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分立半导体

数据表

M3D173

BFR505T

NPN 9 GHz宽带晶体管

产品speci fi cation

取代1999年的数据02月11日

2000年03月14

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 9 GHz宽带晶体管

特点

低电流消耗

高功率增益

低噪声系数

高转换频率

黄金金属确保

卓越的可靠性

SOT416 （SC- 75 ）封装。

应用

低功耗放大器，振荡器和

搅拌机特别是在便携式射频

通讯设备（蜂窝

手机，无绳电话和寻呼机）

高达2 GHz 。

快速参考数据

符号

CBO

CES

合计

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流

总功耗

直流电流增益

跃迁频率

最大单边功率增益

噪音科幻gure

≤

°C;

注1

= 5毫安; V

= 6 V ;牛逼

= 25

°C

= 5毫安; V

= 6 V ; F = 1千兆赫;

AMB

= 25

°C

= 0

条件

发射极开路

分钟。

典型值。

120

1.2

钉扎

针

BASE

辐射源

集热器

标识代码：

N0.

BFR505T

描述

在一个塑料SOT416 NPN晶体管

（SC- 75 ）封装。

fpage

描述

顶视图

MBK090

图1 SOT416 。

马克斯。

150

250

1.7

单位

GHz的

= 5毫安; V

= 6 V ; F = 900 MHz的;

AMB

= 25

°C

= 1.25毫安; V

= 6 V;

F = 900 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 60134 ）。

符号

CBO

EBO

合计

英镑

记

1. T

是在集电针的焊接点的温度。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

总功耗

储存温度

结温

≤

°C;

注1

发射极开路

= 0

集电极开路

条件

分钟。

马克斯。

2.5

150

+150

150

单位

°C

2000年03月14

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 9 GHz宽带晶体管

热阻

符号

第j个-S

参数

热阻结到焊接点

BFR505T

价值

500

单位

K / W

200

P合计

（ mW）的

150

MGU068

100

150

TS （ ° C）

200

图2功率降额曲线。

2000年03月14

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 9 GHz宽带晶体管

特征

= 25

°C;

除非另有规定ED 。

符号

CBO

参数

集电极截止电流

直流电流增益

集电极电容

发射极电容

反馈电容

跃迁频率

条件

= 0; V

= 6 V

= 5毫安; V

= 6 V

= i

= 0; V

= 6 V ; F = 1 MHz的

= i

= 0; V

= 0.5 V ; F = 1 MHz的

= 0; V

= 0.5 V ; F = 1 MHz的

= 5毫安; V

= 6 V ; F = 1千兆赫;

AMB

= 25

°C

分钟。

典型值。

120

0.4

0.3

BFR505T

马克斯。

250

单位

GHz的

最大单边功率增益;我

= 5毫安; V

= 6 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

注1

F = 900兆赫

F = 2 GHz的

插入功率增益

噪音科幻gure

= 5毫安; V

= 6 V ; F = 900 MHz的;

AMB

= 25

°C

选择

; I

= 1.25毫安; V

= 6 V;

F = 900 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

选择

; I

= 5毫安; V

= 6 V;

F = 900 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

选择

; I

= 1.25毫安; V

= 6 V;

F = 2 GHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

1.2

1.6

1.9

1.7

2.1

DBM

ITO

笔记

输出功率为1 dB增益

压缩

三阶截取点

= 5毫安; V

= 6 V ;

= 50

;

F = 900 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

注2

1. G

是最大单边功率增益，假设S

是零和

10日志------------------------------------------------ ---------分贝

(

–

) (

–

)

2. I

= 5毫安; V

= 6 V ;

= 50

;

F = 900 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C;

= 900 MHz的; F

= 902 MHz的;在测

(2p-q)

= 898 MHz和在f

(2q-p)

= 904兆赫。

2000年03月14

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 9 GHz宽带晶体管

BFR505T

MRC019

手册， halfpage

200

MRC011

^ h FE

150

手册，

0.5

halfpage

c重新

（PF ）

0.4

0.3

100

0.2

0.1

I C （毫安）

VCB （ V）

= 6 V ;牛逼

= 25

°C.

= 0; F = 1兆赫。

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流。

Fig.4

反馈电容的一个函数

集电极 - 基极电压。

手册， halfpage

MRC013

（千兆赫）

VCE = 8 V

I C （毫安）

F = 1千兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C.

Fig.5

过渡频率的函数

集电极电流。

2000年03月14

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15000

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NXP/恩智浦

24+

12300

SOT-523

全新原装现货，原厂代理。

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