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分立半导体
数据表
BFS25A
NPN 5 GHz宽带晶体管
产品speci fi cation
在分立半导体的文件， SC14
1997年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
特点
低电流消耗
低噪声系数
黄金金属确保
卓越的可靠性
SOT323信封。
描述
在一个塑料SOT323 NPN晶体管
信封。
它是专为在RF放大器使用
在寻呼机和口袋振荡器
手机与信号频率高达
2千兆赫。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
h
FE
f
T
G
UM
F
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
总功耗
直流电流增益
跃迁频率
最大单边功率增益
噪音科幻gure
最多至T
s
= 170
°C;
注1
I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 1V ;牛逼
j
= 25
°C
I
C
= 1毫安; V
CE
= 1V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
c
= 0.5毫安; V
CE
= 1V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
c
= 0.5毫安; V
CE
= 1V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
开基
条件
发射极开路
分钟。
50
3.5
典型值。
80
5
13
1.8
1
顶视图
BFS25A
钉扎
针
1
2
3
描述
编号： N6
BASE
辐射源
集热器
手册， 2列
3
2
MBC870
图1 SOT323 。
马克斯。
8
5
6.5
32
200
单位
V
V
mA
mW
GHz的
dB
dB
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在集电极片的焊接点的温度。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
总功耗
储存温度
结温
最多至T
s
= 170
°C;
注1
开基
集电极开路
条件
发射极开路
65
分钟。
马克斯。
8
5
2
6.5
32
150
175
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1997年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
热阻
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电极片的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
re
f
T
G
UM
F
参数
集电极截止电流
直流电流增益
反馈电容
跃迁频率
最大单边功率增益
（注1 ）
噪音科幻gure
条件
I
E
= 0; V
CB
= 5 V
I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 0; V
CB
= 1V ; F = 1 MHz的
I
C
= 1毫安; V
CE
= 1V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 1V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 1 V;
F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 1毫安; V
CE
= 1 V;
F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和
G
UM
S
21
-
=
10日志
-------------------------------------------------------------
分贝。
2
2
1
–
S
11
1
–
S
22
2
BFS25A
参数
热阻结到
焊接点
条件
最多至T
s
= 170
°C;
注1
热阻
190 K / W
分钟。
50
3.5
典型值。
80
0.3
5
13
1.8
2
马克斯。
50
200
0.45
单位
nA
pF
GHz的
dB
dB
dB
1997年12月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
BFS25A
MRC038 - 1
MRC037
手册，
40
halfpage
手册， halfpage
100
P合计
（ mW）的
30
^ h FE
80
60
20
40
10
20
0
0
50
100
150
TS （℃ ）
200
0
10
3
10
2
10
1
1
I C （毫安）
10
V
CE
= 1V ;牛逼
j
= 25
°C.
图2功率降额曲线。
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流。
手册， halfpage
0.5
MRC031
MRC032
c重新
（PF ）
手册， halfpage
10
0.4
fT
（千兆赫）
8
VCE = 3V
1V
0.3
6
0.2
4
0.1
2
0
0
1
2
3
4
5
VCB （ V）
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I C （毫安）
I
C
= 0; F = 1兆赫。
F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.4
反馈电容的一个函数
集电极 - 基极电压。
Fig.5
过渡频率的函数
集电极电流。
1997年12月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
在图6至图9 ，G
UM
=最大单边功率增益;
味精=最大稳定增益;
最大
=最大可用
获得。
手册， halfpage
BFS25A
20
MRC036
摹UM
25
手册， halfpage
收益
（ dB）的
20
摹UM
MRC035
（ dB）的
16
VCE = 3V
1V
12
15
味精
10
8
4
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I C （毫安）
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I C （毫安）
F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
V
CE
= 1V ; F = 500 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C.
图6增益为集电极电流的函数。
Fig.7
单侧最大功率增益为
功能集电极电流。
手册， halfpage
50
MRC034
收益
（ dB）的
40
摹UM
30
50
手册， halfpage
收益
（ dB）的
40
摹UM
MRC033
30
20
味精
20
味精
10
g最高
0
0.01
0.1
1
F（千兆赫）
10
10
g最高
0
10
2
10
1
1
10
F（千兆赫）
I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 1V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
I
C
= 1毫安; V
CE
= 1V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
图8的增益是频率的函数。
图9中的增益是频率的函数。
1997年12月
5
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