不适用于新的设计，这款产品将很快过时
BFR91A
威世半导体
硅NPN平面RF晶体管
特点
高功率增益
低噪声系数
e3
高转换频率
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
3
2
E
2
1
3
B
1
C
19039
应用
RF放大器高达GHz范围内专为宽
波段天线放大器
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
机械数据
案例：
TO- 50塑料外壳
重量：
约。 111毫克
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基本
零件表
部分
BFR91A
订购代码
BFR91AGELB
记号
BFR91A
备注
盒装散装
包
TO-50(3)
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
20
12
2
50
300
150
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
最大热阻
参数
交界处的环境
1)
测试条件
符号
R
thJA
价值
300
单位
K / W
注意：
1)
玻璃纤维印刷电路板（ 40 ×25× 1.5 ）毫米
3
镀上35
μm
Cu
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1
BFR91A
威世半导体
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
集电极发射极截止电流
集电极基极截止电流
发射基地截止电流
集电极发射极击穿
电压
集电极发射极饱和
电压
测试条件
V
CE
= 20 V, V
BE
= 0
V
CB
= 20 V，I
E
= 0
V
EB
= 2 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
h
FE
40
12
0.1
90
0.4
150
民
典型值。
最大
100
100
10
单位
μA
nA
μA
V
V
直流正向电流传输比V
CE
= 5 V，I
C
= 30毫安
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
跃迁频率
集电极电容基地
集电极 - 发射极电容
发射基地电容
测试条件
V
CE
= 5 V，I
C
= 30毫安，
F = 500 MHz的
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
V
CB
= 5 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 8 V，Z
S
= 50
Ω,
F = 800 MHz时，我
C
= 5毫安
V
CE
= 8 V，Z
S
= 50
Ω,
F = 800 MHz时，我
C
= 30毫安
V
CE
= 8 V，I
C
= 30毫安，
Z
S
= 50
Ω,
Z
L
= Z
LOPT
,
F = 800 MHz的
V
CE
= 8 V，I
C
= 30毫安，
d
IM
= 60分贝，女
1
= 806兆赫，
f
2
= 810 MH ，Z
S
= Z
L
= 50
Ω
V
CE
= 8 V，I
C
= 30毫安，
F = 800 MHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
F
民
典型值。
6
0.4
0.3
1.5
1.6
2.3
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
噪声系数
功率增益
G
pe
14
dB
线性输出电压 - 双色
互调测试
三阶截点
V
1
= V
2
280
mV
IP
3
32
DBM
公共发射极S参数
Z
0
= 50
Ω,
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
CE
/V
I
C
/ MA
F / MHz的
LIN
MAG
8
2
100
300
500
800
1000
1200
1500
1800
2000
8
5
100
0.92
0.78
0.64
0.51
0.45
0.41
0.37
0.34
0.32
0.79
S11
昂
度
- 22.1
- 61.3
- 92.7
- 128.0
- 146.3
- 161.4
177.9
159.7
149.7
- 31.8
6.38
5.42
4.38
3.19
2.65
2.27
1.85
1.58
1.44
13.51
LIN
MAG
S21
昂
度
162.8
134.7
114.3
92.9
82.3
73.8
63.0
53.4
48.5
153.5
0.02
0.05
0.07
0.09
0.10
0.11
0.12
0.14
0.16
0.02
LIN
MAG
S12
昂
度
78.4
61.5
52.8
49.3
50.4
53.1
57.8
61.8
63.8
75.1
0.9
0.88
0.79
0.73
0.71
0.70
0.71
0.73
0.74
0.92
LIN
MAG
S22
昂
度
- 8.1
- 20.8
- 28.2
- 35.9
- 40.6
- 45.1
- 52.3
- 60.0
- 64.9
- 13.4
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BFR91A
威世半导体
V
CE
/V
I
C
/ MA
F / MHz的
LIN
MAG
300
500
800
1000
1200
1500
1800
2000
8
10
100
300
500
800
1000
1200
1500
1800
2000
8
20
100
300
500
800
1000
1200
1500
1800
2000
8
30
100
300
500
800
1000
1200
1500
1800
2000
0.54
0.40
0.30
0.27
0.25
0.22
0.21
0.20
0.63
0.35
0.25
