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分立半导体
数据表
BFQ242
PNP晶体管视频
产品speci fi cation
取代1995年的数据10月9日
在分离式半导体文件， SC05
1996年9月04
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管视频
应用
主要用于级联
在高输出和缓冲阶段
高分辨率的彩色显示器。
描述
PNP硅晶体管封装
在一个3引脚塑料封装SOT32 。
钉扎
顶视图
1
2
3
MBC077 - 1
BFQ242
手册， halfpage
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
Fig.1简化外形SOT32 。
快速参考数据
符号
V
CBO
I
C
P
合计
f
T
C
re
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
跃迁频率
反馈电容
结温
T
mb
= 25
°C
I
C
=
25
毫安; V
CE
=
10
V
I
C
= 0; V
CB
=
10
V
条件
发射极开路
1
1.7
典型值。
马克斯。
100
100
5
175
V
mA
W
GHz的
pF
°C
单位
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
C
I
C（ AV ）
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
平均集电极电流
总功耗
储存温度
结温
条件
发射极开路
R
BE
= 100
集电极开路
见图2
见图2
T
mb
= 25
°C;
看科幻G.3
65
分钟。
马克斯。
100
95
3
100
100
5
+175
175
V
V
V
mA
mA
W
°C
°C
单位
1996年9月04
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管视频
BFQ242
10
3
手册， halfpage
MBG501
手册， halfpage
6
MBG502
IC
（MA ）
P合计
(W)
4
10
2
2
10
10
0
10
2
VCE （ V）
10
3
0
100
TMB （
o
C)
200
T
mb
= 25
°C.
V
CE
≤ 50
V.
图2 DC飙升。
图3功率降额曲线。
热特性
符号
R
日J- MB
参数
热阻结到
安装底座
条件
P
合计
= 5瓦;吨
mb
= 25
°C
价值
30
单位
K / W
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CER
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
f
T
C
re
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
直流电流增益
跃迁频率
反馈电容
条件
I
C
=
0.1
毫安;我
E
= 0
I
C
= 0; I
E
=
0.1
mA
V
CE
=
50
V; V
BE
= 0
I
C
=
25
毫安; V
CE
=
10
V;
见图4
I
C
=
25
毫安; V
CE
=
10
V;
F = 500 MHz的;见图5
I
C
= 0; V
CB
=
10
V;
F = 1兆赫;见图6
分钟。
100
95
3
20
1
1.7
典型值。
马克斯。
100
GHz的
pF
单位
V
V
V
A
集电极 - 发射极击穿电压余
C
=
1
毫安;
BE
= 100
1996年9月04
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管视频
BFQ242
手册， halfpage
80
MBG503
手册， halfpage
1.2
MBG504
的hFE
60
fT
（兆赫）
0.8
40
0.4
20
0
0
20
40
60
80
100
IC （MA ）
0
10
20
50
2
IC （MA ）
10
V
CE
=
10
V ;牛逼
p
= 500
s.
V
CE
=
10
V ; F = 500兆赫。
Fig.4
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.5
过渡频率的函数
集电极电流;典型值。
6
手册， halfpage
CRE
（PF ）
5
MBG505
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
VCB （ V）
F = 1兆赫。
Fig.6
反馈电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
4
1996年9月04
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管视频
包装外形
BFQ242
手册，全页宽
2.7
最大
7.8 MAX
3.75
3.2
3.0
11.1
最大
2.54
最大
(1)
1.2
15.3
民
1
0.88
最大
0.5
2
3
4.58
90 o
2.29
MBC076
尺寸（mm） 。
图7 SOT32 。
1996年9月04
5
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B43564A6128M000
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