添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第537页 > BFR193W
BFR193W
NPN硅晶体管RF *
对于低噪声，高增益放大器高达2 GHz的
对于线性宽带放大器
f
T
= 8千兆赫，
F
= 1分贝在900MHz
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
*短期描述
3
1
2
ESD
（静电
放）
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BFR193W
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
2)
T
S
≤
63°C
结温
环境温度
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
3)
1
含有铅，
2
T
3
为
记号
RCS
引脚配置
1=B
2=E
3=C
包
SOT323
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
符号
R
thjs
价值
12
20
20
2
80
10
580
150
-55 ... 150
-55 ... 150
价值
≤
150
单位
V
mA
mW
°C
单位
K / W
包可能是可根据特殊要求
S为在焊接点，以在pcb上测量集电极引线
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
2007-03-30
BFR193W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流GAIN-
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V ，测量脉搏
h
FE
70
100
140
I
EBO
-
-
1
I
CBO
-
-
100
I
CES
-
-
100
V
（ BR ） CEO
12
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
A
nA
A
-
2
2007-03-30
BFR193W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
（通过随机抽样核实）
跃迁频率
f
T
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1 MHz时，
V
BE
= 0 ,
发射极接地
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1 MHz时，
V
BE
= 0 ,
底座接地
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1 MHz时，
V
CB
= 0 ,
集电极接地
噪声系数
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 900兆赫
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 1.8 GHz的
功率增益，最大可用
1)
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 900兆赫
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 900兆赫
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 1.8 GHz的
1
G
6
-
8
0.74
-
1
GHz的
pF
C
cb
C
ce
-
0.28
-
C
eb
-
1.8
-
F
-
-
G
ma
-
-
|S
21e
|
2
-
-
13.5
8
-
-
16
10.5
-
-
1
1.6
-
-
dB
dB
1/2
ma
= |
S
21
/
S
12
| (k-(k-1)
)
3
2007-03-30
BFR193W
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片的数据：
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
0.2738
24
1.935
3.8742
0.94371
1
1.1824
18.828
0.96893
1.1828
1.0037
0
3
fA
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
NK =
FC =
125
0.26949
14.267
0.037925
1.8368
0.76534
0.70276
0.69477
0
0.30002
0
0
0.72063
-
A
-
A
-
V
-
度
-
fF
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
0.95341
10.627
1.4289
0.037409
0.91763
0.11938
0.48654
0.8
935.03
0.053563
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
mA
-
V
fF
-
V
eV
K
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。提取的代表英飞凌科技股份公司通过：
研究所献给Mobil- UND Satellitentechnik （ IMST ）
包装等效电路：
L
BI
=
L
BO
=
L
EI
=
L
EO
=
L
CI
=
L
CO
=
C
BE
=
C
CB
=
C
CE
=
0.57
0.4
0.43
0.5
0
0.41
61
101
175
nH
nH
nH
fF
fF
fF
fF
fF
fF
有效高达6GHz
有关示例，并准备使用参数
请联系您当地的英飞凌科技
分销商或销售办事处获得英飞凌
技术的CD - ROM或互联网看到：
http://www.infineon.com
4
2007-03-30
BFR193W
总功耗
P
合计
=
(
T
S
)
允许的脉冲负载
R
thjs
=
(
t
p
)
600
mW
10
3
K / W
500
450
R
thjs
P
合计
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
2
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
t
p
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
(
t
p
)
10
2
P
totmax
/P
totDC
-
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
5
2007-03-30
BFR193W
NPN硅晶体管RF
对于低噪声，高增益放大器高达2 GHz的
对于线性宽带放大器
f
T
= 8 GHz的
F
= 1.3分贝在900MHz
3
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
2)
R
thjs
1
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S
2For计算的
R
请参考应用笔记热阻
thJA




2
1
VSO05561
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BFR193W
最大额定值
参数
记号
RCS
1=B
引脚配置
2=E
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
包
SOT323
价值
12
20
20
2
80
10
580
150
-65 ... 150
-65 ... 150
mW
°C
mA
单位
V
3=C
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
T
S
63 °C
1)

150
K / W
1
Aug-09-2001
BFR193W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V
h
FE
50
100
200
-
I
EBO
-
-
1
A
I
CBO
-
-
100
nA
I
CES
-
-
100
A
V
（ BR ） CEO
12
-
-
V
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
2
Aug-09-2001
BFR193W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
AC特性
（通过随机抽样核实）
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益，最大可用
1)
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
,
-
-
13.5
7.5
-
-
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
1
G
ma
单位
马克斯。
-
1
-
-
dB
GHz的
pF
典型值。
8
0.74
0.28
1.8
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
6
-
-
-
-
-
G
ma
-
-
1.3
2.1
-
-
15.5
10
-
-
= |
S
21
/
S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)

