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BFR460L3
NPN硅晶体管RF
初步数据
对于低电压/低电流应用
理想的VCO模块和低噪声放大器
低噪声系数：1.8分贝1.8 GHz的
世界上最小的SMD无铅封装
出色的ESD性能（ >1500V HBM ）
高
f
T
22 GHz的






3
1
2
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BFR460L3
最大额定值
参数
记号
AB
引脚配置
1=B
2=E
3=C
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
符号
R
thjs
价值
包
TSLP-3-1
单位
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
1)2)
结温
环境温度
储存温度
热阻
参数
T
S
4.5
15
15
1.5
50
5
200
150
-65 ... 150
-65 ... 150
价值
V
mA
mW
°C
108°C
1
P
由于最大额定值
合计
2
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S
3对于计算
R
请参考应用笔记热阻
thJA
1

结 - 焊接点
3)

单位
210
K / W
May-14-2003
BFR460L3
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
特征
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 5 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 0,5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V
h
FE
50
130
200
-
I
EBO
-
-
1
A
I
CBO
-
-
100
nA
V
（ BR ） CEO
4.5
5
-
V
典型值。
马克斯。
单位
2
May-14-2003
BFR460L3
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
（通过随机抽样核实）
跃迁频率
f
T
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 3 V,
f
= 1 GHz的
单位
16
-
-
-
22
0.3
0.14
0.55
-
0.45
-
-
GHz的
pF
集电极 - 基极电容
V
CB
= 3 V,
f
= 1兆赫，发射极接地
C
cb
C
ce
C
eb
F
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 3 V,
f
= 1 MHz时，底座接地
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1 MHz时，集热器接地
噪声系数
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 1.8 GHz的
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 3 GHz的
dB
-
-
1.1
1.35
16.0
-
-
-
dB
功率增益，最大稳定
1)
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
G
ms
-
功率增益，最大可用
1)
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 3 GHz的
G
ma
-
11
-
dB
传感器增益
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
L
= 50 ,
f
= 1,8 GHz的
|
S
21e
|
2
dB
-
14
10
27
11.5
-
-
-
-
DBM
在输出三阶截取点
2)
V
CE
= 3 V,
I
C
= 20毫安，
f
= 1.8 GHz的
1dB压缩点的输出
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
f
= 1.8 GHz的
1
G
1/2
ma
= |
S
21
/
S
12
| (k-(k-1) ),
G
ms
=
S
21
/
S
12
2IP3值取决于终端的所有互调频率分量。

用于该测定的终止是50
从0.1 MHz到6 GHz的


I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
f
= 3 GHz的

,
-
IP
3
P
-1dB
-
-

3
May-14-2003
BFR460L3

集电极 - 基极电容
C
cb
= (
V
CB
)
f
= 1MHz的
0.8
pF
跃迁频率
f
T
= (
I
C
)
f
= 1 GHz的
V
CE
= V中的参数
26
GHz的
2 4V
1V
0.6
建行
0.5
fT
0.4
0.3
10
0.2
8
6
0.1
4
0
0
2
4
6
8
10
V
VCB
V
CE
= 3 V,
I
C
= 20毫安
50
dB
V
CE
= 3V
f
=在GHz的参数
24
dB
40
35
G
G
20
18
16
14
12
|S21|
GMA
1.8
30
25
20
15
10
5
0
0
GHz的
f
大湄公河次区域
10
8
6
4
0
1
2
3
4
6
5
10
15
20
4


功率增益
G
ma
,
G
ms
, |
S
21
|
2
=
(
f
)

22
20
18
16
14
12
14
2
0
5
10
15
20
25
30
35
mA
IC
45
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
(
I
C
)
0.9
2.4
3
4
5
6
25
30
mA
IC
40
May-14-2003
BFR460L3

