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BFP740F
NPN硅锗RF晶体管
高增益超低噪声RF晶体管
提供了出色的性能
广泛的无线应用
高达10GHz和更
非常适用于CDMA和WLAN的应用
出色的噪声系数
F
= 0.5分贝在1.8GHz
出色的噪声系数
F
= 0.75分贝在6 GHz
最大稳定增益
G
ms
= 27.5分贝在1.8GHz
黄金金属额外的高可靠性
150 GHz的
f
T
- 硅锗技术
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
顶视图
4
3
3
4
1
2
XYS
1
2
退绕方向
ESD
(静电
放)
敏感的设备,观察处理防范!
TYPE
BFP740F
1
含有铅,
记号
R7s
1=B
引脚配置
2=E
3=C
4=E
-
-
TSFP-4
包可能是可根据特殊要求
2007-04-20
1
BFP740F
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
T
A
> 0 ℃,
T
A
0°C
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
1)
T
S
90°C
结温
环境温度
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
2)
符号
R
thjs
价值
370
单位
K / W
T
j
T
A
T
英镑
150
-65 ... 150
-65 ... 150
°C
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
符号
V
首席执行官
4
3.5
13
13
1.2
30
3
160
mW
mA
价值
单位
V
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安,
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 13 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 5 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 0.5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 25毫安,
V
CE
= 3 V ,测量脉搏
1
T
单位
马克斯。
-
30
100
3
400
V
A
nA
A
-
典型值。
4.7
-
-
-
250
V
( BR ) CEO
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
4
-
-
-
160
S为在焊接点,以在pcb上测量集电极引线
2
对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2007-04-20
2
BFP740F
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
(通过随机抽样核实)
跃迁频率
f
T
I
C
= 25毫安,
V
CE
= 3 V,
f
= 1 GHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 3 V,
f
= 1 MHz时,
V
BE
= 0 ,
发射极接地
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 3 V,
f
= 1 MHz时,
V
BE
= 0 ,
底座接地
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1 MHz时,
V
CB
= 0 ,
集电极接地
噪声系数
I
C
= 8毫安,
V
CE
= 3 V,
f
= 1.8千兆赫,
Z
S
=
Z
SOPT
I
C
= 8毫安,
V
CE
= 3 V,
f
= 6 GHz的,
Z
S
=
Z
SOPT
功率增益,最大稳定
1)
I
C
= 25毫安,
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
功率增益,最大可用
1)
I
C
= 25毫安,
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 6 GHz的
传感器增益
I
C
= 25毫安,
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 1.8 GHz的
f
= 6 GHz的
在输出三阶截取点
2)
V
CE
= 3 V,
I
C
= 25毫安,
Z
S
=Z
L
=50
,
f
=
1
.
8 GHz的
1dB压缩点的输出
I
C
= 25毫安,
V
CE
= 3 V,
Z
S
=Z
L
=50
,
f
=
1
.
8 GHz的
1/2
MA = |
S
21e /
S
器12e | (的k ( K -1)) ,
G
女士= |
S
21e /
S
12e |
2
IP3值取决于终端的所有互调频率分量。
用于该测定的终止是50
从0.1 MHz到6 GHz的
1
G
-
-
42
0.08
-
0.14
GHz的
pF
C
cb
C
ce
-
0.2
-
C
eb
-
0.44
-
F
-
-
G
ms
-
0.5
0.75
27.5
-
-
-
dB
dB
G
ma
-
19
-
dB
|S
21e
|
2
-
-
IP
3
P
-1dB
-
-
25
15
25
11
-
-
-
-
dB
DBM
2007-04-20
3
BFP740F
SPICE参数(的Gummel -潘型号,伯克利- SPICE 2G.6语法) :
晶体管芯片的数据:
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
AF =
384.4
400
1.586
1.28
1.5
1.69
220
2.1
290
550
13
180
910
1
aA
V
-
V
-
fF
ps
mA
mV
ps
m
m
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
KF -
1.1
512.1
62
5
3.23
90
590
3
100
152
79.7
-2.2
950
0
k
mA
-
mA
m
mV
-
mdeg
m
fF
-
m
-
LBC =
LCC =
LEC =
LBB =
LCB =
LEB =
CBEC =
CBCC =
CES =
CBS =
CCS =
CCEO =
CBEO =
CCEI =
CBEI =
REC =
RBS =
RCS =
水库?
0.1
0.2
20
0.411
0.696
21
0.1
1
0.34
39
75
0.177
92
0.217
52
2
3.5
1.65
90
nH
nH
pH
nH
nH
pH
pF
fF
pF
fF
fF
pF
fF
pF
fF
k
k
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
1.018
4.296
1
3.85
10
6.88
70
1.32
99.5
10
570
1.11
298
-
fA
-
fA
A
m
V
fF
m
mV
eV
K
所有的参数都可以使用了,没有scalling是必要的。
包装等效电路:
CBS
苏格兰皇家银行
CBCC
C
BFP740F_Chip
B
S
LCC
B
LBB
LBC
CBEC
RCS CCS
E
水库
CES
LCB
C
LEC
REC
CBEI
LEB
CBEO
CCEO
CCEI
E
有关示例,并准备使用参数
请联系您当地的英飞凌科技
分销商或销售办事处获得英飞凌
技术的CD - ROM或互联网看到:
http://www.infineon.com
有效高达6GHz
2007-04-20
4
BFP740F
总功耗
P
合计
=
(
T
S
)
允许的脉冲负载
R
thjs
=
(
t
p
)
180
mW
10
3
140
120
100
K / W
R
thjs
P
合计
10
2
80
60
40
20
0
0
10
1 -7
10
D = 0,5
0,2
0,1
0,05
0,02
0,01
0,005
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
t
p
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
(
t
p
)
10
2
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(
V
CB
)
f
= 1兆赫
0.2
P
totmax
/P
totDC
0.18
-
0.16
0.14
C [ pF的]
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.12
cb
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
0
0
2
4
6
8
10
12
t
p
V
CB
[V]
2007-04-20
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BFP740FE6327
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
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5000
TSFP-4
原装正品现货
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
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100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:小邹
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BFP740FE6327
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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