飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道音响场效晶体管
描述
平面外延结对称N沟道
在一个塑料SOT23封装场效应晶体管。
应用
低水平的通用放大器厚
薄膜电路。
钉扎 - SOT23
针
1
2
3
记
1.漏极和源极是可以互换的。
符号
d
s
g
描述
漏
(1)
来源
(1)
门
1
顶视图
2
手册， halfpage
BFR30 ; BFR31
3
d
s
g
MAM385
标记代码：
BFR30 ： M1P 。
BFR31 ： M2P 。
Fig.1简化外形和符号。
小心
此产品是在防静电包装供应，以防止
期间因静电放电损坏
运输和处理。欲了解更多信息，请参阅
飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和
SNW-FQ-302B.
快速参考数据
符号
V
DS
V
GSO
P
合计
I
DSS
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗
漏电流
BFR30
BFR31
y
fs
共源转移导纳
BFR30
BFR31
I
D
= 1毫安; V
DS
= 10 V ; F = 1千赫
1
1.5
4
4.5
mS
mS
漏极开路
T
AMB
≤
40
°C
V
GS
= 0; V
DS
= 10 V
4
1
10
5
mA
mA
条件
分钟。
马克斯。
±25
25
250
单位
V
V
mW
1997年12月5日
2
