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分立半导体

数据表

BFQ136

NPN 4 GHz宽带晶体管

产品speci fi cation

在分立半导体的文件， SC14

1995年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 4 GHz宽带晶体管

描述

在一个四引线NPN晶体管

双发射SOT122A信封

陶瓷盖。所有的线索都隔离

从螺栓。扩散的

射极镇流电阻和

应用黄金三明治

金属化确保最佳

温度分布和优异的

可靠性特性。它的特点

极高的输出电压

的能力。

它主要用于最后阶段

在UHF放大器。

钉扎

针

描述

集热器

辐射源

BASE

辐射源

页面

BFQ136

顶视图

MBK187

图1 SOT122A 。

快速参考数据

符号

首席执行官

合计

参数

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流

总功耗

跃迁频率

最大单边功率增益

输出电压

最多至T

= 100

°C

= 500毫安; V

= 15 V ; F = 500 MHz的;

= 25

°C

= 500毫安; V

= 15 V ; F = 800 MHz的;

AMB

= 25

°C

= 500毫安; V

= 15 V;

分贝;

= 75

;

第（p +的q r）的

= 793.25兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。所有

人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

开基

条件

典型值。

4.0

12.5

2.5

马克斯。

600

单位

GHz的

1995年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 4 GHz宽带晶体管

极限值

按照绝对最大系统（IEC 134）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

总功耗

储存温度

结温

最多至T

= 100

°C

开基

集电极开路

条件

发射极开路

分钟。

BFQ136

马克斯。

600

150

200

单位

°C

热阻

符号

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

热阻

11 K / W

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

笔记

1.测量与发射极和基极接地。

2. G

是最大单边功率增益，假设S

是零和

-------------------------------------------------------------

分贝。

10日志

–

参数

集电极截止电流

直流电流增益

集电极电容

发射极电容

反馈电容

集电极电容螺柱

跃迁频率

最大单边功率增益

（注2 ）

输出电压（见图2）

条件

= 0; V

= 15 V

= 500毫安; V

= 15 V

= i

= 0; V

= 15 V ; F = 1 MHz的

= i

= 0; V

= 0.5 V ; F = 1 MHz的

= 0; V

= 15 V ; F = 1 MHz的

注1

= 500毫安; V

= 15 V;

F = 500 MHz的

= 500毫安; V

= 15 V;

F = 800 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

注3

分钟。

典型值。

7.0

4.0

0.8

4.0

12.5

2.5

马克斯。

单位

GHz的

3. d

分贝;我

= 500毫安; V

= 15 V ;

= 75

;

AMB

= 25

°C;

= V

为D

分贝; F

= 795.25兆赫;

= V

分贝; F

= 803.25兆赫;

= V

分贝; F

= 805.25兆赫;

在F量度

第（p +的q r）的

= 793.25兆赫。

1995年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 4 GHz宽带晶体管

BFQ136

手册，全页宽

V BB

高频扼流圈

4.7

1.5

VCC

1 nF的

14 nH的

9 pF的

6 nH的

9 pF的

4.7

1 k

14 nH的

1.8 pF的

7.5 nH的

20 pF的

产量

36 nH的

输入

DUT

9 pF的

3 pF的

9 pF的

3.3 pF的

3 pF的

36 nH的

MEA261

图2互调失真美亚测试电路。

MBB361

MEA263

120

手册， halfpage

^ h FE

手册， halfpage

（PF ）

120

160

I C （毫安）

V CB （ V）

= 15 V ;牛逼

= 25

°C.

= i

= 0; F = 1兆赫;牛逼

= 25

°C

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流。

Fig.4

集电极电容的一个函数

集电极 - 基极电压。

1995年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 4 GHz宽带晶体管

BFQ136

手册， halfpage

MEA262

MEA264

（千兆赫）

手册， halfpage

摹UM

（ dB）的

100

I C （毫安）

1000

0.1

F（兆赫）

= 15 V ; F = 500 MHz的;牛逼

= 25

°C

= 500毫安; V

= 15 V ;牛逼

AMB

= 25

°C.

Fig.5

过渡频率的函数

集电极电流。

Fig.6

单侧最大功率增益为

功能的频率。

1995年9月

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