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BFR99
描述
该BFR99是硅平面外延PNP晶体管
在JEDEC的TO -72金属外壳，特别设计的
宽频带共发射极放大器的线性应用
系统蒸发散高达1GHz 。它具有高的fT ，低反向钙
pacitance ，良好的交叉调制性能，
低噪声。
TO-72
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
吨吨
T
S T摹
, T
j
1988年10月
参数
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
在T总功率耗散
上午B
≤
25
°C
在T
CAS ê
≤
25
°C
储存和结温
价值
– 25
– 25
– 3
– 50
225
360
- 55 200
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
1/4
BFR99
热数据
R
吨 J- 为e
R
吨 J- AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
486
777
° C / W
° C / W
电气特性
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
符号
I
CBO
V
（ B R ） CBO
V
CE澳（S美）
*
V
（ B R ）电子BO
V
BE
h
F ê
*
参数
收藏家Cuto FF电流
(I
E
= 0)
集电极 - 基极Breakdowm
电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极可持续
电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极击穿
电压（I
C
= 0)
基射极电压
直流电流增益
测试条件
V
CB
= – 15 V
I
C
= – 100
A
I
C
= - 5毫安
I
E
= – 10
A
I
C
= - 10毫安
I
C
= - 1毫安
I
C
= - 10毫安
I
C
= - 20毫安
I
C
= - 10毫安
F = 200 MHz的
I
C
= 0
F = 1 MHz的
I
C
= - 3毫安
R
g
= 50
V
CE
= – 10 V
V
CE
= – 10 V
V
CE
= – 10 V
V
CE
= – 10 V
V
CE
= – 15 V
V
CE
= – 15 V
V
CE
= – 15 V
F = 200 MHz的
F = 800 MHz的
V
CE
= – 15 V
F = 200 MHz的
F = 800 MHz的
*脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 1 ％ 。
分钟。
典型值。
马克斯。
– 100
单位
nA
V
V
V
– 25
– 25
–3
– 0.75
25
20
75
80
2
0.4
V
f
T
C
re
NF
跃迁频率
反向电容
噪声系数
GHz的
pF
2.5
3.5
5
dB
dB
I
C
= - 10毫安
R
g
= 50
3
4
dB
dB
2/4
BFR99
TO- 72机械数据
mm
DIM 。
分钟。
A
B
D
E
F
G
H
I
L
45
o
2.54
1.2
1.16
45
o
典型值。
12.7
0.49
5.3
4.9
5.8
0.100
0.047
0.045
马克斯。
分钟。
典型值。
0.500
0.019
0.208
0.193
0.228
马克斯。
寸
D
G
I
H
E
F
A
L
C
B
0016198
3/4
BFR99
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