0.20
0.18
0.17
0.16
0.15
0.15
0.44
0.22
0.16
0.14
0.13
0.12
0.12
0.12
0.11
0.34
0.17
0.14
0.13
0.12
0.12
0.12
0.11
0.11
S11
昂
度
- 78.6
- 107.8
- 138.4
- 153.8
- 167.2
175.1
157.8
149.4
- 43.0
- 91.7
- 117.7
- 145.2
- 160.0
- 171.7
173.5
153.9
148.4
- 55.8
- 103.9
- 127.5
- 153.3
- 165.9
- 177.3
170.1
152.3
147.1
- 64.0
- 112.9
- 136.2
- 159.4
- 171.4
178.6
165.7
147.8
143.7
9.24
6.44
4.30
3.50
2.98
2.41
2.06
1.88
21.15
11.55
7.47
4.85
3.93
3.32
2.70
2.30
2.09
28.24
12.79
8.00
5.13
4.15
3.51
2.84
2.42
2.21
31.01
13.08
8.10
5.17
4.18
3.53
2.87
2.44
2.23
LIN
MAG
S21
昂
度
119.9
101.9
85.7
77.8
71.1
62.4
54.2
49.7
143.4
109.2
95.1
82.1
75.5
69.8
62.0
54.6
50.3
132.6
102.0
90.7
79.8
73.9
68.7
61.5
54.4
50.6
127.3
99.1
88.9
78.7
73.0
68.0
61.1
54.2
50.3
0.04
0.06
0.09
0.10
0.12
0.14
0.18
0.19
0.02
0.04
0.06
0.09
0.11
0.13
0.16
0.19
0.21
0.02
0.04
0.06
0.09
0.11
0.13
0.17
0.20
0.22
0.02
0.04
0.06
0.09
0.11
0.13
0.17
0.20
0.22
LIN
MAG
S12
昂
度
61.9
61.0
63.7
65.0
65.7
66.0
65.3
64.5
72.5
67.2
69.5
71.1
71.1
70.4
68.7
66.4
64.8
72.8
74.1
75.8
75.4
74.2
72.9
70.0
67.1
65.0
73.3
77.2
77.8
76.8
75.3
73.6
70.5
67.4
65.4
0.73
0.64
0.59
0.58
0.58
0.59
0.61
0.62
0.85
0.62
0.55
0.53
0.52
0.52
0.53
0.54
0.55
0.76
0.54
0.50
0.49
0.48
0.49
0.50
0.51
0.52
0.71
0.52
0.49
0.48
0.48
0.48
0.49
0.50
0.51
LIN
MAG
S22
昂
度
- 26.4
- 31.1
- 36.3
- 41.3
- 45.8
- 53.2
- 60.6
- 65.5
- 18.5
- 28.0
- 30.6
- 36.4
- 41.3
- 45.9
- 53.7
- 61.4
- 66.5
- 22.3
- 26.5
- 28.6
- 35.2
- 40.4
- 45.5
- 53.6
- 61.6
- 66.7
- 23.3
- 24.9
- 27.3
- 34.3
- 39.6
- 45.0
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BFR91A
威世半导体
典型特征
环境温度Tamb = 25° C除非另有说明
3.5
（ mW）的
F -
噪音
系数（dB ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
=
8 V
f =
800
兆赫
Z
S
= 50
(°C)
12897
I
C
- 集电极电流（毫安）
图1.总功率耗散与环境温度
图4.噪声系数与集电极电流
7000
f
T
- 过渡频率（MHz ）
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
12895
V
CE
= 5
V
F = 500 MHz的
10
20
30
40
50
I
C
- 集电极电流（毫安）
图2.过渡频率与集电极电流
1.0
C
cb
- 集电极基电容（pF ）
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
0
0
12896
4
8
12
16
20
V
CB
- 集电极基
电压
(V)
图3.集电极基电容与集电极 - 基极电压
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BFR91A
威世半导体
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安，Z
0
= 50
Ω
S
11
j
j0.5
j2
S
12
2.0 GHz的
60
°
120
°
90°
1.5
1.0
0.5
150
°
j0.2
2.0 GHz的
1
30
°
j5
0
0.2
1.0
2
5
∞
-j5
180
°
0.1
0.08
0.16
0°
0.3
-j0.2
0.1
-150°
-j0.5
-j
-j2
13 519
-30°
13 518
-120°
-60°
-90°
图5.输入反射系数
图7.反向传输系数
S
21
90°
120°
0.1
0.3
S
22
j
60°
j0.5
30°
j2
150°
j0.2
j5
180°
2.0 GHz的
20
40
0°
0
0.2
0.5
1
2
0.3
1.0
5
0.1
∞
-j0.2
-150°
-30°
-j0.5
13 521
2.0 GHz的
-j5
-j2
-j
13 520
-120°
-90°
-60°
图6.正向传输系数
图8.输出反射系数
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