFT31
BFT29
IC = 100毫安
VCE = 10V
25
45
45
30
50
50
50
75
100
30
50
50
20
25
25
250
250
300
的hFE
(1)
正向电流传输比
BFT30
BFT31
BFT29
IC = 500毫安
VCE = 10V
BFT30
BFT31
BFT29
IC = 1.0A
VCE = 10V
BFT30
BFT31
BFT29
0.95
0.75
0.75
1.6
1.0
1.0
1.1
2.0
V
IC = 500毫安
IB = 50毫安
VCE （ SAT ）
(1)
BFT30
BFT31
BFT29
集电极 - 发射极饱和
电压
IC = 1.0A
IB = 100毫安
IC = 500毫安
IC = 1.0A
BFT30
BFT31
VBE （ SAT ）
(1)
基射极饱和电压
IB = 50毫安
IB = 100毫安
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NPN晶体管
BFT29 / BFT30 / BFT31
动态特性
fT
跃迁频率
IC = 40毫安
F = 20MHz的
输出电容
VCB = 10V
F = 1.0MHz的
IE = 0
8.5
10
pF
VCE = 10V
80
95
兆赫
科博
笔记
（1 ）脉冲宽度
≤
300us,
δ ≤
2%
机械数据
尺寸mm （英寸）
5 .8 4 (0 .2 3 0 )
5 .3 1 (0 .2 0 9 )
4 .9 5 (0 .1 9 5 )
4 .5 2 (0 .1 7 8 )
0 .4 8 (0 .0 1 9 )
0 .4 1 (0 .0 1 6 )
IA 。
2 .5 4 (0 .1 0 0 )
N}÷米。
!
的TO- 18 （TO- 206AA ）
引脚1 - 发射极
引脚2 - 基
3脚 - 集电极
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1 2 .7 (0 .5 0 0 )
M IN 。
)
0
0
5
.
.
n
i
0
(
m
7
.
2
1
5 .3 3 (0 .2 1 0 )
4 .3 2 (0 .1 7 0 )
)
)
0
0
1
7
2
1
.
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