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分立半导体

数据表

BFR92AW

NPN 5 GHz宽带晶体管

产品speci fi cation

取代1992年10月数据

在分立半导体的文件， SC14

1995年09月18日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 5 GHz宽带晶体管

特点

高功率增益

黄金金属确保

卓越的可靠性

SOT323 （ S-迷你）封装。

应用

它被设计用于在RF放大器，

混频器和振荡器，信号

频率高达1千兆赫。

描述

硅NPN晶体管封装

在一个塑料SOT323 （ S-迷你）封装。

该BFR92AW使用相同的晶体

作为SOT23封装的版本， BFR92A 。

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

手册， 2列

BFR92AW

3

1

顶视图

标识代码：

P2.

2

MBC870

图1 SOT323

快速参考数据

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

P

合计

h

FE

C

re

f

T

G

UM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

电流增益

反馈电容

跃迁频率

最大功率单侧

收益

最多至T

s

= 93

°C;

注1

I

C

= 15毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 0; V

CE

= 10 V ; F = 1兆赫;

T

AMB

= 25

°C

I

C

= 15毫安; V

CE

= 10 V ; F = 500 MHz的

I

C

= 15毫安; V

CE

= 10 V ; F = 1千兆赫;

T

AMB

= 25

°C

I

C

= 15毫安; V

CE

= 10 V ; F = 2 GHz的;

T

AMB

= 25

°C

F

T

j

记

1. T

s

是在集电针的焊接点的温度。

噪音科幻gure

结温

I

C

= 5毫安; V

CE

= 10 V ; F = 1千兆赫;

Γ

s

=

Γ

选择

开基

条件

发射极开路

40

3.5

分钟。

90

0.35

5

14

8

2

典型值。

马克斯。

20

15

25

300

150

pF

GHz的

dB

dB

dB

°C

单位

V

V

mA

mW

1995年09月18日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 5 GHz宽带晶体管

极限值

按照绝对最大系统（IEC 134）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

T

英镑

T

j

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

储存温度

结温

最多至T

s

= 93

°C;

见图2 ;注1

开基

集电极开路

条件

发射极开路

分钟。

65

BFR92AW

马克斯。

20

15

2

25

300

+150

150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

热特性

符号

R

第j个-S

参数

热阻结到

焊接点

条件

最多至T

s

= 93

°C;

注1

价值

190

单位

K / W

需要注意的限制值和热特性

1. T

s

是在集电针的焊接点的温度。

400

P合计

（ mW）的

300

MLB540

200

100

0

0

50

100

150

200

牛逼S（O C）

图2功率降额曲线

1995年09月18日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 5 GHz宽带晶体管

特征

T

j

= 25

°C

（除非另有规定ED ）。

符号

I

CBO

h

FE

C

c

C

e

C

re

f

T

G

UM

参数

收藏家泄漏电流

直流电流增益

集电极电容

发射极电容

反馈电容

跃迁频率

最大功率单侧

获得;注1

条件

I

E

= 0; V

CB

= 10 V

I

C

= 15毫安; V

CE

= 10 V

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 0.5 V ; F = 1 MHz的

I

C

= 0; V

CE

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= 15毫安; V

CE

= 10 V;

F = 1千兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C

I

C

= 15毫安; V

CE

= 10 V;

F = 2 GHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

F

噪音科幻gure

I

C

= 5毫安; V

CE

= 10 V;

F = 1千兆赫;

Γ

s

=

Γ

选择

I

C

= 5毫安; V

CE

= 10 V;

F = 2 GHz的;

Γ

s

=

Γ

选择

记

1. G

UM

是最大单边功率增益，假设S

12

是零和G

UM

40

分钟。

90

0.6

0.9

0.35

5

14

8

2

3

典型值。

BFR92AW

马克斯。

50

单位

nA

pF

pF

pF

GHz的

dB

dB

dB

dB

I

C

= 15毫安; V

CE

= 10 V ; F = 500 MHz的3.5

s

21 2

=

10日志------------------------------------------------ ------------分贝。

(

1

–

s

11 2

) (

1

–

s

22 2

)

1995年09月18日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 5 GHz宽带晶体管

BFR92AW

120

手册， halfpage

^ h FE

80

MCD074

1.0

c重新

（PF ）

0.8

MGC883

0.6

0.4

40

0.2

0

0

10

20

I C （毫安）

30

0

0

4

8

12

16

20

VCB （ V）

V

CE

= 10 V.

I

C

= 0; F = 1兆赫。

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

反馈电容的一个函数

集电极 - 基极电压;典型值。

手册， halfpage

6

MGC884

fT

（千兆赫）

4

2

0

1

10

I C （毫安）

10

2

V

CE

= 5 V ; F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C.

Fig.5

过渡频率的函数

集电极电流;典型值。

1995年09月18日

5

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