3
Aug-09-2001
BFR193W
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片数据
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
0.2738
24
1.935
3.8742
0.94371
1
1.1824
18.828
0.96893
1.1828
1.0037
0
3
fA
V
-
V
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
125
0.26949
14.267
0.037925
1.8368
0.76534
0.70276
0.69477
0
0.30002
0
0
0.72063
-
A
-
A
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
0.95341
10.627
1.4289
0.037409
0.91763
0.11938
0.48654
0.8
935.03
0.053563
0.75
1.1
300
-
fA
-
fA
mA
-
fF
ps
V
-
度
-
fF
-
-
V
fF
-
V
eV
K
mA
V
ns
-
-
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。
提取的代表英飞凌科技股份公司通过：
研究所献给美孚- UND Satellitentechnik （ IMST ）
包装等效电路：
L
BI
=
L
BO
=
L
EI
=
L
EO
=
L
CI
=
L
CO
=
C
BE
=
C
CB
=
C
CE
=
0.57
0.4
0.43
0.5
0
0.41
61
101
175
fF
fF
有效高达6GHz
有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的英飞凌科技分销商或销售
办公室获得英飞凌科技的CD -ROM或参阅网址： http://www.infineon.com/silicondiscretes
4
Aug-09-2001

nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF


BFR193W
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
600
mW
500
450
P
合计
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
2
K / W
P
totmax
/ P
totDC
-
10
2
10
1
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
5
Aug-09-2001
BFR 193W
NPN硅晶体管RF
对于低噪声，高增益放大器高达2GHz
对于线性宽带放大器
f
T
= 8GHz的
F
= 1.3分贝在900MHz
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
订购代码标识
引脚配置
BFR 193W
RCS
Q62702-F1510
1=B
2=E
3=C
包
SOT-323
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
符号
值
12
20
20
2
80
10
mW
580
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
≤
150
°C
mA
单位
V
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
1)
T
S
≤
63 °C
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
R
thjs
K / W
1)
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。
半导体集团
1
Dec-11-1996
BFR 193W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
12
-
-
-
-
100
-
V
A
-
100
nA
-
100
A
-
1
-
50
200
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V
半导体集团
2
Dec-11-1996
BFR 193W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
6
8
0.74
0.28
1.8
-
GHz的
pF
-
1
-
-
dB
-
-
1.3
2.1
-
-
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
C
cb
C
ce
-
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
C
eb
-
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
F
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益
2)
G
ma
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
Z
L
=
Z
LOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
-
-
13.5
7.5
-
-
-
-
15.5
10
-
-
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
2)
G
ma
= |S
21
/S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)
半导体集团
3
Dec-11-1996
BFR 193W
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片数据
IS =
0.2738
fA
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
24
1.935
3.8742
0.94371
1.8368
1.1824
18.828
0.96893
1.1828
1.0037
0
3
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
125
0.26949
14.267
1
0.76534
0.70276
0.69477
0
0.30002
0
0
0.72063
-
A
-
V
-
度
-
fF
-
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
0.95341
10.627
1.4289
0.91763
0.11938
0.48654
0.8
935.03
0.75
1.1
300
-
fA
-
mA
-
V
fF
V
eV
K
0.037925 A
0.037409 fA的
0.053563 -
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。
提取的代表SIEMENS小信号半导体的方式：
研究所献给美孚- UND Satellitenfunktechnik （ IMST ）
1996 SIEMENS AG
包装等效电路：
LBI =
LBO =
雷=
LEO =
LCI =
LCO =
CBE =
建行=
CCE =
0.57
0.4
0.43
0.5
0
0.41
61
101
175
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
有效期至6 GHz
有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的西门子分销商或销售办事处
获得西门子的CD -ROM或参阅网址： http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm
半导体集团
4
Dec-11-1996
BFR 193W
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*,
T
S
)
*包装安装在环氧
600
mW
500
P
合计
450
400
350
300
250
T
S
T
A
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
2
-
R
thjs
10
2
P
totmax
/P
totDC
-
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
半导体集团
5
Dec-11-1996
查看更多BFR193WPDF信息
推荐型号
BZG04-56
BZG0456
BH33FB1WG
BZW06-7V8
BD33C0AWFP
BCR6AM12R
BCM5364P
BQ24086DRCR
B41821F3828M000
B37871R0100K021
B37647K9103K070
B43505A2687M080
B43305C5227M082
B43305C9277M060
B41820A6105M00
BUL138FP
BH6629BFS
B41505A6338M002
B32227J0254M000
BA7655
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BFR193W
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BFR193W
Infineon Technologies
2423+
2000
SOT-323-3
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ：936045363 复制

电话：13424184668
联系人：肖佳欣
地址：广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
BFR193W
PH
24+
8000000
SMT
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
BFR193W
INFINEON
2019
79600
SOT323-3
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
BFR193W
SE
25+
4500
NA
全新原装现货特价销售！
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
BFR193W
Infineon
24+
5200
SOT323
原装正品现货
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BFR193W
INFINEON
24+
8000
SC70
100%原装正品，只做原装正品
锦迅科技(香港)有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ：2942939487 复制

电话：0755-83226745/82584980
联系人：马小姐
地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室
BFR193W
INFINEON
21+
1360
SOT323-3
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
深圳市欧立现代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ：1950791264 复制

电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
地址：深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
BFR193W
infineon
24+
4000
SOT-23
授权分销 现货热卖
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BFR193W
INFINEON/英飞凌
2443+
23000
SOT-323
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BFR193W
INFINEON/英飞凌
24+
12300
SOT-343
全新原装现货，原厂代理。
查询更多BFR193W供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！