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首字符B的型号第517页
> BFQ262A
分立半导体
数据表
BFQ262 ; BFQ262A
NPN晶体管视频
产品speci fi cation
取代1995年11月数据
在分离式半导体文件, SC05
1997年10月2日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN晶体管视频
特点
高击穿电压
低输出电容
最适温度曲线
良好的热稳定性
卓越的可靠性特性。
应用
缓冲/驱动器在高分辨率
彩色图形显示器。
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
描述
在SOT32 NPN晶体管视频
( TO- 126 )塑料封装。
页面
BFQ262 ; BFQ262A
顶视图
1
2
3
MBC077 - 1
Fig.1
简化的轮廓
( SOT32 , TO- 126 ) 。
快速参考数据
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BFQ262
BFQ262A
V
CER
集电极 - 发射极电压
BFQ262
BFQ262A
I
C
P
合计
h
FE
集电极电流( DC )
总功耗
直流电流增益
BFQ262
BFQ262A
f
T
跃迁频率
BFQ262
BFQ262A
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
I
C
= 100毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
T
s
≤
85
°C;
注1
I
C
= 100毫安; V
CE
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
50
20
1
0.8
60
35
1.4
1.2
GHz的
GHz的
R
BE
= 100
95
110
400
5
V
V
mA
W
发射极开路
100
115
V
V
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1997年10月2日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN晶体管视频
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BFQ262
BFQ262A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BFQ262
BFQ262A
V
CER
集电极 - 发射极电压
BFQ262
BFQ262A
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
参数
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
结温
T
s
≤
85
°C;
注意1 ;见图3
集电极开路
R
BE
= 100
开基
条件
发射极开路
BFQ262 ; BFQ262A
分钟。
65
马克斯。
100
115
65
95
95
110
3
400
5
+150
175
V
V
V
V
V
V
V
单位
mA
W
°C
°C
条件
价值
18
单位
K / W
从结热阻焊接点T
s
≤
85
°C;
注1
1997年10月2日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN晶体管视频
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
( BR ) CBO
BFQ262
BFQ262A
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 10毫安;我
B
= 0
BFQ262
BFQ262A
V
( BR ) CER
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 10毫安;
BE
= 100
BFQ262
BFQ262A
V
( BR ) EBO
I
CES
I
CBO
h
FE
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
直流电流增益
BFQ262
BFQ262A
f
T
跃迁频率
BFQ262
BFQ262A
C
cb
集电极 - 基极电容
I
C
= 100毫安; V
CE
= 10 V;
F = 100 MHz的;吨
AMB
= 25
°C;
见图6
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 10 V;
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C;
见图5
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
I
E
= 0.1毫安;我
C
= 0
I
B
= 0; V
CE
= 50 V
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
C
= 100毫安; V
CE
= 10 V;
T
AMB
= 25
°C;
见图4
参数
集电极 - 基极击穿电压
条件
I
C
= 0.1毫安;我
E
= 0
BFQ262 ; BFQ262A
分钟。
100
115
65
95
95
110
3
50
20
1
0.8
典型值。
60
35
1.4
1.2
2
马克斯。
100
20
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
GHz的
GHz的
pF
C
c
集电极电容
3.5
pF
1997年10月2日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN晶体管视频
BFQ262 ; BFQ262A
手册, halfpage
500
IC
(MA )
MEA283
手册, halfpage
6
MEA282
400
P合计
(W)
4
300
200
2
100
0
0
20
40
60
VCEO ( V)
80
0
0
50
100
150
TS (
o
C)
200
图2 DC飙升。
图3功率降额曲线。
手册, halfpage
70
MEA281
手册, halfpage
6
MEA280
的hFE
60
建行
(PF )
5
4
50
3
40
2
30
0
100
200
IC (MA )
300
1
0
10
20
30
VCB ( V)
40
V
CE
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.4
直流电流增益的函数
集电极电流;典型值。
Fig.5
集电极 - 基极电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
1997年10月2日
5
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BFQ262A
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