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分立半导体

数据表

BFQ226

NPN晶体管视频

产品speci fi cation

取代1996年的7月18日的数据

在分离式半导体文件， SC05

1996年9月04

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN晶体管视频

应用

主要用于级联

在高输出和缓冲阶段

高分辨率的彩色显示器。

描述

NPN硅晶体管封装

采用4引脚塑料SOT223封装。

钉扎

针

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形SOT223 。

描述

辐射源

BFQ226

手册， halfpage

顶视图

MSB002 - 1

快速参考数据

符号

CBO

合计

参数

集电极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

跃迁频率

反馈电容

结温

最多至T

= 60

°C

= 25毫安; V

= 10 V

= 0; V

= 10 V

条件

发射极开路

1.7

典型值。

马克斯。

100

175

GHz的

°C

单位

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

CER

EBO

C（ AV ）

合计

英镑

记

1. T

是在集电针的焊接点的温度。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

平均集电极电流

总功耗

储存温度

结温

条件

发射极开路

= 100

集电极开路

见图2

最多至T

= 60

°C;

注意1 ;见图3

分钟。

马克斯。

100

+175

175

°C

单位

1996年9月04

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN晶体管视频

BFQ226

手册， halfpage

MBG491

手册， halfpage

MBG492

P合计

(W)

（MA ）

VCE （ V）

100

TS （

200

= 60

°C.

≤

50 V.

图2 DC飙升。

图3功率降额曲线。

热特性

符号

第j个-S

记

1. T

是集电极端子的焊接点的温度。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CER

（ BR ） EBO

CES

参数

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极漏电流

直流电流增益

跃迁频率

反馈电容

条件

= 0.1毫安;我

= 0

= 0; I

- 0.1毫安

= 50 V; V

= 0

= 25毫安; V

= 10 V;

见图4

= 25毫安; V

= 10 V;

F = 500 MHz的;见图5

= 0; V

= 10 V ; F = 1兆赫;

见图6

分钟。

100

1.7

典型值。

马克斯。

100

GHz的

单位

参数

热阻结到

焊接点

条件

合计

= 3 W ;最多至T

= 60

°C;

注1

价值

38.5

单位

K / W

集电极 - 发射极击穿电压余

= 1毫安;

= 100

1996年9月04

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN晶体管视频

BFQ226

手册， halfpage

MBG493

手册， halfpage

1.2

MBG494

的hFE

（兆赫）

0.8

0.4

100

IC （MA ）

= 10 V ;牛逼

= 500

= 10 V ; F = 500兆赫。

Fig.4

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.5

过渡频率的函数

集电极电流;典型值。

手册， halfpage

MBG495

CRE

（PF ）

VCB （ V）

F = 1兆赫。

Fig.6

反馈电容的一个函数

集电极 - 基极电压;典型值。

1996年9月04

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN晶体管视频

包装外形

BFQ226

手册，全页宽

0.95

0.85

0.32

0.24

飞机座位

6.7

6.3

3.1

2.9

0.1 S

0.2

0.10

0.01

3.7

3.3

7.3

6.7

最大

1.80

最大

2.3

4.6

0.80

0.60

0.1

(4x)

MSA035 - 1

尺寸（mm）。

图7 SOT223 。

1996年9月04

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