飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
特征
T
j
= 25
°C
（除非另有规定ED ） 。
符号
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
UM
参数
收藏家泄漏电流
直流电流增益
集电极电容
发射极电容
反馈电容
跃迁频率
最大功率单侧
获得;注1
条件
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V;
F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
F
噪音科幻gure
I
C
= 5毫安; V
CE
= 10 V;
F = 1千兆赫;
Γ
s
=
Γ
选择
I
C
= 5毫安; V
CE
= 10 V;
F = 2 GHz的;
Γ
s
=
Γ
选择
记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和G
UM
40
分钟。
90
0.6
0.9
0.35
5
14
8
2
3
典型值。
BFR92AW
马克斯。
50
单位
nA
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V ; F = 500 MHz的3.5
s
21 2
=
10日志------------------------------------------------ ------------分贝。
(
1
–
s
11 2
) (
1
–
s
22 2
)
1995年09月18日
4
