SO
T2
BFR520
NPN 9 GHz宽带晶体管
第4版 - 2011年9月13日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
该BFR520在SOT23塑料包装的NPN硅平面外延晶体管。
3
1.2特点和优点
高功率增益
低噪声系数
高转换频率
镀金保证了出色的可靠性。
1.3应用
RF前端宽带在GHz范围的应用
模拟和数字蜂窝式电话
无绳电话（ CT1 ， CT2 ， DECT等）
雷达探测器
寻呼机和卫星电视调谐器（ SATV ）
中继器放大器的光纤系统。
1.4快速参考数据
表1中。
V
CBO
V
CES
I
C
P
合计
h
FE
C
re
f
T
G
UM
快速参考数据
条件
R
BE
= 0
民
-
-
-
最多至T
sp
= 97
C
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V
I
C
= i
c
= 0 ; V
CB
= 6 V;
F = 1 MHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V;
F = 1 GHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V;
T
AMB
= 25
C
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
-
-
15
9
-
-
dB
dB
[1]
符号参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极
电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
直流电流增益
反馈电容
跃迁频率
最大单边
功率增益
典型值
-
-
-
-
120
0.4
9
最大
20
15
70
300
250
-
-
单位
V
V
mA
mW
pF
GHz的
-
60
-
-
恩智浦半导体
BFR520
NPN 9 GHz宽带晶体管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
结温
条件
发射极开路
R
BE
= 0
集电极开路
最多至T
sp
= 97
C
[1]
民
-
-
-
-
-
65
-
最大
20
15
2.5
70
300
150
175
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
T
sp
是在集电极片的焊接点的温度。
6.热特性
表6 。
R
日（ J- S）
[1]
热特性
条件
[1]
符号参数
热阻结到焊接点
典型值
260
单位
K / W
T
sp
是在集电极片的焊接点的温度。
7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
C除非另有规定ED 。
符号参数
I
CBO
h
FE
C
e
C
c
C
re
f
T
G
UM
集电极截止
当前
辐射源
电容
集热器
电容
反馈
电容
过渡
频率
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 6 V
民
-
60
-
-
-
-
[1]
典型值
-
120
1
0.5
0.4
9
最大
50
250
-
-
-
-
单位
nA
直流电流增益我
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V
I
C
= i
c
= 0 ; V
EB
= 0.5 V;
F = 1 MHz的
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 6 V;
F = 1 MHz的
I
C
= 0 ; V
CB
= 6 V;
F = 1 MHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V;
F = 1 GHz的
pF
pF
pF
GHz的
最大
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V;
单侧输配电
AMB
= 25
C
收益
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
插入电源
收益
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V;
T
AMB
= 25
C;
F = 900兆赫
-
-
13
15
9
14
-
-
-
dB
dB
dB
s
21
2
BFR520
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产品数据表
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恩智浦半导体
BFR520
NPN 9 GHz宽带晶体管
表7中。
特征
- 续
T
j
= 25
C除非另有规定ED 。
符号参数
NF
噪声系数
条件
s
=
选择
; V
CE
= 6 V;
T
AMB
= 25
C
I
C
= 5毫安; F = 900兆赫
I
C
能力= 20 mA ; F = 900兆赫
I
C
= 5毫安; F = 2 GHz的
P
L(1dB)
输出功率在我
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V;
1分贝增益
R
L
= 50
;
T
AMB
= 25
C;
压缩
F = 900兆赫
三阶
截取点
[2]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
1.1
1.6
1.9
17
1.6
2.1
-
-
dB
dB
dB
DBM
ITO
-
26
-
DBM
[1]
G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和
s
21
G
UM
=
10日志
-----------------------------------------------------
分贝。
2
2
1
–
s
11
1
–
s
22
[2]
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ;
L
= 50
;
T
AMB
= 25
C;
f
p
= 900 MHz的; F
q
= 902兆赫
在F量度
(2pq)
= 898兆赫和f
(2qp)
= 904兆赫。
2
400
P
合计
（ mW）的
300
mra702
250
h
FE
200
mra703
150
200
100
100
50
0
0
50
100
150
T
sp
(°C)
200
0
10
2
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
V
CE
= 6 V.
图1 。
功率降额曲线。
图2 。
直流电流增益作为集电体的功能
电流。
BFR520
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