功率增益
G
ma
,
G
ms
=
I
C
= 20毫安
f
=在GHz的参数
24
dB
0.9
(
V
CE
)
20
18
1.8
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
VCE
2.4
3
4
5
6
G
4.5
5
May-14-2003
BFR460L3
NPN硅晶体管RF *
对于低电压/低电流应用
理想的VCO模块和低噪声放大器
低噪声系数：1.8分贝1.8 GHz的
SMD无铅封装
出色的ESD性能
典型值为1500V （ HBM ）
高
f
T
22 GHz的
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
*短期描述
1
2
3
ESD
（静电
放）
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BFR460L3
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
T
A
> 0 ℃，
T
A
≤
0 °C
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
2)
T
S
≤
108°C
结温
记号
AB
引脚配置
1=B
2=E
3=C
符号
V
首席执行官
4.5
4.2
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
jo
T
A
T
英镑
15
15
1.5
50
5
200
150
- ... -
-65 ... 150
-65 ... 150
价值
包
TSLP-3-1
单位
V
mA
mW
°C
-
°C
工作结点温度范围
环境温度
储存温度
1
含有铅，
2
T
包可能是可根据特殊要求
S为在焊接点，以在pcb上测量集电极引线
1
2008-08-14
BFR460L3
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
符号
R
thjs
价值
≤
210
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 15 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 5 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 0,5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V ，测量脉搏
1
为
单位
马克斯。
-
10
100
1
160
V
A
nA
A
-
典型值。
5.8
-
-
-
120
V
（ BR ） CEO
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
4.5
-
-
-
90
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
2008-08-14
BFR460L3
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
（通过随机抽样核实）
跃迁频率
f
T
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 3 V,
f
= 1 GHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 3 V,
f
= 1 MHz时，
V
BE
= 0 ,
发射极接地
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 3 V,
f
= 1 MHz时，
V
BE
= 0 ,
底座接地
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1 MHz时，
V
CB
= 0 ,
集电极接地
噪声系数
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 1.8 GHz的
f
= 3 GHz的
功率增益，最大稳定
1)
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
功率增益，最大可用
1)
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 3 GHz的
传感器增益
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 1,8 GHz的
f
= 3 GHz的
在输出三阶截取点
2)
V
CE
= 3 V,
I
C
= 20毫安，
f
= 1.8 GHz的
1dB压缩点的输出
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
f
= 1.8 GHz的
1/2
MA = |
S
21 /
S
12 | (k-(k-1) ),
G
女士 -
S
21 /
S
12
2
IP3值取决于终端的所有互调频率分量。
用于该测定的终止是50
从0.1 MHz到6 GHz的
1
G
16
-
22
0.28
-
0.45
GHz的
pF
C
cb
C
ce
-
0.14
-
C
eb
-
0.55
-
F
-
-
G
ms
-
1.1
1.35
16.0
-
-
-
dB
dB
G
ma
-
11
-
dB
|S
21e
|
2
-
-
IP
3
P
-1dB
-
-
14
10
27
11.5
-
-
-
-
dB
DBM
3
2008-08-14
BFR460L3
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(V
CB
)
f
= 1MHz的
0.8
pF
跃迁频率
f
T
=
(I
C
)
f
= 1 GHz的
V
CE
= V中的参数
26
GHz的
2 4V
1V
22
0.6
20
18
建行
0.5
fT
16
14
12
0.4
0.3
10
0.2
8
6
0.1
4
0
0
2
4
6
8
10
V
VCB
14
2
0
5
10
15
20
25
30
35
mA
IC
45
功率增益
G
ma
,
G
ms
, |S
21
|
2
=
(f)
V
CE
= 3 V,
I
C
= 20毫安
50
dB
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
(I
C
)
V
CE
= 3V
f
=在GHz的参数
24
dB
0.9
40
35
G
G
20
18
16
14
12
|S21|
GMA
1.8
30
25
20
15
10
5
0
0
GHz的
f
大湄公河次区域
2.4
3
4
5
6
10
8
6
4
0
1
2
3
4
6
5
10
15
20
25
30
mA
IC
40
4
2008-08-14
BFR460L3
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
(V
CE
)
I
C
= 20毫安
f
=在GHz的参数
24
dB
0.9
20
18
1.8
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
VCE
2.4
3
4
5
6
G
4.5
5
2008-08-14
查看更多BFR460L3PDF信息
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B65517W0000Y038
BA7660FS_1
BP04RKT
BQ24075TRGTT
BH7641FV
B43501B5277M007
BTA208M-500C
B81130B1333+
BUS-61569-870Q
BS62LV4006TIP70
BZT5228
BB401M
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    BFR460L3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
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电话：0755-23612326
联系人：唐
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BFR460L3
INFINEON
2019
79600
TSLP-3-1
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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BFR460L3
Infineon Technologies
2429+
2000
TSLP-3
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
深圳市川蓝电子科技有限公司
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电话：0755-82522939
联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
BFR460L3
INFINEON
14253
23+
原包装原标现货，假一罚十，
0.1
江苏芯钻时代电子科技有限公司
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电话：18913062888
联系人：陈先生
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Infineon
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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2022
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联系人：销售部1部
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BFR460L3
INFINEON
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BFR460L3
INFINEON主营品牌
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联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BFR460L3
INFINEON
16+
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